DRAM制程產(chǎn)能滯后 技術(shù)是很大問題

據(jù)報導(dǎo)，三星2018年下半原計劃對DRAM及NAND Flash進行新投資，日前傳出將延至2019年，取而代之的是對現(xiàn)有產(chǎn)線進行補強投資，期望獲利維持一定水平。SK海力士2018年下半，則是將投資重心集中于NAND Flash，NAND Flash新廠投資進度正在加速，DRAM只會進行小規(guī)模補強與轉(zhuǎn)換投資。(參見DIGITIMES《韓國存儲器廠重整投資步伐三星DRAM新產(chǎn)線投資放緩、SK海力士加速NAND Flash新廠量產(chǎn)》)

這則新聞其實是意料中的事，但卻不是因為公司宣稱的市場因素，也不是媒體所猜測的國內(nèi)DRAM產(chǎn)能將陸續(xù)釋出的緣故。要講究，我猜是技術(shù)面的原因。

多年前我負(fù)責(zé)公司的技術(shù)授權(quán)和技術(shù)共同開發(fā)談判，技術(shù)共同開發(fā)一向難談，因為這是雙方核心利益，可是那次對方居然爽快的答應(yīng)了。在談判桌上輕易得來的利益要戒慎恐懼，因為其中可能藏有視野之外的死角。想了很久才想明白，對方已有另外的技術(shù)驅(qū)動(technology driver)產(chǎn)品，而我們所談的技術(shù)合作產(chǎn)品整整落后兩個世代，是無關(guān)緊要的副產(chǎn)品，是以好談。事后產(chǎn)業(yè)的發(fā)展態(tài)勢果然也一如預(yù)期。

回看這則新聞，單純從市場面看是有點反智的。DRAM市場目前價格并不差，反倒是NAND的價格還在持續(xù)滑落中。擴大價格低落的產(chǎn)品線，不是拿石頭砸自己的腳嗎？但是技術(shù)才是高科技產(chǎn)業(yè)的核心競爭力，看新聞得從這角度。3D Flash目前技術(shù)在96層，但是技術(shù)路標(biāo)的能見度已至512層－3D Flash做為高科技產(chǎn)業(yè)的技術(shù)、產(chǎn)品還可長可久，投資于此，理所當(dāng)然。

DRAM制程推進已很緩慢，目前的制程是1y，有EUV的助力，也許可以推進到1z，但是1a呢？很多人持疑。即使可以，也是投資甚鉅、所得甚微的最后努力。對于一個商業(yè)公司，最合理的是采取收割策略，少量投資，改善良率，并且利用韓國機器設(shè)備3年折舊的制度，在未來的DRAM市場持續(xù)保有價格優(yōu)勢，獲得最大利益。

DRAM自然也不會從此就從市場上消失。在CPU與NAND Flash的速度還存有巨大落差，這是目前存儲器體制(memory hierarchy)的現(xiàn)況。所以合理的情境是已有新興存儲器(emergent memories)的技術(shù)已接近成熟，可以填補這個區(qū)位，是以兩家大廠膽敢停止于DRAM的投資。從目前各新興存儲器的技術(shù)進展來看，讀寫速度都已紛紛進入10ns的目標(biāo)區(qū)，而且不需要更新電流(refresh current)，于功耗問題大有好處。這些技術(shù)也都可以3D堆疊，在每位元價格上，遲早能跟DRAM競爭。所以我的臆測是這樣的投資型態(tài)意味著新型態(tài)記體快要問世了。

另外一個附帶的小問題是：對于目前急于踏入DRAM市場競逐的新廠商，營運計劃中對這可能存在的產(chǎn)業(yè)大轉(zhuǎn)彎，你們可有plan B？