深度解析功率半導(dǎo)體器件概念及發(fā)展趨勢

前言

功率半導(dǎo)體器件在電力電子行業(yè)有著非常廣泛的應(yīng)用，是電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)元器件之一，在產(chǎn)業(yè)電子化升級過程中，越來越得到重視與應(yīng)用。

近年來，萬物互聯(lián)的呼聲越來越高，以汽車、高鐵為代表的交通工具，以光伏、風(fēng)電為代表的新能源領(lǐng)域，以手機為代表的通信設(shè)備，以電視機、洗衣機、空調(diào)、冰箱為代表的消費級產(chǎn)品，都在不斷提高電子化水平，其中又以新能源汽車的高度電子化最為引人注目；與此同時，工業(yè)、電網(wǎng)等傳統(tǒng)行業(yè)也在加速電子化進程。

幾乎全行業(yè)的電子化發(fā)展，勢必大大增加了對功率半導(dǎo)體器件的需求。目前全球的功率半導(dǎo)體器件主要由歐洲、美國、日本三個國家和地區(qū)提供，他們憑借先進的技術(shù)和生產(chǎn)制造工藝，以及領(lǐng)先的品質(zhì)管理體系，大約占據(jù)了全球70％的市場份額。

而在需求端，全球約有39％的功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)能被中國大陸所消耗，是全球最大的需求大國，但其自給率卻僅有10％，嚴重依賴進口。

另外，當(dāng)下中國大陸正尋求轉(zhuǎn)型，要將“中國制造”提升為“中國智造”，許多新技術(shù)、新應(yīng)用都走在了全球前列，如新能源汽車、風(fēng)力發(fā)電等；中國大陸還利用人工智能技術(shù)對傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)進行智能化升級。未來，中國大陸對功率半導(dǎo)體器件的需求將會越來越大；供需矛盾或?qū)⒗^續(xù)被拉大。

為確保本土電子制造業(yè)的平穩(wěn)發(fā)展，國家從資本、政策、產(chǎn)業(yè)鏈等多個維度對本土功率器件企業(yè)給予了大力支持。

值此產(chǎn)業(yè)升級的關(guān)鍵期，本報告將從市場規(guī)模、市場結(jié)構(gòu)、各主要細分市場需求以及供需格局幾個方面高度濃縮地介紹全球功率半導(dǎo)體器件的市場現(xiàn)狀。

在了解了這些信息的基礎(chǔ)上，中國大陸功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展現(xiàn)狀也就躍然紙上，進而從國產(chǎn)替代的機會點、潛力企業(yè)、短期國際環(huán)境影響等方面展開國產(chǎn)替代分析。

當(dāng)然，第三代半導(dǎo)體材料是功率半導(dǎo)體器件的未來發(fā)展方向，本報告也會就國內(nèi)外對第三代半導(dǎo)體材料的研發(fā)進度及本土產(chǎn)業(yè)鏈布局進行闡述，以期給大家最完整的信息參考。

功率半導(dǎo)體器件概述

功率半導(dǎo)體器件基本概念

功率半導(dǎo)體器件（Power Semiconductor Device）又稱電力電子器件（Power Electronic Device）。

1940年貝爾實驗室在研究雷達探測整流器時，發(fā)現(xiàn)硅存在PN結(jié)效應(yīng)，1958年美國通用電氣（GE）公司研發(fā)出世界上第一個工業(yè)用普通晶閘管，標志著電力電子技術(shù)的誕生。

從此功率半導(dǎo)體器件的研制及應(yīng)用得到了飛速發(fā)展，并快速成長為電子制造業(yè)的核心器件之一，還獨立成為電子電力學(xué)科。

作為制造業(yè)大國，功率半導(dǎo)體器件在中國大陸的工業(yè)、消費、軍事等領(lǐng)域都有著廣泛應(yīng)用，具有很高的戰(zhàn)略地位。

功率半導(dǎo)體器件分類

從發(fā)展歷程看，功率半導(dǎo)體器件先后經(jīng)歷了：全盛于六七十年代的傳統(tǒng)晶閘管、近二十年發(fā)展起來的功率MOSFET及其相關(guān)器件，以及由前兩類器件發(fā)展起來的特大功率半導(dǎo)體器件，它們分別代表了不同時期功率半導(dǎo)體器件的技術(shù)發(fā)展進程。

概括來說，功率半導(dǎo)體器件主要有功率模組、功率集成電路（即Power IC，簡寫為PIC，又稱為功率IC）和分立器件三大類；其中，功率模組是將多個分立功率半導(dǎo)體器件進行模塊化封裝；功率IC對應(yīng)將分立功率半導(dǎo)體器件與驅(qū)動/控制/保護/接口/監(jiān)測等外圍電路集成；而分立功率半導(dǎo)體器件則是功率模塊與功率IC的關(guān)鍵。

圖表1 功率半導(dǎo)體器件分類（來源：中泰證券研究所）

功率半導(dǎo)體器件又可根據(jù)對電路信號的可控程度分為全控型、半控型及不可控型；或按驅(qū)動電路信號性質(zhì)分為電壓驅(qū)動型、電流驅(qū)動型等劃分類別。

常用到的功率半導(dǎo)體器件有Power Diode（功率二極管）、SCR（晶閘管）、GTO（門極可關(guān)斷晶閘管）、GTR（大功率電力晶體管）、BJT（雙極晶體管）、MOSFET（電力場效應(yīng)晶體管）、IGBT（絕緣柵雙極晶體管）、SIT（靜電感應(yīng)晶體管）、BSIT（雙極型靜電感應(yīng)晶體管）、SITH（靜電感應(yīng)晶閘管）、MCT（MOS控制晶閘管）、IGCT（集成門極換流晶閘管）、IEGT（電子注入增強柵晶體管）、IPEM（集成電力電子模塊）、PEBB（電力電子積木）等。

圖表2 功率半導(dǎo)體器件分類方式及代表類型（來源：電力電子技術(shù)館）

不同功率半導(dǎo)體器件，其承受電壓、電流容量、阻抗能力、體積大小等特性也會不同，實際使用中，需要根據(jù)不同領(lǐng)域、不同需求來選用合適的器件。

圖表3 功率半導(dǎo)體器件比較（來源：中信證券研究部）

隨著技術(shù)的不斷進步，功率半導(dǎo)體器件在不斷演進。自上世紀80年代起，功率半導(dǎo)體器件MOSFET、IGBT和功率集成電路逐步成為了主流應(yīng)用類型。

其中IGBT經(jīng)歷了器件縱向結(jié)構(gòu)、柵極結(jié)構(gòu)以及硅片加工工藝等7次技術(shù)演進，目前可承受電壓能力從第四代的3000V躍升到了第七代的6500V，并且實現(xiàn)了高頻化（10-100kHz）應(yīng)用。

