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功率半導(dǎo)體公司GaN Systems宣布，參加IEEE國際電力電子與應(yīng)用會(huì)議和博覽會(huì)（PEAC）的細(xì)節(jié)。該國際活動(dòng)專注于電力電子、能源轉(zhuǎn)換和應(yīng)用，將于2018年11月4-7日在中國深圳舉辦。
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GaN Systems將在會(huì)議上宣布和展示新產(chǎn)品和設(shè)計(jì)工具，并將提供客戶演示。來自GaN Systems的代表將在會(huì)議期間舉辦兩場(chǎng)行業(yè)會(huì)議和一場(chǎng)輔導(dǎo)課。此外，GaN Systems贊助的GaN Systems杯挑戰(zhàn)設(shè)計(jì)競(jìng)賽將在PEAC的頒獎(jiǎng)典禮上宣布獲獎(jiǎng)?wù)摺?/div>
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解決方案和設(shè)計(jì)工具
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在PEAC上，GaN Systems將推出新產(chǎn)品和設(shè)計(jì)工具，包括：
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?新GS-065低電流（4A至11A）GaN Systems產(chǎn)品線，該產(chǎn)品線結(jié)合EZDriveTM電路，消除了對(duì)分立或集成驅(qū)動(dòng)器的需求，使之易于實(shí)現(xiàn)并降低系統(tǒng)成本。這種1kW以下的電源解決方案非常適合許多應(yīng)用，包括游戲和工作站筆記本電腦AC適配器、電視電源、LED照明和無線電源系統(tǒng)。
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?新的50W無線功率放大器擴(kuò)展了GaN Systems適用于無線功率傳輸和充電應(yīng)用的解決方案，包括100 W功率放大器和300 W功率放大器產(chǎn)品。新的功率放大器的目標(biāo)是消費(fèi)、工業(yè)和汽車市場(chǎng)的低功率應(yīng)用，如手持電子產(chǎn)品、電動(dòng)工具、玩具、家用、機(jī)器人、無人機(jī)和滑板車。
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?用于三相牽引逆變器和單相T型三電平逆變器設(shè)計(jì)的兩個(gè)新的PLECS?仿真模型將在GaN Systems的電路仿真工具上提供。這個(gè)平臺(tái)有助于電源設(shè)計(jì)人員快速和容易地調(diào)整參數(shù)，以適應(yīng)他們的設(shè)計(jì)目標(biāo)，并實(shí)時(shí)看到結(jié)果。
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GaN Systems戰(zhàn)略營銷副總裁Paul Wiener表示：“我們不斷傾聽客戶意見，并提供行業(yè)領(lǐng)先的解決方案，無論他們是在創(chuàng)造高頻無線產(chǎn)品，還是最大化電力系統(tǒng)的輸出。擁有合適的工具和資源才能縮短設(shè)計(jì)時(shí)間，提高系統(tǒng)性能?！?/div>
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GaN Systems提供全面的解決方案，包括100 V和650 V產(chǎn)品范圍，以及大量的設(shè)計(jì)資源，幫助消費(fèi)、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)和汽車行業(yè)的公司充分利用GaN的尺寸、重量、功率和系統(tǒng)成本優(yōu)勢(shì)。
| 日期 | 時(shí)間 | 地點(diǎn) | 演講者 | 主題 |
| 2018年11月4日 | 13:45-17:15 | T8 | Juncheng （Lucas）Lu，GaN Systems | GaN HEMT在工業(yè)和汽車應(yīng)用中的機(jī)會(huì)和設(shè)計(jì)考量指南 |
| 2018年11月7日 | 8:30-9:00 | IS7.8.1 | Leyang Yang，GaN Systems | 采用GaN的高功率密度適配器 |
| 2018年11月7日 | 9:00-9:30 | IS7.7.2 | Tiefeng Shi，GaN Systems | 采用GaN的高效無線電源 |
