深圳市致知行科技有限公司文章

• 2021年度最佳FPGA芯片-EQ6HL130原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列XC6SLX1502022-03-01 01:10

  

  EQ6HL130原位完美替換XILINX/賽靈思SPARTAN6系列：EQ6HL130-FG484PINtoPINXC6SLX25EQ6HL130-CSG484、FG484、FG676PINtoPINXC6SLX45EQ6HL130-CSG484、FG484、FG676PINtoPINXC6SLX75EQ6HL130-CSG484、FG484、FG676PI

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• 9.6.10 鋁靶∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》2022-03-01 01:07

  

  AluminumTarget撰稿人：寧波江豐電子材料股份有限公司姚力軍http://www.kfmic.com審稿人：浙江大學(xué)馬向陽(yáng)https://www.zju.edu.cn9.6工藝輔助材料第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)鏈接：8.8.10化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)（CMP）∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切

  集成電路 437瀏覽量

• EQ6HL45高性價(jià)比低功耗425萬(wàn)門(mén)級(jí)FPGA原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列FPGA2022-02-28 01:10

  

  EQ6HL45原位完美替換XILINX/賽靈思SPARTAN6系列：EQ6HL45-CSG225PtPXC6SLX4EQ6HL45-CSG225、FT(G)256、CSG324PtPXC6SLX9EQ6HL45-CSG225、FT(G)256、CSG324PtPXC6SLX16EQ6HL45-FT(G)256、CSG324PtPXC6SLX25EQ6HL45

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• 8.2.7 DMOSFET的先進(jìn)設(shè)計(jì)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》2022-02-28 01:08

  

  8.2.7DMOSFET的先進(jìn)設(shè)計(jì)8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：8.2.6功率MOSFET的實(shí)施：DMOSFET和UMOSFET8.2.5比通態(tài)電阻∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》8.2.4飽和漏極電壓∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表

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• 9.6.9 摻雜試劑∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》2022-02-28 01:07

  

  DopingReagents撰稿人：安集微電子科技(上海)股份有限公司陳東強(qiáng)http://page.anjimicro.com審稿人：浙江大學(xué)余學(xué)功https://www.zju.edu.cn9.6工藝輔助材料第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)鏈接：8.8.10化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)（CMP）∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶

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• FPGA.EQ6GL9小型低功耗百萬(wàn)門(mén)級(jí)FPGA替換XILINX/賽靈思：XC6SLX4、XC6SLX92022-02-27 01:09

  

  EQ6GL9可替換器件：XILINX/賽靈思：XC6SLX4、XC6SLX9Altera：EP4CE6、EP4CE10Lattice：iCE40LP/HX/LM家族、iCE40Ultra/UltraLite家族、iCE40UltraPlus家族全型號(hào)器件神針6GodNeedle6家族EQ6GL9型FPGA：有效系統(tǒng)門(mén)容量達(dá)到92萬(wàn)門(mén)；芯核電壓1.1V，I/O

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• 8.2.6 功率MOSFET 的實(shí)施：DMOSFET和UMOSFET∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》2022-02-27 01:08

  

  8.2.6功率MOSFET的實(shí)施：DMOSFET和UMOSFET8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：8.2.5比通態(tài)電阻∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》8.2.4飽和漏極電壓∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》8.2.3MOSF

  MOSFET 1545瀏覽量

• 9.6.8 化學(xué)機(jī)械拋光墊和化學(xué)機(jī)械修整盤(pán)∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》2022-02-27 01:07

  

  ChemicalMechanicalPolishingPadandConditioningDisc撰稿人：安集微電子科技(上海)股份有限公司王淑敏http://page.anjimicro.com審稿人：浙江大學(xué)余學(xué)功https://www.zju.edu.cn9.6工藝輔助材料第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)鏈接：8.8.10化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)（

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• FPGA.AG1KLPQ48 替代Lattice ICE5LP1K2022-02-26 01:09

  

  AG256SL100PINtoPINEMP240T100CxNAG256SL100PINtoPINEMP240T100IxNAG1280Q48替代AlteraEPM1270AG1KLPQ48替代LatticeICE5LP1KFPGAfamilydevice-AG1Kisultra-lowcostandpowerwithaslowas50uAstandbycu

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• 8.2.5 比通態(tài)電阻∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》2022-02-26 01:08

  

  8.2.5比通態(tài)電阻8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：8.2.4飽和漏極電壓∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》8.2.3MOSFET電流-電壓關(guān)系∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》8.2.2分裂準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)的MOS靜電學(xué)∈《碳化

  電阻 617瀏覽量