功率半導(dǎo)體器件主要應(yīng)用領(lǐng)域

作為電能/功率處理的核心器件，功率半導(dǎo)體器件主要用于電力設(shè)備的電能變換和電路控制，更是弱電控制與強電運行之間的溝通橋梁，主要作用是變頻、變壓、變流、功率放大和功率管理，對設(shè)備正常運行起到關(guān)鍵作用。

與此同時，功率半導(dǎo)體器件還具有綠色節(jié)能功能，被廣泛應(yīng)用于幾乎所有的電子制造業(yè)，目前正從傳統(tǒng)工業(yè)制造和4C產(chǎn)業(yè)向新能源、電力機車、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)展。

另外，不同的細分領(lǐng)域，對功率半導(dǎo)體器件的電壓承受能力要求也不一樣，以IGBT為例，消費電子電壓一般在600V以下，太陽能逆變器及新能源汽車要求在600V-1200V，而軌道交通要求最高，范圍在3300V-6500V之間。

圖表4 功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用及工作頻率（來源：Applied Materials）

注：IPM即智能功率模塊，常見類型有IGBT類

功率半導(dǎo)體器件材料迭代演進

半導(dǎo)體行業(yè)從誕生至今，先后經(jīng)歷了三代材料的變更歷程，截至目前，功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域仍主要采用以Si為代表的第一代半導(dǎo)體材料。

但隨著功率半導(dǎo)體器件逐漸往高壓、高頻方向發(fā)展，傳統(tǒng)的硅基功率半導(dǎo)體器件及其材料已經(jīng)接近物理極限，再往下發(fā)展的空間很有限。

而以砷化鎵（GaAs）為代表的第二代化合物半導(dǎo)體材料又存在成本高、有毒性、環(huán)境污染大等缺點，難以被采用。

于是產(chǎn)業(yè)將目光向以SiC、GaN為代表的第三代半導(dǎo)體材料聚焦，以期開發(fā)出更能適應(yīng)高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的功率半導(dǎo)體器件，目前各國仍在努力布局中。

圖表5 半導(dǎo)體材料比較（來源：電子發(fā)燒友）

功率半導(dǎo)體器件市場規(guī)模

全球市場規(guī)模

綜合Yole、IHS、Gartner多家分析機構(gòu)數(shù)據(jù)得知，包含功率模塊及功率分立器件在內(nèi)的功率半導(dǎo)體器件在2017年的全球市場規(guī)模為181.5億美元，2018年可達到187.6億美元。

其中，中國大陸功率半導(dǎo)體器件市場規(guī)模約為全球的40％；并預(yù)估2023年全球功率半導(dǎo)體器件市場規(guī)模有望達到221.5億美元規(guī)模，年復(fù)合增長率為3.38％。

圖表6全球及中國大陸功率分立器件市場規(guī)模分析（來源：Yole、IHS、Gartner、中國半導(dǎo)體協(xié)會、賽迪顧問，單位：億美元）

注：中國大陸市場規(guī)模按當(dāng)年匯率換算成美元

功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)品市場結(jié)構(gòu)

2017年，功率IC繼續(xù)占據(jù)總體市場的半壁江山；同時，在“功率模塊+器件”市場結(jié)構(gòu)中，MOSFET、二極管/整流橋、IGBT也占據(jù)了接近一半的市場份額，比例分別為17％、15％、12％。

圖表72017年全球功率半導(dǎo)體器件市場結(jié)構(gòu)（來源：Yole、IHS、Gartner）

MOSFET廠商市場份額

據(jù)IHS統(tǒng)計數(shù)據(jù)，從市場份額來看，MOSFET幾乎都集中在國際大廠手中，其中英飛凌自2015年收購美國國際整流器公司（International Rectifier）后超越富士電機一躍成為行業(yè)龍頭；安森美也在2016年9月完成對仙童半導(dǎo)體的收購后，市占率躍升至第二位。

進入2017年，英飛凌的市占率同比再提高0.3％，達到26.1％，排名前五的企業(yè)合計占據(jù)了全球62％的市場份額。

前7大廠商排名繼續(xù)保持不變，不過出現(xiàn)了兩個明顯的變量，一是新增安世半導(dǎo)體的統(tǒng)計數(shù)據(jù)，并位列全球第8名；二是本土企業(yè)士蘭微市占率提升至2.5％，位列全球第10名。

圖表82017年全球MOSFET廠商市場份額（來源：IHS）

中國大陸市場部分，根據(jù)IHS的行業(yè)報告顯示，2016年英飛凌以25.8％的比例占據(jù)第一位，前三大品牌的市占率超過了50％；而本土企業(yè)中，士蘭微和華微電子分別以1.8％、1.1％的市占率位列第11、第15位。

圖表92017年中國大陸MOSFET廠商市場份額（來源：IHS）

IGBT廠商市場份額

作為全控型功率半導(dǎo)體器件的代表，IGBT的重要性日益顯著，已成為全球工業(yè)的重要基礎(chǔ)元件。

目前全球IGBT市場結(jié)構(gòu)與MOSFET類似，主要被5大原廠所長期壟斷，排名前五的企業(yè)占據(jù)了全球超過70％的市場份額，它們在中國大陸同樣擁有超過70％的市占率。

根據(jù)賽迪智庫統(tǒng)計，2017年英飛凌全球市場份額全球最高，占比達29％；其后分別為三菱電機（19％）、富士電機（12％）、安森美（9％）、ABB（5％）。

圖表102017年IGBT全球主要供應(yīng)商市場份額（來源：賽迪智庫）

功率二極管廠商市場份額

功率二極管是中國大陸發(fā)展最好的功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，根據(jù)中國電子信息產(chǎn)業(yè)統(tǒng)計年鑒數(shù)據(jù)，2017年全球除Vishay（威世）以11.71％的市占率排名第1外，第2至第8名之間的市場份額差距均不大；又因功率二極管門檻低、毛利小，不少國際大廠正逐漸放棄該類別市場，產(chǎn)能有望向中國大陸和中國***轉(zhuǎn)移。

另外，從2014年開始，中國大陸的二極管及相關(guān)產(chǎn)品就呈現(xiàn)出出口量超過進口量的走勢；目前中國大陸功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)頭羊揚杰科技的功率二極管全球市占率已經(jīng)達到2.01％。

不過，在美國第45屆總統(tǒng)唐納德·特朗普上任后，中美兩國陷入了有史以來規(guī)模最大的貿(mào)易戰(zhàn)，嚴重影響了中國電子產(chǎn)品的出口。自2017年年底以來，中國功率二極管的出口數(shù)量已經(jīng)回落到與進口數(shù)量大致相當(dāng)。