GaN Systems杯
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GaN Systems再次贊助著名的中國電源協(xié)會(huì)（CPSS）設(shè)計(jì)競(jìng)賽。“GaN Systems杯”目前正在進(jìn)行中，有許多來自中國各大學(xué)的頂尖的工程團(tuán)隊(duì)參與。獲獎(jiǎng)隊(duì)伍將于2018年11月4日在PEAC舉行的頒獎(jiǎng)典禮上宣布?！癎aN Systems系統(tǒng)杯不斷促進(jìn)和激勵(lì)著利用GaN晶體管優(yōu)勢(shì)的電力電子系統(tǒng)的發(fā)展。
欲了解更多信息，請(qǐng)?jiān)L問gansystems.com/peac2018或在PEAC上了解GaN Systems。
- GaN Systems(1103)
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）的輸入電壓較高的電流密度，使得GaN組件在不降低功率的情況下設(shè)計(jì)得更緊湊快速開關(guān)能力，支持高頻（200KHz及以上）電機(jī)運(yùn)行高頻操作，限制輸出電流波動(dòng)，減小濾波器元件尺寸降低開關(guān)功耗，限制功率損失，提供
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，幾代MOSFET晶體管使電源設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)了雙極性早期產(chǎn)品不可能實(shí)現(xiàn)的性能和密度級(jí)別。然而，近年來，這些已取得的進(jìn)步開始逐漸弱化，為下一個(gè)突破性技術(shù)創(chuàng)造了空間和需求。這就是氮化鎵（GaN）引人注目
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GaN和SiC區(qū)別
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D功放的音質(zhì)也將得到有效的提升。
針對(duì)目前主流的GaN Class D應(yīng)用，三安集成推出了200V 20mΩ的低壓GaN功率器件，同時(shí)采用自主設(shè)計(jì)的半橋電路測(cè)試平臺(tái)對(duì)200V 20mΩ GaN
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GaN已為數(shù)字電源控制做好準(zhǔn)備
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GaN已經(jīng)為數(shù)字電源控制做好準(zhǔn)備
提供多個(gè)控制環(huán)路和保護(hù)電路，而這些控制環(huán)路與保護(hù)電路能夠管理所有GaN的缺陷和不足。對(duì)我而言，“GaN已經(jīng)為數(shù)字電源控制做好準(zhǔn)備”大體涵蓋了上面提到的內(nèi)容，此外，這句話也意味著數(shù)字電源也為GaN
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作者： Steve Tom在德州儀器不斷推出的“技術(shù)前沿”系列博客中，一些TI全球頂尖人才正在探討目前最大的技術(shù)趨勢(shì)以及如何應(yīng)對(duì)未來挑戰(zhàn)等問題。相較于以往使用的硅晶體管，氮化鎵 (GaN) 可以讓
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2019-07-12 12:56:17
應(yīng)用GaN技術(shù)克服無線基礎(chǔ)設(shè)施容量挑戰(zhàn)
需求，越來越多的功率放大器供應(yīng)商已經(jīng)開始擴(kuò)大產(chǎn)品范圍，將GaN產(chǎn)品納入其中。需要記住的是，無線基站中使用的功率放大器必須符合惡劣條件下的高性能、高效率、高可靠性要求。每一次網(wǎng)絡(luò)擴(kuò)容都會(huì)對(duì)性能和功效提出新
2018-12-05 15:18:26
未找到GaN器件
您好，有人能告訴我如何在原理圖窗口中添加GaN器件，因?yàn)楫?dāng)我在ADS的原理圖窗口中搜索它時(shí)，它只顯示GaAs，JFET和BJT器件。我想做一個(gè)功率放大器模擬，我需要一個(gè)GaN器件。請(qǐng)?zhí)岢瞿愕慕ㄗh
2019-01-17 15:55:31
氮化鎵GaN技術(shù)助力電源管理革新
