輸入功能，必須先輸出高電平，方能讀取該端口所連接的外部數(shù)據(jù)；若系統(tǒng)連接外部存儲(chǔ)器，而外部存儲(chǔ)器的地址線超過(guò)8條時(shí)，則P0口可作為地址總線（A8~A15）引腳。 P3口：內(nèi)部有30千歐上拉電阻，執(zhí)行輸出
2018-07-19 03:19:33
串行存儲(chǔ)器A25L010資料下載內(nèi)容包括：A25L010引腳功能
2021-03-29 06:31:18
串行EEPROM存儲(chǔ)器及應(yīng)用
2017-02-05 13:47:29
硬磁材料、環(huán)狀元件（4）光盤(pán)存儲(chǔ)器激光、磁光材料2.按存取方式分類（1）存取時(shí)間與物理地址無(wú)關(guān)（隨機(jī)訪問(wèn)）隨機(jī)存儲(chǔ)器在程序的執(zhí)行過(guò)程中 可讀可寫(xiě)只讀存儲(chǔ)器 在程序的執(zhí)行過(guò)程中 只讀（2）存取時(shí)間與物理地址有關(guān)（串行訪問(wèn)）順序存取存儲(chǔ)器磁帶直
2021-07-29 07:40:10
存儲(chǔ)器重映射。1、存儲(chǔ)區(qū)域功能規(guī)劃：在這 4GB 的地址空間中，ARM 已經(jīng)粗線條的平均分成了 8 個(gè)塊，每塊 512MB，每個(gè)塊也都規(guī)定了用途，具體分類見(jiàn)表格 5-1。每個(gè)塊的大小都有 512MB
2021-08-20 06:29:52
， 每塊區(qū)域的大小是 512MB（1）Block0 內(nèi)部區(qū)域功能劃分Block0 主要用于設(shè)計(jì)片內(nèi)的 FLASH，0x0000 0000-0x0007FFFF：取決于 BOOT 引腳，為 FLASH、系統(tǒng)存儲(chǔ)器、 SRAM 的別名。0x08000000-0x0807FFFF：片內(nèi) FLASH，我們編寫(xiě).
2022-01-20 08:21:34
DN17- 閃存存儲(chǔ)器的脈沖發(fā)生器編程
2019-07-01 06:58:01
的、針對(duì)嵌入式應(yīng)用的文件系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)Flash存儲(chǔ)器的損耗均衡，并且實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的有效管理，對(duì)于提高其使用壽命具有一定的意義。
2019-08-16 07:06:12
IDF怎么配置使用8MB PSRAM的esp psram64,怎么改實(shí)際使用大小的是4MB是可用地址空間最大就是4MB？
2023-02-10 08:12:44
IDF怎么配置使用8MB PSRAM的esp psram64，怎么改實(shí)際使用大小的是4MB？
2023-03-03 07:42:03
集成了多達(dá) 8 個(gè)TMS320C66x DSP CorePac，能夠?qū)崿F(xiàn)無(wú)與倫比的定點(diǎn)與浮點(diǎn)處理能力。KeyStone 架構(gòu)經(jīng)精心設(shè)計(jì)，是一款效率極高的多內(nèi)核存儲(chǔ)器架構(gòu)，允許并行執(zhí)行任務(wù)的同時(shí)，還能
2011-08-13 15:45:42
我們正在使用 MCU PNMIMXRT1051CVL5B。引導(dǎo)將通過(guò)使用 NXP 3.3V FlexSPI 端口 A 輔助引腳的外部 8Mb 串行 NOR 閃存進(jìn)行。在我們的設(shè)計(jì)中，唯一可用的配置
2023-04-03 07:03:34
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)在性能方面又超過(guò)了現(xiàn)有幾乎所有的存儲(chǔ)器，因此有可能會(huì)贏得巨大的市場(chǎng)(見(jiàn)表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣
2023-04-07 16:41:05