圖表11中國二極管及類似半導(dǎo)體器件進出口情況（來源：中國電子信息產(chǎn)業(yè)統(tǒng)計年鑒，單位：百萬個）

細分行業(yè)市場規(guī)模

工業(yè)領(lǐng)域市場規(guī)模

功率半導(dǎo)體器件在占比最大的工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用非常廣泛，如數(shù)控機床的伺服電機、軋鋼機和礦山牽引、大型鼓風(fēng)機、發(fā)電系統(tǒng)等的電力電子變頻調(diào)速部分均有采用。

從ABI Research和中商產(chǎn)業(yè)研究院的統(tǒng)計數(shù)據(jù)可知，2017年全球工業(yè)半導(dǎo)體市場規(guī)模達490億美元，其中功率半導(dǎo)體器件規(guī)模大約為98億美元，占比達到20％，并以8.6％的年復(fù)合增長率繼續(xù)成長，預(yù)計到2020年，全球工業(yè)功率半導(dǎo)體市場規(guī)模有望達到125億美元。

不僅如此，功率半導(dǎo)體在工業(yè)領(lǐng)域的市場份額比重也在不斷提升，將由2016年的19.7％提升至2020年的20.8％。

圖表122016-2020年全球工業(yè)領(lǐng)域半導(dǎo)體整體市場及其功率半導(dǎo)體器件市場規(guī)模分析（來源：ABI Research、中商產(chǎn)業(yè)研究院，單位：億美元）

光伏、風(fēng)電領(lǐng)域市場規(guī)模

光伏、風(fēng)電行業(yè)已經(jīng)成為電力行業(yè)的重要補充，部分國家，如丹麥，40％的電力由風(fēng)電供應(yīng)，中國大陸近幾年可再生新能源發(fā)電量更是快速增長中根據(jù)中國光伏行業(yè)協(xié)會、CWEA統(tǒng)計，2017年全球風(fēng)電新增裝機量為59.4GW，光伏新增裝機量約為80GW，合計帶動功率半導(dǎo)體器件市場規(guī)模約為16.6億美元。

中國產(chǎn)業(yè)信息研究院推斷，預(yù)計2020年全球光伏與風(fēng)電市場將帶動功率模塊27.54億美元。其中IGBT模塊市場占比達到74％，約為20億美元。

圖表132015-2020年全球、中國大陸光伏、風(fēng)電市場分析（來源：中國光伏行業(yè)協(xié)會、CWEA）

汽車領(lǐng)域市場規(guī)模

近年來，最受關(guān)注的應(yīng)用領(lǐng)域為汽車行業(yè)，正在經(jīng)歷汽車發(fā)展史上最快的電子化轉(zhuǎn)型期，搭載電機、電池、電控的新能源汽車在汽車總產(chǎn)量中的占比由2014年的0.39％增長至2017年的1.26％，預(yù)計2020年占比有望達到4.65％。

2018年1~8月，中國大陸新能源汽車產(chǎn)銷分別完成60.7萬輛和60.1萬輛，比上年同期分別增長75.4%和88%；其中，新能源乘用車銷量占比達87%。

圖表14全球新能源汽車產(chǎn)量及在總產(chǎn)量中的占比分析（來源：搜狐、中國汽車工業(yè)協(xié)會）

結(jié)合英飛凌、中商產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)得知，2017年全球汽車半導(dǎo)體市場規(guī)模約為347.69億美元，并以3.3％的年復(fù)合增長率增長，預(yù)計到2020年，全球汽車半導(dǎo)體市場規(guī)模可擴大到383億美元。

與此同時，功率半導(dǎo)體器件市場規(guī)模也達到了58億美元，并以6.4％的增速發(fā)展，預(yù)計到2020年達到70億美元。功率半導(dǎo)體器件的增長速度幾乎是汽車半導(dǎo)體市場增速的2倍，其比重也在不斷增大，將從2014年的15.66％增加到2020年的18.27％。

圖表15全球汽車半導(dǎo)體、功率半導(dǎo)體器件市場規(guī)模分析（來源：英飛凌、中商產(chǎn)業(yè)研究院、中國汽車工業(yè)協(xié)會）

充電樁市場規(guī)模

充電樁是與新能源汽車產(chǎn)業(yè)相關(guān)的一大應(yīng)用領(lǐng)域，也是IGBT或MOSFET重要應(yīng)用高地。

現(xiàn)階段，主流直流充電樁的功率在60kw和120kw，如果采用15kw的功率模塊，則需要4個或8個功率模塊。目前充電樁的功率模塊有兩種解決方案，一是采用MOSFET芯片，另一種是采用IGBT芯片。

其中IGBT適用于1000V以上、350A以上的大功率直流快充，其成本可達充電樁總成本的20-30％；只是當(dāng)下基于充電樁功率、工作頻率、電壓、電流、性價比等綜合因素考量，MOSFET暫時成為充電樁的主流應(yīng)用功率半導(dǎo)體器件。

不過，近年新能源車采用快充方式越來越多，著眼未來，IGBT才是充電樁的最佳選擇，預(yù)計未來其將在充電樁領(lǐng)域獲得快速發(fā)展。

由于國內(nèi)外新能源汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展進度不一樣，對配套的公共充電樁、私人充電樁建設(shè)進度也不一樣，下面以全球充電樁建設(shè)規(guī)模最大的中國大陸市場為例介紹。

據(jù)信息產(chǎn)業(yè)研究院統(tǒng)計數(shù)據(jù)，截至2018年4月，中國大陸在運營公共充電樁約為262058臺，同比增長62.5%；其中交流充電樁114472臺、直流充電樁81492臺、交直流一體充電樁66094臺；另外還投建有281847臺私人充電樁，同時國家政策也在向私人充電樁傾斜，預(yù)測2020年，私人充電樁累計建設(shè)規(guī)模有望達到400萬臺。

圖表16中國大陸2015-2020年充電樁新增建設(shè)規(guī)模分析（來源：易車網(wǎng)、中國產(chǎn)業(yè)信息研究院，單位：萬臺）

目前公共充電樁制造成本約為3萬元/臺、私人充電樁約為5000元/臺，若以每臺充電樁中功率半導(dǎo)體器件成本占比為25％計算，則有，2015-2020年中國大陸充電樁功率器件新增市場規(guī)模分別為：7.8億、3.3億、6.7億、10.87億、19.79億、37.84億元。

另外，從數(shù)據(jù)中我們發(fā)現(xiàn)，2016年中國大陸因整頓新能源車企造假問題，充電樁產(chǎn)量增量大幅下滑，該年充電樁功率半導(dǎo)體器件市場增速為-56.9％，但進入2017年后，并預(yù)計到2020年，年增速不低于61％。