功率晶體管(如GaN和碳化硅(SiC))有望在高壓和高開關(guān)頻率條件下提供高功率效率，從而遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過硅MOSFET產(chǎn)品?！ ?b class="flag-6" style="color: red">GaN可以為您做什么 根據(jù)應(yīng)用的不同，高效率的高頻開關(guān)可以將功率模塊的尺寸縮小
2018-11-20 10:56:25
氮化鎵GaN接替硅支持高能效高頻電源設(shè)計(jì)方案
在所有電力電子應(yīng)用中，功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一，這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動(dòng)。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限，設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵（GaN）來提供方案。
2020-10-28 06:01:23
求助，是否有關(guān)于GaN放大器長(zhǎng)期記憶的任何詳細(xì)信息
是否有關(guān)于 NXP GaN 放大器長(zhǎng)期記憶的任何詳細(xì)信息。數(shù)據(jù)表說“專為低復(fù)雜性線性系統(tǒng)設(shè)計(jì)”。長(zhǎng)期記憶是否不再是當(dāng)前幾代 GaN 器件的關(guān)注點(diǎn)？這是整個(gè)產(chǎn)品堆棧嗎？
2023-04-17 06:12:19
用于大功率和頻率應(yīng)用的舍入 GaN 基晶體管
的高可靠性，EPC 公司已經(jīng)宣布了其新的 EPC7019 eGaN 抗輻射功率晶體管器件。EGaN 晶體管采用鈍化模具形式，圖像由 EPC 提供新產(chǎn)品利用 GaN 白光柵材料實(shí)現(xiàn)高電子遷移率和低溫系數(shù)。該
2022-06-15 11:43:25
直接驅(qū)動(dòng)GaN晶體管的優(yōu)點(diǎn)
受益于集成器件保護(hù)，直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵/GaN 未來發(fā)展及技術(shù)應(yīng)用
%的產(chǎn)品輸出功率集中在10W～100W之間，最大功率達(dá)到1500W（工作頻率在1.0-1.1GHz，由Qorvo生產(chǎn)），采用的技術(shù)主要是GaN/SiC GaN路線。此外，部分企業(yè)提供GaN射頻模組產(chǎn)品，目前
2019-04-13 22:28:48
非線性模型如何幫助進(jìn)行GaN PA設(shè)計(jì)？
。本文中，我們將為您介紹需要了解的非線性GaN 模型的基礎(chǔ)知識(shí)。什么是非線性GaN 模型？對(duì)許多工程師來說，設(shè)計(jì)PA 的第一步是閱讀晶體管產(chǎn)品的數(shù)據(jù)手冊(cè)并查看S 參數(shù)。S 參數(shù)文件很有用，但有關(guān)器件大信號(hào)
2018-08-04 14:55:07
The MathWorks推出新產(chǎn)品Simulink PLC
The MathWorks推出新產(chǎn)品Simulink PLC Coder
The MathWorks 近日發(fā)布了新產(chǎn)品Simulink PLC Coder，可為可編程邏輯控制器 (PLC) 和可編程自動(dòng)化控制器 (PAC) 設(shè)備生成 IE
2010-03-22 12:10:39586
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Jupiter Systems推出新的先進(jìn)產(chǎn)品Warp/Blend Node
Jupiter Systems日前宣布推出新的先進(jìn)產(chǎn)品Warp/Blend Node。此次最新推出Warp/Blend Node是對(duì)早前Jupiter已經(jīng)在華推出的獲獎(jiǎng)的PixelNet分布式顯示墻系統(tǒng)的一個(gè)補(bǔ)充
2011-04-18 10:48:39914
914確定GaN產(chǎn)品可靠性的綜合方法
TI正在設(shè)計(jì)基于GaN原理的綜合質(zhì)量保證計(jì)劃和相關(guān)的應(yīng)用測(cè)試來提供可靠的GaN解決方案。氮化鎵（GaN）的材料屬性可使電源開關(guān)具有令人興奮且具有突破性的全新特性—功率GaN。高電子遷移晶體管（HEMT）。
2016-04-25 14:16:152683
2683使用GaN基板將GaN功率元件FOM減至1/3