當(dāng)系統(tǒng)運(yùn)行了一個(gè)嵌入式實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)時(shí)（RTOS），操作系統(tǒng)通常都是使用非易失的存儲(chǔ)器來(lái)運(yùn)行軟件以及采集數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器的選擇面很廣闊，其中包括電池供電的SRAM（靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)儲(chǔ)存器），各種各樣的閃存以及串口EEPROM（電可擦的，可編程的只讀存儲(chǔ)器）。
2019-06-28 08:29:29
、汽車、軍事、游戲及計(jì)算機(jī)等應(yīng)用領(lǐng)域1Mb串行閃存和串行EEPROM存儲(chǔ)器的理想代替產(chǎn)品。此外，Ramtron已計(jì)劃在2008年陸續(xù)推出SPI、I2C及并行接口V系列F-RAM產(chǎn)品。 
2008-10-08 09:23:16
引導(dǎo)，我們只能看到前 2MB 的 SRAM。我們有可用的 IVT、DCD 和 FSBL，但仍然不能使用超過(guò) 2MB 的內(nèi)存。我們將 PRAMIAS 設(shè)置為 0x0，將 PRAMIAE 設(shè)置為 0x1FFFF，訪問(wèn)權(quán)限沒(méi)有變化。啟用完整 8MB SRAM 的過(guò)程是什么？
2023-04-19 09:23:38
中。一個(gè)字里的最低地址字節(jié)被認(rèn)為是該字的最低有效字節(jié)，而最高地址字節(jié)是最高有效字節(jié)。可訪問(wèn)的存儲(chǔ)器空間被分成8個(gè)主要塊，每個(gè)塊為512MB。其他所有沒(méi)有分配給片上存儲(chǔ)器和外設(shè)的存儲(chǔ)器空間都是保留的地址空間。1. FLASHFlash主存儲(chǔ)區(qū)從0x0800 0000地址開(kāi)始，不同系列器件有不同大小，這里
2021-08-02 06:06:32
系統(tǒng)架構(gòu)
? 多層AHB總線矩陣
? 存儲(chǔ)空間
? 存儲(chǔ)器映射
? 片上SRAM
? 位帶操作
? 片上閃存
? 自適應(yīng)閃存加速器（STM32F2新增）
? 啟動(dòng)模式
? 代碼空間的動(dòng)態(tài)重映射（STM32F2新增）
? 內(nèi)嵌bootloader
2023-09-13 06:20:58
STM32 F7 概述? STM32總線架構(gòu)和存儲(chǔ)器映射? 總線架構(gòu)? 存儲(chǔ)器映射? Cache? STM32F7性能? Boot模式? 片上閃存(Flash)? 系統(tǒng)配置控制器(SYSCFG)? 復(fù)位和時(shí)鐘控制(RCC)? 電源管理(PWR)
2023-09-08 06:53:32
概述：W25X80是Winbond華邦公司生產(chǎn)的一款容量為8MB的高速存儲(chǔ)器。它為雙排貼片8腳封裝。工作電壓2.7-3.6V。它具有雙向SPI輸出功能，是普通SPI接口的2倍速度。
2021-05-19 06:14:18
H2JTDG8UD1BMS），更換閃存之后手機(jī)恢復(fù)正常（期間進(jìn)行過(guò)重裝系統(tǒng)，都無(wú)法讀寫(xiě)進(jìn)去，安裝失?。?；3、求助：能否有方法將換下的存儲(chǔ)器修復(fù)或其他方法將里面的照片拷貝出來(lái)，主要需要照片。4、懸賞積分
2018-09-04 17:08:25
：Flash、SRAM等。只有加入了這些東西，才能成為一個(gè)擁有實(shí)際意義的、可以工作的處理芯片——STM32。STM32的存儲(chǔ)器地址空間被劃分為大小相等的8塊區(qū)域，每塊區(qū)域大小為512MB。對(duì)STM32存儲(chǔ)器知識(shí)
2018-08-14 09:22:26
意法半導(dǎo)體網(wǎng)站 www.st.com 提供以下文檔：? STM32F76xxx和STM32F77xxx基于32位MCU（RM0410）的高級(jí)ARM?? STM32微控制器系統(tǒng)存儲(chǔ)器啟動(dòng)模式
2022-02-14 06:52:11
更換為8 Gb 或容量更大的卡（圖1）。 圖 1：Swis***itClass 10 microSDHC S-140u 存儲(chǔ)卡支持高達(dá)104 Mb/s 的速度，足夠用于高速訪問(wèn)程序存儲(chǔ)器。（圖片來(lái)源