圖表172015-2020年充電樁功率半導(dǎo)體器件新增市場規(guī)模分析（來源：易車網(wǎng)、中國產(chǎn)業(yè)信息研究院，單位：億人民幣）

通信領(lǐng)域市場規(guī)模

通信行業(yè)同樣擁有龐大的應(yīng)用市場，細分市場主要包括路由器、交換機、通信基站、光端機、對講機等。

中國產(chǎn)業(yè)信息研究院統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，2017年全球路由器、無線路由器、交換機、光端機、通信基站的市場規(guī)模分別為：153億美元、266億美元、97.9億美元、36.6億美元、530億美元。

圖表18全球通信行業(yè)市場規(guī)模及結(jié)構(gòu)分析（來源：中國信息產(chǎn)業(yè)研究院，單位：億美元）

注：本圖表不含通信衛(wèi)星領(lǐng)域市場規(guī)模

以2017年通信領(lǐng)域功率半導(dǎo)體器件占整體15％的比例計算，2017-2020年通信領(lǐng)域功率半導(dǎo)體器件市場規(guī)模將分別為57.45億美元、59.39億美元、62.44億美元、65.96億美元。其中，基站向5G升級將會成為通信設(shè)備功率半導(dǎo)體器件用量增加的最大變動因素。

圖表192017-2020年通信領(lǐng)域功率半導(dǎo)體器件市場規(guī)模分析（來源：中國信息產(chǎn)業(yè)研究院、英飛凌，單位：億美元）

消費領(lǐng)域市場規(guī)模

消費類電子也是功率半導(dǎo)體器件的消費重地，由于消費電子產(chǎn)品類型非常多，包括電視機、電腦、冰箱、收/錄機、數(shù)碼像機、手機、平板電腦、平衡車、空調(diào)、照明等產(chǎn)品，因此消費類電子產(chǎn)品對功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用類型也各不一樣，一般以600V以內(nèi)的產(chǎn)品為主，其中0-40V低耐壓功率半導(dǎo)體器件是使用量最為龐大的類別產(chǎn)品。

另外，新興的無線充電等科技產(chǎn)品雖然比較分散，但數(shù)量也比較可觀，由此也是功率半導(dǎo)體器件不可忽略的消耗大戶。

圖表20不同中低壓耐壓范圍功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用領(lǐng)域（來源：百度文庫）

根據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，2017年消費類電子行業(yè)功率半導(dǎo)體器件市場規(guī)模為19.6億美元，占全球總體市場份額的20％左右。預(yù)計到2020年，全球消費類電子行業(yè)功率半導(dǎo)體器件市場規(guī)模將達到23億美元。

圖表21 2017-2020年全球消費類功率半導(dǎo)體器件市場規(guī)模分析（來源：中商產(chǎn)業(yè)研究院，單位：億美元）

功率半導(dǎo)體器件供需格局

限于技術(shù)實力、電子制造行業(yè)需求的不同，全球功率半導(dǎo)體器件的供需呈現(xiàn)出了非常明顯的特點。

歐美日牢牢掌控并領(lǐng)導(dǎo)著全球功率半導(dǎo)體器件技術(shù)與市場的走向；即便在全球半導(dǎo)體市場有很強影響力的中國***，在功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域也存在諸多不足。

而中國大陸無論技術(shù)還是產(chǎn)能更是落后，與之相對應(yīng)的是，作為世界工廠，其需求卻領(lǐng)銜全球，呈現(xiàn)出巨大的供需缺口，功率半導(dǎo)體器件主要依賴進口來滿足。下面進行具體分析。

主要供應(yīng)國家/地區(qū)分布

全球功率半導(dǎo)體產(chǎn)能主要集中在歐洲、美國、日本三個國家和地區(qū)，擁有先進的技術(shù)和生產(chǎn)制造工藝，品質(zhì)管理也領(lǐng)先其他國家和地區(qū)，是IGBT、中高壓MOSFET等高端器件的主要提供方，長期占據(jù)全球70％的市場份額。

其次是中國***地區(qū)，從代工起步，目前技術(shù)水平較歐、美、日仍有差距，大約占據(jù)全球10％的市場份額。

最后是中國大陸，處于功率半導(dǎo)體器件供應(yīng)鏈末端，以提供二極管、晶閘管、低壓MOSFET等低端功率半導(dǎo)體器件為主；用于生產(chǎn)、制造的設(shè)備也需要從國外進口，整體實力還比較弱。

圖表22 2017年全球功率半導(dǎo)體器件主要產(chǎn)地市場份額分析（來源：東興證券研究院）

全球銷售國家/地區(qū)分布

與供應(yīng)不同的是，在銷售端，全球最大的功率半導(dǎo)體器件消費地在中國大陸。

根據(jù)Yole和中國半導(dǎo)體協(xié)會數(shù)據(jù)顯示，2017年中國大陸功率半導(dǎo)體器件銷售額達2170億元人民幣，同比增長3.93％，約占據(jù)全球市場份額的39％，其次才是歐洲地區(qū)的18％；另外，美國和日本的銷售額占比差不多，分別為8％、6％。

圖表23 2017年全球功率半導(dǎo)體器件銷售額占比分析（來源：Yole，中泰證券研究院）

需要說明的是，中國大陸已經(jīng)成為國際功率半導(dǎo)體器件龍頭企業(yè)的重要銷售市場，甚至是它們在全球的最大市場，比如英飛凌、達爾、恩智浦等知名企業(yè)。

圖表242016-2017年度中國大陸市場3大功率半導(dǎo)體器件廠家營收比重分析（來源：產(chǎn)業(yè)信息研究院）

原廠特點及分布

與很多邏輯、存儲半導(dǎo)體廠家不同，功率半導(dǎo)體器件原廠基本都具備完整的晶圓廠、芯片制造廠、封裝廠等產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)，尤其是幾家龍頭企業(yè)，均為IDM（整合組件制造商Integrated Design and Manufacture的英文縮寫）模式，如英飛凌、安森美、羅姆等，無需代工就可獨立執(zhí)行產(chǎn)品制造的全部流程，利于成本的控制和對工藝及品控的改進。

圖表25 全球功率半導(dǎo)體IDM企業(yè)（來源：中泰證券研究所）

全產(chǎn)業(yè)鏈布局，除了需要技術(shù)外，還需要充足的資金支持，但行業(yè)內(nèi)很多企業(yè)無法承擔(dān)高成本風(fēng)險，于是也衍生出了專門的功率半導(dǎo)體器件設(shè)計企業(yè)，需要借助臺積電/聯(lián)電/中芯國際等代工廠、長電科技/***日月光等封裝企業(yè)來輔助完成制造。