松下在GaN基板產(chǎn)品和Si基板產(chǎn)品方面試制了2.1mm×2.0mm測(cè)試芯片做了比較。Si基板產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻為150mΩ，GaN基板產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻為100mΩ。Qoss方面，Si基板產(chǎn)品為18.3nC
2016-12-12 10:15:212348
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全球領(lǐng)先的GaN RF供應(yīng)商如何煉成？Qorvo的GaN優(yōu)勢(shì)圖解
Qorvo 是全球領(lǐng)先的GaN RF 供應(yīng)商，自1999 年起就一直在推動(dòng)GaN 研究和創(chuàng)新，提供經(jīng)過檢驗(yàn)的GaN電路可靠性和緊湊型、高效率產(chǎn)品。
2018-05-18 10:32:001943
1943Empower RF推出固態(tài)GaN系統(tǒng)放大器
Empower RF Systems公司近期推出了一款單波段固態(tài)氮化鎵（GaN）系統(tǒng)放大器。
2018-10-15 10:01:384130
4130ADI設(shè)計(jì)工具： 簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)和產(chǎn)品選型過程
借助ADI設(shè)計(jì)工具，您將能輕松而準(zhǔn)確地找到最適合設(shè)計(jì)的產(chǎn)品。 這些工具可簡(jiǎn)化您的設(shè)計(jì)和產(chǎn)品選型過程，并提供仿真結(jié)果以揭示實(shí)際性能。
2019-07-17 06:16:001880
1880iPhone 12或使用Type-C口，蘋欲推出GaN充電器？
近日，有外媒報(bào)道稱，蘋果或許會(huì)在今年推出的iPhone 12上使用Type-C接口，以支持更高速率的快速充電。另外，蘋果還會(huì)推出一款GaN（氮化鎵）充電器，并提供最高65W的充電速率。
2020-02-21 17:30:273427
3427Transphorm和微芯達(dá)成合作 GaN和數(shù)字信號(hào)處理技術(shù)相結(jié)合以推動(dòng)GaN普及
采用dsPIC? DSC快速跟蹤電源系統(tǒng)開發(fā)的4 kW PFC GaN評(píng)估板，并提供全球技術(shù)支持。
2020-04-08 10:37:18822
822GaN Systems的GS-EVB-AUD-xx1-GS音頻評(píng)估板
GaN Systems GS-EVB-AUD-xx1-GS平臺(tái)可作為D類放大器板（GS-EVB-AUD-AMP1-GS）單獨(dú)銷售，也可以與開關(guān)電源（SMPS）板（GS-EVB-AUD-BUNDLE1-GS）捆綁銷售。
2020-08-24 16:23:212630
2630GaN Systems即將要推出1美元以下的GaN晶體管？
GaN（氮化鎵）功率晶體管的全球領(lǐng)導(dǎo)者GaN Systems今天宣布，其低電流，大批量氮化鎵晶體管的價(jià)格已跌至1美元以下。
2021-03-13 11:38:46682
682Cadence推出創(chuàng)新產(chǎn)品 顛覆未來芯片的設(shè)計(jì)工具
不久之前，Cadence 正式推出了創(chuàng)新產(chǎn)品 Cerebrus，一款完全基于機(jī)器學(xué)習(xí)的革命性智能芯片設(shè)計(jì)工具，可以擴(kuò)展數(shù)字芯片設(shè)計(jì)流程并實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化。 大家對(duì)使用傳統(tǒng) EDA 工具的設(shè)計(jì)流程已經(jīng)
2021-09-02 15:33:464541
4541GaN Systems公司和合作伙伴應(yīng)對(duì)零排放挑戰(zhàn)
氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體的全球領(lǐng)導(dǎo)者GaN Systems 公司今天宣布，其合作伙伴的生態(tài)系統(tǒng)不斷壯大，通過加速全球可持續(xù)發(fā)展和清潔技術(shù)革命，應(yīng)對(duì)凈零排放挑戰(zhàn)，中和二氧化碳（CO2）和其他溫室氣體的排放。
2021-12-21 13:54:03564
564電源設(shè)計(jì)中嘗試使用GaN晶體管
GaN 晶體管是新電源應(yīng)用的理想選擇。它們具有小尺寸、非常高的運(yùn)行速度并且非常高效。它們可用于輕松構(gòu)建任何電力項(xiàng)目。在本教程中，我們將使用 GaN Systems 的 GaN GS61008T 進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。
