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NexGen Power Systems Inc. 正在使用GaN 襯底上的同質(zhì)外延 GaN 制造垂直功率器件（垂直氮化鎵或垂直 GaN）。垂直 GaN 器件能夠以更高的頻率進(jìn)行開(kāi)關(guān)并在更高的電壓下工作，這將催生新一代更高效的功率器件。
“垂直 GaN 器件比硅小 90%；NexGen Power Systems 的首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人 Dinesh Ramanathan 表示，電容與器件的面積直接相關(guān)?！霸O(shè)備越小，電容越低。電容越低，開(kāi)關(guān)頻率越高。在大多數(shù)典型應(yīng)用（尤其是電源）中，垂直 GaN 的開(kāi)關(guān)損耗比 Si ［硅］ MOSFET 低 67%?！?/p>
GaN是一種寬帶隙材料，與硅相比，它允許器件在更高的溫度下工作并承受更高的電壓。此外，GaN 較高的介電擊穿率允許制造更薄的器件，因此可以制造更低電阻的器件。較低的特性 R DS（on）導(dǎo)致具有較低電容的較小器件。
在低缺陷密度塊體 GaN 襯底上生長(zhǎng)低缺陷密度外延層的優(yōu)勢(shì)在于，與在非 GaN 襯底上制造的橫向 GaN 器件相比，它導(dǎo)致垂直功率器件在電壓和熱應(yīng)力下具有更高的可靠性。
垂直 GaN 能夠在高擊穿電壓下工作（圖 1），這使垂直 GaN 能夠?yàn)橐笞羁量痰膽?yīng)用供電，例如數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、電動(dòng)汽車、太陽(yáng)能逆變器、電機(jī)和高速列車的電源。
圖 1：與 Si 和 SiC 相比的 GaN 材料特性（圖片：NextGen Power Systems）
傳統(tǒng)功率器件和橫向 GaN-on-Si
功率電子器件使用固態(tài)器件來(lái)處理或轉(zhuǎn)換電能。電源轉(zhuǎn)換器或適配器無(wú)處不在，有各種形狀和尺寸可供選擇。大多數(shù)稱為開(kāi)關(guān)模式電源 （SMPS） 的轉(zhuǎn)換器使用電容器、電感器、變壓器和半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)將功率從具有給定電壓和電流的輸入傳輸?shù)讲煌妷?電流配置的輸出（圖 2）。
圖 2：開(kāi)關(guān)模式電源的框圖（圖片：NextGen Power Systems）
電容器、電感器和變壓器是無(wú)源且物理上較大的組件。為了減小 SMPS 的尺寸，它們必須在高頻下工作。為了在高頻下工作，他們需要更好的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)，它可以克服現(xiàn)有硅基開(kāi)關(guān)的限制，通常最高可達(dá)幾百千赫茲。
在過(guò)去的三十年里，MOSFET 和 IGBT 等硅器件一直主導(dǎo)著功率器件市場(chǎng)。最近，硅 MOSFET 只看到了性能提升。“硅已經(jīng)達(dá)到了極限；基于硅功率器件的材料特性，您現(xiàn)在無(wú)法從根本上獲得任何收益，”Dinesh Ramanathan 說(shuō)。
碳化硅 （SiC） 是硅的另一種替代品，但 GaN 通常具有更具吸引力的基本材料特性。
當(dāng)前的 GaN 器件是在混合襯底上制造的：硅或碳化硅上的 GaN 薄層，形成 GaN-on-Si 或 GaN-on-SiC 高電子遷移率晶體管 （HEMT） 結(jié)構(gòu)（圖 3）。
圖 3：GaN-on-Si HEMT 結(jié)構(gòu)的代表性示意圖（圖片：NexGen Power Systems）
橫向 GaN-on-Si（或 GaN-on-SiC）器件將材料與不匹配的熱膨脹系數(shù) （CTE） 結(jié)合在一起，這會(huì)損害可靠性和性能。此外，在典型的 GaN HEMT 器件中，通道非?？拷砻妫ù蠹s幾百納米），這會(huì)產(chǎn)生鈍化和冷卻問(wèn)題。在橫向 GaN-on-Si 器件中，漏源分離決定了器件的擊穿電壓。較大的漏源分離會(huì)增加溝道電阻并限制電流容量。為了彌補(bǔ)這一點(diǎn)并提高載流能力，該器件必須做得更寬。更高的電壓和更高的電流要求的組合導(dǎo)致設(shè)備具有大面積，因此具有更高的電容。因此，
雪崩擊穿是 Si 和 SiC 器件在短期過(guò)壓條件下保護(hù)自身的關(guān)鍵特性。橫向 GaN-on-Si HEMT 中沒(méi)有 pn 結(jié)可防止這些器件發(fā)生雪崩擊穿。此外，由于靠近器件表面的電流傳導(dǎo)的敏感性，GaN-on-Si HEMT 難以從頂部冷卻。將 Si 襯底與 GaN 層隔開(kāi)的緩沖層限制了底部冷卻的效率。這意味著，通常必須創(chuàng)建定制封裝來(lái)冷卻 GaN-on-Si HEMT，從而進(jìn)一步增加其成本。
垂直 GaN 功率器件
GaN 和 Si 或 SiC 之間的晶格失配會(huì)降低 GaN 的電性能并影響可靠性，當(dāng) GaN 器件在 GaN 襯底上生長(zhǎng)時(shí)，晶格和 CTE 當(dāng)然是完美匹配的——它是同一種材料。 因此，可以在塊狀 GaN 襯底上外延生長(zhǎng)非常厚的 GaN 層，從而制造出非常高電壓的器件。