當(dāng)然，相比IDM功率半導(dǎo)體器件企業(yè)的規(guī)模來說，這部分廠家的產(chǎn)能及產(chǎn)值占比較小。

圖表26 全球功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈情況（來源：中泰證券研究所）

從地域分布來看，歐洲、美國、日本的功率半導(dǎo)體器件廠家多采用IDM模式，中國大陸也基本為IDM廠家，唯獨中國***以Fabless為主。

圖表27 功率半導(dǎo)體器件主要產(chǎn)地產(chǎn)業(yè)鏈模式及優(yōu)勢分析（來源：樂晴智庫）

功率半導(dǎo)體器件企業(yè)的分布相對來說較為集中，英飛凌、意法半導(dǎo)體、賽米控等不僅是歐洲的代表企業(yè)，更在全球名列前茅；美國則有安森美、IR、凌力爾特等為其揚名立萬；日本也是功率半導(dǎo)體器件的主要玩家，瑞薩、東芝、富士電機、羅姆聞名全球。

中國***和韓國也有不少功率半導(dǎo)體器件企業(yè)，不過相對來說，他們的影響力較為有限。

作為需求大國，中國大陸也早已對功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進行布局，但發(fā)展至今，本土品牌的話語權(quán)仍較低，以IGBT為例，活躍于中國大陸的一線品牌為賽米控、EUPEC（優(yōu)派，英飛凌子公司）、三菱電機、三墾電氣、仙童半導(dǎo)體等以歐洲品牌為主導(dǎo)的歐美日公司。

二線品牌則以日企主導(dǎo)的歐美日梯隊，如富士電機、IR、東芝、艾賽斯、意法半導(dǎo)體等；第三梯隊才是中國大陸的本土企業(yè)，如南車、華微電子、中環(huán)股份、無錫鳳凰等。

圖表28各國家/地區(qū)主要功率半導(dǎo)體器件代表企業(yè)（來源：芯師爺研究院整理）

產(chǎn)業(yè)高度集中于國際大廠

功率半導(dǎo)體器件是一個規(guī)模高度集中的行業(yè)，根據(jù)IHS的分析，2017年全球前10大廠商清一色為歐美日企業(yè)，供應(yīng)規(guī)模占比達到了全球的60％以上，其中英飛凌（18.5％）、安森美（9.2％）、意法半導(dǎo)體（5.3％）分別位列第一、二、三位。

雖然歐洲的企業(yè)數(shù)量沒有美、日兩國多，但幾乎都是行業(yè)內(nèi)有著重大影響力的企業(yè)，尤其是英飛凌，雄霸功率半導(dǎo)體器件市場榜首，市占率是排在第二位安森美的2倍。

圖表292017年前十功率半導(dǎo)體器件企業(yè)市場占有率分析（來源：IHS）

中國大陸企業(yè)受起步晚、技術(shù)水平較低、產(chǎn)品線不齊全、企業(yè)規(guī)模小等因素制約，目前還處于追趕階段。

2016年建廣資產(chǎn)以27.5億美元收購恩智浦（NXP）標準件業(yè)務(wù)并獨立為安世半導(dǎo)體（Nexperia），建廣資產(chǎn)也由此成為了中國大陸半導(dǎo)體業(yè)規(guī)模最大且利潤最高的IDM（垂直一體化）企業(yè)，并成為中國大陸功率半導(dǎo)體器件的重要支柱，致力于填補國內(nèi)汽車、工業(yè)IC領(lǐng)域的空白。

而吉林華微作為中國大陸功率半導(dǎo)體器件排名第一的企業(yè)，2017年其與行業(yè)龍頭英飛凌的差距，僅營收一項就達34倍以上，差距仍然非常明顯。

圖表302017年中國大陸功率半導(dǎo)體器件十強企業(yè)排名（來源：中國半導(dǎo)體協(xié)會）

國產(chǎn)替代可行性

國產(chǎn)替代機會點

目前，中國大陸在功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域幾乎處于全產(chǎn)業(yè)鏈落后的被動局面，包含國際大廠產(chǎn)能在內(nèi)的國內(nèi)市場自給率大約只有10％，而由本土企業(yè)貢獻的份額甚至只有5％，這其中還包括了功率二極管等本土最具優(yōu)勢的中低端器件，其余產(chǎn)品供應(yīng)主要依賴進口實現(xiàn)。

圖表312017年中國大陸功率半導(dǎo)體器件自給率分析（來源：樂晴智庫）

與活躍于中國大陸的國際功率半導(dǎo)體器件廠商相比，本土企業(yè)優(yōu)勢不明顯，如消費領(lǐng)域為西門康、仙童半導(dǎo)體的天下；中等電壓的工業(yè)級市場基本被ABB、英飛凌、三菱電機所把持；而在3300V以上高電壓領(lǐng)域，更是被英飛凌、ABB、三菱電機三家所壟斷；在大功率溝槽技術(shù)方面，也為英飛凌、三菱電機馬首是瞻。

而在新材料技術(shù)方面，國際龍頭的研發(fā)都比較早，如豐田早在上世紀80年代就開始進行SiC等第三代半導(dǎo)體材料研發(fā)，Cree、三菱也在上世紀90年代就初就取得了SiC成果，這些企業(yè)在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)積累，領(lǐng)先中國大陸20-30年，造成了目前本土企業(yè)突圍困難的局面。

但這不是說本土企業(yè)就沒有機會。中國大陸是世界上產(chǎn)業(yè)鏈最齊全的經(jīng)濟活躍區(qū)，在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，同樣活躍著一群本土制造商，目前已基本完成了產(chǎn)業(yè)鏈的布局，且正處于快速發(fā)展當(dāng)中。雖然短期內(nèi)仍與國際龍頭存在非常大的技術(shù)差距，但在他們的努力下，已在中低端領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了部分國產(chǎn)替代。

分析認為，本土企業(yè)在用量最大的0-40V低壓領(lǐng)域的替代機會最大；同時在400-6500V的高壓領(lǐng)域開始有了本土企業(yè)的聲音；但在40-100V、100-400V應(yīng)用較多的中間領(lǐng)域，本土企業(yè)還在努力爭取擠進世界前15大企業(yè)排名中；呈現(xiàn)出先發(fā)展兩極，再向中間包圍的態(tài)勢。

圖表32功率半導(dǎo)體市場格局及國產(chǎn)化替換機會分析（來源：中信證券研究部、中泰證券研究所）

本土國產(chǎn)替代潛力企業(yè)