2022-08-05 08:04:55881
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納芯微全新推出GaN相關(guān)產(chǎn)品NSD2621和NSG65N15K
納芯微全新推出GaN相關(guān)產(chǎn)品，包含GaN驅(qū)動(dòng)NSD2621與集成化的Power Stage產(chǎn)品NSG65N15K，均可廣泛適用于快充、儲(chǔ)能、服務(wù)器電源等多種GaN應(yīng)用場(chǎng)景。
2023-02-01 09:44:321250
1250儲(chǔ)能采用GaN即將量產(chǎn)
6月16日，蜂巢能源稱，他們首次發(fā)布了戶儲(chǔ)領(lǐng)域的核心創(chuàng)新產(chǎn)品——超薄戶儲(chǔ)逆變器。值得一提的是，該產(chǎn)品搭載了GaN技術(shù)。
2023-06-18 16:41:55550
550安世推出支持低壓和高壓應(yīng)用的E-mode GAN FET GAN FET
。Nexperia（安世半導(dǎo)體）在其級(jí)聯(lián)型氮化鎵產(chǎn)品系列上增加了七款新型 E-mode 器件，從 GaN FET 到其他硅基功率器件， Nexperia（安世半導(dǎo)體）豐富的產(chǎn)品組合能為設(shè)計(jì)人員提供最佳的選擇。
2023-08-10 13:55:54500
500GaN Systems 推出第四代氮化鎵平臺(tái) 突破能源效率瓶頸 加速應(yīng)用版圖拓展
重點(diǎn)摘要 GaN Systems第四代氮化鎵平臺(tái) (Gen 4 GaN Platform) 幫助全球客戶在能源效率及尺寸微縮上突破瓶頸。 以業(yè)界領(lǐng)先的質(zhì)量因子 (figures of merit
2023-09-28 09:28:32253
253GaN Systems 第四代氮化鎵平臺(tái)概述
全球氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)廠商GaN Systems 今推出全新第四代氮化鎵平臺(tái) (Gen 4 GaN Power Platform)，不僅在能源效率及尺寸上確立新的標(biāo)竿，更提供顯著的性能表現(xiàn)優(yōu)化及業(yè)界領(lǐng)先的質(zhì)量因子 (figures of merit)。
2023-10-08 17:22:52262
262英飛凌科技完成對(duì)GaN Systems Inc.的收購
英飛凌科技集團(tuán)今天宣布，對(duì)GaN Systems Inc.的收購已經(jīng)完成。這家總部位于渥太華的公司提供廣泛的氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換解決方案和尖端應(yīng)用專業(yè)知識(shí)。已獲得所有必要的監(jiān)管批準(zhǔn)，截至
2023-10-25 14:51:13479
479英飛凌完成收購GaN Systems成為領(lǐng)先的氮化鎵龍頭企業(yè)
德國慕尼黑和加拿大渥太華訊——英飛凌科技于2023年10月24日宣布完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems，以下同）。
2023-10-25 18:24:47325
325號(hào)稱“氮化鎵龍頭企業(yè)”，英飛凌完成 8.3 億美元收購 GaN Systems 公司
渥太華的公司，為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵（GaN）功率轉(zhuǎn)換解決方案產(chǎn)品組合和領(lǐng)先的應(yīng)用技術(shù)。已獲得所有必要的監(jiān)管部門審批，交易結(jié)束后，GaN Systems 已正式成為英飛凌的組成部分。 目前，英飛凌共有 450 名氮化鎵技術(shù)專家和超過 350 個(gè)氮化鎵技術(shù)專利族。英飛凌表示，公司和 G
2023-10-26 08:43:52206
206安世半導(dǎo)體宣布推出新款GaN FET器件
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出新款 GaN FET 器件，該器件采用新一代高壓 GaN HEMT 技術(shù)和專有銅夾片 CCPAK 表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員提供更多選擇。
2023-12-13 10:38:17312
312
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論