深圳市致知行科技有限公司文章

• ９.２.２　阻斷電壓∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》2022-03-22 03:01

  

  ９.２.２阻斷電壓壓關(guān)系９.２絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）第９章雙極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線：1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說(shuō)明2、國(guó)產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義3、國(guó)產(chǎn)FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國(guó)科微GK

  電壓 292瀏覽量

• 10.1.5 負(fù)柵電容晶體管∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》2022-03-22 01:05

  

  NegativeCapativeMOSFET(NC-MOSFET)審稿人：北京大學(xué)蔡一茂喻志臻https://www.pku.edu.cn審稿人：北京大學(xué)張興10.1非傳統(tǒng)新結(jié)構(gòu)器件第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)‍‍‍‍‍‍‍‍代理產(chǎn)品線：1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說(shuō)明2、國(guó)產(chǎn)MCUPtPSTM

  晶體管 330瀏覽量

• ９.２.１　電流-電壓關(guān)系∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》2022-03-21 01:05

  

  ９.２.１電流-電壓關(guān)系９.２絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）第９章雙極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線：1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說(shuō)明2、國(guó)產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義3、國(guó)產(chǎn)FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國(guó)科微GK

  電壓 SiC 397瀏覽量

• 10.1.4 自旋場(chǎng)效應(yīng)晶體管∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》2022-03-21 01:04

  

  SpinField-effectTransistor撰稿人：清華大學(xué)許軍梁仁榮https://www.tsinghua.edu.cn審稿人：北京大學(xué)張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.1非傳統(tǒng)新結(jié)構(gòu)器件第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)‍‍‍‍‍‍‍‍代理產(chǎn)品線：1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代A

  晶體管 215瀏覽量

• 10.1.3 碰撞電離MOS器件∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》2022-03-20 01:06

  

  ImpactIonizationMOS撰稿人：清華大學(xué)許軍梁仁榮https://www.tsinghua.edu.cn審稿人：北京大學(xué)張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.1非傳統(tǒng)新結(jié)構(gòu)器件第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)‍‍‍‍‍‍‍‍代理產(chǎn)品線：1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型

  MOS 430瀏覽量

• ９.１.１０阻斷電壓∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》2022-03-19 01:07

  

  ９.１.１０阻斷電壓９.１雙極結(jié)型晶體管（BJT）第９章雙極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線：1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說(shuō)明2、國(guó)產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義3、國(guó)產(chǎn)FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國(guó)科微GK7202V

  電壓 234瀏覽量

• 10.1.2 隧道場(chǎng)效應(yīng)晶體管(TFET)∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》2022-03-19 01:06

  

  TunnelingField-effectTransistor撰稿人：清華大學(xué)許軍梁仁榮https://www.tsinghua.edu.cn審稿人：北京大學(xué)張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.1非傳統(tǒng)新結(jié)構(gòu)器件第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)‍‍‍‍‍‍‍‍代理產(chǎn)品線：1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FPGAP

  晶體管 695瀏覽量

• ９.１.９　共發(fā)射極電流增益：復(fù)合效應(yīng)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》2022-03-18 03:01

  

  ９.１.９共發(fā)射極電流增益：復(fù)合效應(yīng)９.１雙極結(jié)型晶體管（BJT）第９章雙極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線：1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說(shuō)明2、國(guó)產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義3、國(guó)產(chǎn)FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國(guó)科

  電流 368瀏覽量

• 10.1.1 柵極全環(huán)繞器件∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》2022-03-18 01:06

  

  Gate-all-around（GAA）Device撰稿人：清華大學(xué)許軍梁仁榮https://www.tsinghua.edu.cn審稿人：北京大學(xué)張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.1非傳統(tǒng)新結(jié)構(gòu)器件第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)‍‍‍‍‍‍‍‍代理產(chǎn)品線：1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代A

  器件 256瀏覽量

• 9.7.12 底填料Underfill∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》2022-03-17 04:01

  

  Underfill撰稿人：中國(guó)科學(xué)院深圳技術(shù)研究院朱朋莉http://www.siat.ac.cn審稿人：中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究院羅樂(lè)http://www.sim.ac.cn9.7封裝結(jié)構(gòu)材料第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)‍‍‍‍‍‍‍‍代理產(chǎn)品線：1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說(shuō)明2、國(guó)產(chǎn)MCUPtP

  材料 377瀏覽量