從行業(yè)走勢看，由于國際大廠漸漸往新能源汽車等高端領(lǐng)域發(fā)展，對低端市場的投入將會逐漸下降，給了中國大陸本土功率半導(dǎo)體器件企業(yè)良好的替代發(fā)展機會；并在眾多領(lǐng)域開始展現(xiàn)多點開花的良好形勢，如耕耘MOSFET的華微、揚杰、士蘭微，精于IGBT的嘉興斯達、中國中車、比亞迪、士蘭微，在SiC領(lǐng)域有所建樹的北京泰科天潤等企業(yè)。

圖表33中國大陸主要功率半導(dǎo)體器件廠家主營業(yè)務(wù)及市場地位分析（來源：WIND）

以本土車企比亞迪為例介紹，2018年9月，比亞迪第一次對外宣布其新能源汽車采用了自主研發(fā)的IGBT功率半導(dǎo)體器件。

截至2018年11月，比亞迪在該領(lǐng)域累計申請IGBT相關(guān)專利175件，其中授權(quán)專利114件。其實比亞迪早已經(jīng)在秦、唐等多個新能源車型中采用自主研發(fā)的IGBT模塊。截至目前，比亞迪車用IGBT裝車量已累計超過60萬只。

不僅如此，比亞迪還對性能更優(yōu)異的第三代半導(dǎo)體材料SiC（碳化硅）投入巨資，并成功研發(fā)了SiC MOSFET，有望于2019年推出搭載SiC電控的電動車。預(yù)計到2023年，比亞迪旗下的電動車將全面搭載SiC電控。

圖表34比亞迪自主研發(fā)的IGBT模塊（來源：騰訊網(wǎng)）

大環(huán)境對國產(chǎn)替代的影響

目前，影響功率半導(dǎo)體器件價格走勢的最大因素為中美貿(mào)易戰(zhàn)，持續(xù)至今，對中國大陸電子產(chǎn)品及出口貿(mào)易的不利影響日益顯現(xiàn)。目前美國仍掌控著大約5000億美元關(guān)稅的主動權(quán)，如果其在進入2019年后對這部分進口產(chǎn)品關(guān)稅全部提升至25％，將會加劇中國大陸電子制造業(yè)的低迷走勢。

與此同時，美國對華頻頻采取禁運措施，嚴重依賴進口的中國大陸功率半導(dǎo)體器件市場將受此影響，產(chǎn)品供給得不到穩(wěn)定保證。

中美貿(mào)易戰(zhàn)還會對中國大陸全產(chǎn)業(yè)鏈水平的持續(xù)提升產(chǎn)生影響，尤其是在制造設(shè)備和材料方面表現(xiàn)得最為明顯。

目前本土設(shè)備供應(yīng)商并不能提供所需的所有設(shè)備，部分設(shè)備的技術(shù)水平距離國際先進水平還有不少差距，如國產(chǎn)設(shè)備芯片焊接空洞率高達20%-50%，而德國的真空焊接機可將空洞率控制低于1%。

即便可以通過國際采購也只能解決部分問題，不少設(shè)備很難采購得到，往往需要付出高昂代價，如薄片加工設(shè)備；更有甚者，部分設(shè)備被禁止進口，如日本的表面噴砂設(shè)備等。

中美貿(mào)易戰(zhàn)的持續(xù)，不利于中國大陸功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)的國產(chǎn)替代發(fā)展。

市場缺貨有助于國產(chǎn)替代

由于國際功率半導(dǎo)體器件大廠近年尋求向新能源領(lǐng)域產(chǎn)品升級，又對原有產(chǎn)能的擴產(chǎn)計劃異常謹慎，使得原有產(chǎn)能無法應(yīng)對新增需求。

直到2018年5月，英飛凌才在奧地利菲拉赫投入16億歐元建300毫米芯片工廠，這是近年來功率半導(dǎo)體器件大廠的最大動作，不過該項目投產(chǎn)時間最快要到2021年初；另外，羅姆也在日本計劃投建新廠房來強化SiC功率元器件產(chǎn)能，但該項目基建至少要到2020年才能建成；擴產(chǎn)計劃對當(dāng)下缺貨問題并無幫助。

而汽車、高鐵、動車、物聯(lián)網(wǎng)以及智能手機等領(lǐng)域又在持續(xù)發(fā)展中，尤其是新能源汽車，對功率半導(dǎo)體器件的需求量逐年快速上漲，導(dǎo)致了市面庫存緊張。

另外指紋識別IC、雙攝芯片與第三代身份證IC等產(chǎn)品又不斷擠占原有的8英寸、6英寸產(chǎn)能，導(dǎo)致用于MOSFET等功率半導(dǎo)體器件生產(chǎn)的晶圓產(chǎn)能萎縮；更為重要的是，不少8英寸晶圓廠開始轉(zhuǎn)向利潤更高的12英寸晶圓制造，加劇了功率半導(dǎo)體器件的可用晶圓的短缺。

中國大陸目前公開的19個擴建產(chǎn)能項目中，僅有5個新工廠是針對8英寸晶圓制造，其中明確用于功率半導(dǎo)體器件生產(chǎn)的工廠并不多，僅有萬國半導(dǎo)體重慶廠、華潤微電子重慶廠等少數(shù)幾家。

圖表35中國大陸晶圓廠新產(chǎn)能建設(shè)規(guī)劃情況（來源：ittbank，安信證券研究中心）

在2018年3月左右，功率半導(dǎo)體器件同比漲幅普遍在15%-20%區(qū)間，其中高壓MOSFET市場缺口最大，達到了30％。此后供需矛盾持續(xù)緊張，截至2018年第三季度，以MOSFET為首的功率半導(dǎo)體器件出現(xiàn)了罕見的價格連續(xù)3個季度調(diào)漲情況。

由此，功率半導(dǎo)體器件成為了繼MLCC等被動元件之后，大幅漲價的半導(dǎo)體器件；與之相伴而來的是，交貨周期一再延長，并致使主要功率器件原廠2019年上半年產(chǎn)能都被預(yù)訂完。

圖表362018年上半年低壓（上圖）、高壓（下圖）MOSFET交貨周期情況（來源：ittbank、中泰證券研究所）

直至2018年10月，功率半導(dǎo)體器件才收住了漲價勢頭；不過2019年1月，合晶打響了2019年硅晶圓漲價第一槍，給功率半導(dǎo)體器件2019年的價格走勢再次蒙上了一層陰影。

與此同時，在新能源汽車上使用的車規(guī)級IGBT的延期情況仍未得到有效解決。據(jù)全球知名分銷商富昌電子統(tǒng)計，2018年，應(yīng)用于新能源汽車的IGBT模塊的交貨周期最長已經(jīng)達到52周（IGBT的交貨周期正常情況下為8-12周）。