垂直 GaN 技術(shù)釋放了 GaN 卓越材料特性的全部潛力，因?yàn)樗谠?GaN 襯底上同質(zhì)外延生長(zhǎng)的 GaN（圖 4）。此外，垂直 GaN 器件使用所有三個(gè)空間維度：通過(guò)增加漂移層的厚度來(lái)提高擊穿電壓和通過(guò)增加器件面積來(lái)降低 R DS（on） / 電流能力，從而有效地創(chuàng)建將擊穿電壓和電流能力解耦的 3D 器件。 R DS（on） ）。
“交流系統(tǒng)需要具有顯著降低諧波失真的高性能功率因數(shù)校正電路，”Ramanathan 說(shuō)?！按怪?GaN 的高開(kāi)關(guān)頻率支持新的控制算法，并以更小的實(shí)現(xiàn)和更高的效率提供所有這些。”
圖 4：垂直 GaN 與 GaN-on-Si 器件結(jié)構(gòu)（圖片：NextGen Power Systems）
圖 5顯示了增強(qiáng)型垂直 GaN 結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管 （eJFET） 和 GaN-on-Si HEMT 的示意圖。NexGen Power Systems 表示，它能夠展示 》40 μm 的漂移厚度，生產(chǎn)擊穿電壓 》4，000 V 的二極管和電阻率為 2.8 mΩ/cm 2的晶體管。對(duì)于相同的電流能力，垂直 GaN 器件尺寸大約比 650-V GaN-on-Si HEMT 小 6 倍，但提供更大的 1，200 V 擊穿電壓。垂直 GaN eJFET 具有雪崩能力，可在以下情況下保護(hù)器件超過(guò)規(guī)定的擊穿電壓。
圖 5：垂直 GaN eJFET 和 GaN-on-Si HEMT 的示意圖。虛線白線表示電子傳導(dǎo)路徑。（圖片：下一代電力系統(tǒng)）
垂直 GaN 器件用于通過(guò)漂移層傳導(dǎo)電流，該漂移層位于晶體管主體內(nèi)部。因此，不存在由表面界面雜質(zhì)捕獲的電荷產(chǎn)生的動(dòng)態(tài) R DS （on） 變化的機(jī)制。柵源二極管的耗盡區(qū)延伸到溝道中，控制了漏極和源極之間的電流流動(dòng)。在超過(guò)擊穿電壓的情況下，雪崩最初通過(guò)反向極化的柵源二極管發(fā)生，隨后導(dǎo)致雪崩電流增加?xùn)旁措妷汉蜏系来蜷_(kāi)并導(dǎo)通。
由于輸出電容小，應(yīng)用中的開(kāi)關(guān)損耗非常小。與橫向 GaN 器件相比，熱量通過(guò)均質(zhì)材料（無(wú)需額外層）從器件的頂部和底部 直接傳遞到封裝引線框架（圖 6 ）。
“這種器件的優(yōu)勢(shì)在于它只有由 GaN 制成的 pn 結(jié)，”Ramanathan 說(shuō)?！拔覀儧](méi)有二維電子氣和復(fù)雜的材料層。我們有一個(gè)增強(qiáng)型 JFET，這是一種廣為人知的器件，由于它具有 pn 結(jié)，它會(huì)發(fā)生雪崩，因此不會(huì)發(fā)生破壞性擊穿。因?yàn)檫@一切都發(fā)生在設(shè)備的主體中，它可以在雪崩期間吸收相當(dāng)多的能量，并且在事件發(fā)生后，設(shè)備恢復(fù)并正常運(yùn)行。所以它有一個(gè)內(nèi)置的安全機(jī)制，因此，它是一個(gè)更可靠、更強(qiáng)大的設(shè)備?！?/p>
圖 6：同質(zhì)外延生長(zhǎng)結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢(shì)（圖片：NextGen Power System）
Figure 7： Driving NexGen’s vertical GaN eJFETs （Image： NextGen Power System）
NexGen 的 Vertical GaN 技術(shù)結(jié)合了器件的特性，這些特性以前被認(rèn)為是不兼容的，因此是不可能實(shí)現(xiàn)的。汽車、消費(fèi)電子、太陽(yáng)能、電機(jī)和數(shù)據(jù)中心的功率轉(zhuǎn)換是人們可以體驗(yàn)這項(xiàng)新技術(shù)潛力的主要應(yīng)用。與其他開(kāi)關(guān)器件相比，它在更高的開(kāi)關(guān)頻率下提供更低的損耗和更好的雪崩魯棒性，并在成本上與硅器件有效競(jìng)爭(zhēng)。
“從手機(jī)到筆記本電腦，電子設(shè)備變得越來(lái)越小，越來(lái)越便攜，”Ramanathan 說(shuō)?！笆褂么怪?GaN，電源系統(tǒng)也可以小、輕、低成本和便攜?！?/p>
他繼續(xù)舉了一個(gè)特別引人注目的例子：“在數(shù)據(jù)中心機(jī)架中，為電源預(yù)留了一定數(shù)量的機(jī)架單元，將交流電轉(zhuǎn)換為直流電——我們將該電源的尺寸減小了 50%。讓我們看看一個(gè) 30 kW 的機(jī)架——需要 11 個(gè)機(jī)架單元用于供電，31 個(gè)提供計(jì)算服務(wù)。憑借我們更高的開(kāi)關(guān)頻率，我們可以將電源尺寸從 11 個(gè)減少到 5 個(gè)機(jī)架單元，這意味著我們可以騰出 6 個(gè)機(jī)架單元來(lái)添加到計(jì)算機(jī)架。六個(gè)額外的計(jì)算機(jī)架意味著計(jì)算密度增加了 20%”。
垂直 GaN 允許您解決目前只能由多種技術(shù)提供服務(wù)的全系列電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用?！ ?/p>
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