而2018-2022年全球新能源汽車產(chǎn)量年復(fù)合增長率超過30%，但同期車規(guī)級IGBT產(chǎn)量的年復(fù)合增長率僅為15.7%（IGBT產(chǎn)業(yè)整體同期增長率為10.69%）。由此可見，車規(guī)級IGBT未來仍將繼續(xù)面臨交期延長問題。

本土功率半導(dǎo)體器件企業(yè)將可繼續(xù)借助市場缺貨行情獲得巨大的成長機會。

與國際大廠一樣，本土企業(yè)的擴產(chǎn)計劃也處置得很謹慎，不過本土企業(yè)于2015-2016年間實施的產(chǎn)能擴產(chǎn)工程，幾乎都在本輪漲價過程中得以順利投產(chǎn)，并加快了企業(yè)業(yè)績的增長勢頭。

如揚杰科技的4寸線、6寸線擴產(chǎn)項目如期投產(chǎn)并實現(xiàn)產(chǎn)能釋放，其在2018年上半年業(yè)績同比增長了27.75%，第三季度再度同比增長24.93%；華微電子的利潤率更是一路走強，自進入2017年以來，凈利潤率同比增速基本都維持在40％以上。

同時，本土企業(yè)的產(chǎn)能利用率也得到了良好提升。

圖表37本土4大功率半導(dǎo)體器件企業(yè)2015-2018年上半年營收情況（來源：企業(yè)財報，單位：億人民幣）

在借助行業(yè)良好勢頭，本土企業(yè)擴產(chǎn)計劃也將陸續(xù)出臺。

華微電子正在進行的新型電力電子器件基地項目（二期）建設(shè)正在如火如荼進行中，建成后將成為大陸本土首家以新能源領(lǐng)域功率半導(dǎo)體芯片制造為核心、規(guī)模最大的八英寸生產(chǎn)線；該項目有望打破市場格局，享受進口替代紅利，華微電子也將借此具備加工8英寸芯片產(chǎn)能24萬片/年的能力。

本土IGBT龍頭企業(yè)嘉興斯達，在2018年上半年產(chǎn)銷率已達到97％，基本達到了產(chǎn)銷平衡；目前正計劃擴建新產(chǎn)線，用于IPM模塊生產(chǎn)，新增產(chǎn)能計劃為700萬個/年。

另外，捷捷半導(dǎo)體也在計劃投建四條生產(chǎn)線及三條新產(chǎn)品研發(fā)線，一個產(chǎn)品性能檢測和試驗站，預(yù)計可形成年產(chǎn)90萬片半導(dǎo)體分立器件芯片及11.48億只半導(dǎo)體分立器件生產(chǎn)能力。

不僅如此，本土企業(yè)還發(fā)力技術(shù)、人才及產(chǎn)業(yè)鏈布局，靜待破發(fā)時機。如揚杰科技一方面控股宜興杰芯，進行6寸產(chǎn)線、8寸產(chǎn)線技術(shù)及人才儲備；另一方面收購成都青洋電子，以獲得穩(wěn)定外延片供應(yīng)；同時加大第三代半導(dǎo)體SiC的技術(shù)儲備與產(chǎn)品開發(fā)工作。

第三代硅基材料發(fā)展現(xiàn)狀

傳統(tǒng)的硅基功率半導(dǎo)體器件及其材料已經(jīng)滿足不了當(dāng)下行業(yè)對高頻、高溫、高功率、高能效、耐惡劣環(huán)境及小型化功率半導(dǎo)體器件發(fā)展需求，且每取得一次突破都要付出高昂的代價。

于是人們的目光轉(zhuǎn)向了以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體材料，它們具有禁帶寬、擊穿電場強度高、飽和電子遷移率高、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強等優(yōu)點，結(jié)合卓越的開關(guān)性能、溫度穩(wěn)定性和低電磁干擾（EMI），更適用于如太陽能逆變器、電源、電動汽車和工業(yè)動力等下一代電源轉(zhuǎn)換。

圖表38SiC、GaN相比于傳統(tǒng)材料性能更優(yōu)（來源：中泰證券研究所）

碳化硅（SiC）現(xiàn)狀及前景

目前碳化硅器件定位于功率在1kw-500kw的應(yīng)用，工作頻率在10Khz-10Mhz之間的場景，特別是一些對能量效率和空間尺寸要求較高的應(yīng)用，如電動汽車充電裝置、電動汽車動力總成、光伏微型逆變器領(lǐng)域等應(yīng)用。

隨著技術(shù)缺陷不斷得到補足，以及規(guī)?；a(chǎn)，SiC的成本正在不斷下降，如從2012-2015年3年中，SiC器件價格就下降了35-50％。

而隨著汽車、工業(yè)領(lǐng)域的規(guī)模化應(yīng)用，雖然單個碳化硅器件的成本仍高于傳統(tǒng)Si基產(chǎn)品數(shù)倍，但SiC憑借其產(chǎn)品特性，大幅下降外圍器件成本，使得整體成本與Si基方案的差距已經(jīng)縮小到可接受范圍。

如單個60kw碳化硅功率模塊的BOM（物料清單）成本在732美元，而相應(yīng)的硅基IGBT功率模塊的BOM成本約為458美元，碳化硅功率系統(tǒng)已成本降低至硅基功率系統(tǒng)成本的159.8%。隨著成本進一步下降，未來SiC器件的替代將會加速。

圖表39SiC器件單價走勢分析（來源：中國產(chǎn)業(yè)信息研究院）

從全球角度看，目前SiC的技術(shù)和市場都被國際企業(yè)所壟斷，主要為Infineon、Cree和Rohm，而且他們已經(jīng)形成了產(chǎn)品體系。

英飛凌公司最早在2001年推出SiC肖特基二極管。

羅姆于2008年收購生產(chǎn)SiC晶圓的德國SiCrystal公司后，形成了從晶圓制造、前期工序、后期工序再到功率模塊的一條龍生產(chǎn)體系，并率先量產(chǎn)SiC器件。

Cree在2002年推出首款商業(yè)化600V SiC肖特基二極管，并于2011年發(fā)布工業(yè)用SiC MOSFET。

這三家企業(yè)目前約占據(jù)了90％的SiC市場份額，處于三足鼎立的龍頭地位。此外，意法半導(dǎo)體、豐田也在積極進行SiC布局。

與國際大廠相比，中國大陸的碳化硅功率半導(dǎo)體器件研發(fā)起步晚，于20世紀末才開始重視SiC的開發(fā)，在技術(shù)上仍有很大差距。

不過截至2018年，中國大陸的SiC已經(jīng)形成了相對完整的產(chǎn)業(yè)鏈，比如，泰科天潤研發(fā)的碳化硅肖特基二極管產(chǎn)品已于2014年成功量產(chǎn)，產(chǎn)品涵蓋600V-3300V等中高壓范圍，產(chǎn)品成品率達到國際先進水平；華天恒芯已經(jīng)具備量產(chǎn)650V/1200V/1700V SiC肖特基二極管的能力；嘉興思達、揚杰科技、三安光電等公司也在積極布局SiC功率半導(dǎo)體器件。

圖表40國內(nèi)外碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈代表企業(yè)一覽表（來源：中國產(chǎn)業(yè)信息研究院、創(chuàng)頭條）

氮化鎵（GaN）現(xiàn)狀及前景

與適用于中大功率的SiC相比，GaN的方向是中小功率，因此GaN成為緊隨SiC的第三代半導(dǎo)體材料。

國際上，住友電工、日立電線、古河機械金屬和三菱化學(xué)等日本公司已可以出售標準2-3英寸HVPE制備的GaN襯底，具備4英寸襯底的小批量供應(yīng)能力。

6英寸制備600V以上電力電子器件的Si上GaN外延材料則由美國Nitronex、德國Azzuro和日本企業(yè)提供；目前已推出耐壓650V及以下系列Si基GaN功率半導(dǎo)體器件，主要應(yīng)用于服務(wù)器電源（PFC）、車載充電、光伏逆變器等，美國Navitas、美國Dialog均為此類供應(yīng)商。

GaN微波射頻器件目前主要用于遠距離信號傳輸和高功率級別，如雷達、移動基站、衛(wèi)星通信、電子戰(zhàn)等，主要玩家有東芝、三星等。

而中國大陸，在國家多項科研計劃的扶持下，已經(jīng)大幅縮小了與國際的技術(shù)差距，并取得了不少成就，如中電13所已形成系列化GaN微波功率半導(dǎo)體器件和MMIC產(chǎn)品，已獲得華為、中興用于基站研發(fā)；蘇州納維、東莞中鎵具備2-4英寸GaN單晶襯底材料的供貨能力。

蘇州能訊、蘇州晶湛、江蘇能華、杭州士蘭微、江蘇華功半導(dǎo)體均已進入布局GaN電力電子材料和器件；三安光電也已建設(shè)GaN射頻器件工藝線；海特高新通過其子公司海威華芯開始建設(shè)6英寸的第二代/第三代半導(dǎo)體集成電路芯片生產(chǎn)線，氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體芯片（6寸）項目建設(shè)規(guī)模為30000片/年。

2018年11月，聚力成半導(dǎo)體（重慶）有限公司奠基儀式在大足高新區(qū)舉行，該項目以研發(fā)、生產(chǎn)全球半導(dǎo)體領(lǐng)域前沿的氮化鎵外延片、芯片為主，計劃在12個月內(nèi)完成一期廠房建設(shè)并開始試生產(chǎn)；該項目同時是聚力成在中國大陸的第一個生產(chǎn)、研發(fā)基地，將有望打破德國、日本、美國對GaN的壟斷局面。

該項目建成后，可為高鐵、新能源汽車、5G通訊、雷達、機器人等行業(yè)的電力控制系統(tǒng)和通訊系統(tǒng)的核心部件提供大量的氮化鎵高功率半導(dǎo)體和高射頻半導(dǎo)部件。

圖表41國內(nèi)外氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)鏈代表企業(yè)一覽表（來源：材料深一度）

中國大陸第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展計劃

鑒于本土與國際在第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域存在的巨大差距，在2016-2017年2年時間里，中國大陸以中央政府為主導(dǎo)，聯(lián)合各地方政府集中出臺了近30個第三代半導(dǎo)體材料相關(guān)政策，并分2批部署了11個研究方向。

進入2018年，則轉(zhuǎn)由地方政府為主導(dǎo)，對第三代半導(dǎo)體材料的發(fā)展進行具體推動及落實。

圖表422016-2018年中國大陸第三代半導(dǎo)體材料相關(guān)支持政策（來源：CASA，中信證券研究部）

在應(yīng)用端，中國大陸半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)是全球最大的半導(dǎo)體照明產(chǎn)品生產(chǎn)和出口地，成為中國大陸第三代半導(dǎo)體材料成功產(chǎn)業(yè)化的第一個突破口。

以大基金入股三安光電/士蘭微、安世半導(dǎo)體本土化為標志，目前中國大陸已開始圍繞長三角、珠三角、環(huán)渤海經(jīng)濟圈及閩贛地區(qū)開展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)布局，其中珠三角地區(qū)是中國大陸LED封裝企業(yè)最集中、封裝產(chǎn)業(yè)規(guī)模最大的地區(qū)，企業(yè)數(shù)量約占全國一半左右。

全球第三代半導(dǎo)體材料市場規(guī)模

根據(jù)Yole的統(tǒng)計，2017年全球SiC模組市場為2.8億美元，GaN模組的市場規(guī)模約為4000萬美元左右；結(jié)合時下國內(nèi)外發(fā)展情況，芯師爺研究院預(yù)測，至2020年，全球SiC模組市場將達7.8億美元，GaN的模組市場規(guī)模也將擴大到1.1億美元左右。

圖表43全球SiC、GaN模組市場規(guī)模及增速分析（來源：Yole，單位：百萬美元）

小結(jié)

由于第三代半導(dǎo)體材料及其制作的各種器件的優(yōu)越性、實用性和戰(zhàn)略性，未來，由SiC和GaN材料制成的半導(dǎo)體功率器件將支撐起當(dāng)今節(jié)能技術(shù)的發(fā)展趨勢，成為節(jié)能設(shè)備最核心的器件，許多發(fā)達國家已將第三代半導(dǎo)體材料列入國家計劃，全面部署，竭力搶占戰(zhàn)略制高點。

根據(jù)發(fā)展目標，2018~2020年間，中國大陸將完成第三代半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)建設(shè)，進行產(chǎn)業(yè)鏈的完善、核心裝備研發(fā)、核心工藝開發(fā)、開發(fā)基礎(chǔ)器件并開始示范應(yīng)用等。

但由于中國大陸開展SiC、GaN材料和器件方面的研究工作比較晚，與國外相比水平較低，在SiC和GaN材料的制備與質(zhì)量等方面仍有較多亟待破解的問題。

目前看，阻礙中國大陸第三代半導(dǎo)體研究進展的重要因素是原始創(chuàng)新問題。借助功率器件產(chǎn)業(yè)的國產(chǎn)替代，或?qū)⒛茏屩袊箨懺趯嵺`應(yīng)用中，更利于獲得更多有利于第三代半導(dǎo)體材料研發(fā)的原始創(chuàng)新專利。