2019-07-30 11:19:18
啟動(dòng)模式講完了，我們知道是主閃存存儲(chǔ)器啟動(dòng)的。主閃存存儲(chǔ)器被映射到啟動(dòng)空間(0x0000 0000)，但仍然能夠在它原有的地址(0x0800 0000)訪問(wèn)它。 接下來(lái)，再看一下它的啟動(dòng)流程是怎樣
2021-08-20 07:29:53
作者：李建勛 樊曉光 禚真福來(lái)源：什么是基于閃存平臺(tái)的存儲(chǔ)管理策略？在嵌入式系統(tǒng)中，由于閃存成本低、容量大、非易失、訪問(wèn)速度高和機(jī)械故障少的優(yōu)勢(shì)已逐漸成為最流行的存儲(chǔ)大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器。然而，閃存常見(jiàn)
2019-07-31 08:17:49
。 2、硬盤(pán)存儲(chǔ)器 信息可以長(zhǎng)期保存，可以讀寫(xiě)，容量大，但是不方便攜帶。 3、移動(dòng)存儲(chǔ)器 主要包括閃存盤(pán)（優(yōu)盤(pán)）、移動(dòng)硬盤(pán)、固態(tài)硬盤(pán)（SSD）?！ ?、閃存盤(pán)（優(yōu)盤(pán)） 采用Flash存儲(chǔ)器（閃存
2019-06-05 23:54:02
隨著電動(dòng)汽車技術(shù)的發(fā)展，以及***的政策鼓勵(lì)與扶持，電動(dòng)汽車（混動(dòng)+純電動(dòng)）以每年超過(guò)50%的速度高速增長(zhǎng)，電池以及電池管理系統(tǒng)作為電動(dòng)汽車的核心組件，其市場(chǎng)需求也獲得相應(yīng)的快速增長(zhǎng)。本文將就電池管理系統(tǒng)對(duì)存儲(chǔ)器的需求進(jìn)行分析。
2019-07-30 06:46:09
。F29C51004的儲(chǔ)存容量A4為512KB，其外部引腳分布圖=如圖1所示。其中A0-A18為19根地址線，I/00一I/07為數(shù)據(jù)線，CE為讀信號(hào)，WE為寫(xiě)信號(hào)。設(shè)計(jì)8MB的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器擴(kuò)展板需要16片
2018-07-26 13:01:24
的讀取和寫(xiě)入。您可以使用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)串行外設(shè)接口（SPI）總線訪問(wèn)存儲(chǔ)器。在功能級(jí)別上，F(xiàn)-RAM的運(yùn)行方式與串行閃存和串行EEPROM類似。 CY15B104Q與具有相同引腳排列的串行閃存或EEPROM之間的主要區(qū)別在于F-RAM卓越的寫(xiě)入性能，高耐用性和低功耗
2020-07-22 10:30:31
MB的存儲(chǔ)器映射空間。其中，STRB0所對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)映像區(qū)間是不連續(xù)的兩段區(qū)問(wèn)，一段是03FH～7FFFFFH(共31.999 MB)，另一段是880000H～8FFFFFH(共2 MB);STRBl
2019-06-14 05:00:08
作者：王烈洋 黃小虎 占連樣 珠海歐比特控制工程股份有限公司隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展， 存儲(chǔ)器的種類日益繁多，每一種存儲(chǔ)器都有其獨(dú)有的操作時(shí)序，為了提高存儲(chǔ)器芯片的測(cè)試效率，一種多功能存儲(chǔ)器芯片
2019-07-26 06:53:39
如何為網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用選擇合適的同步SRAM存儲(chǔ)器？
2021-05-24 06:13:40
大家好， 我的項(xiàng)目有一個(gè)閃存，用于將Xilinx FPGA配置為SPI模式。同時(shí)，我想將閃存用作內(nèi)存。這意味著閃存有兩個(gè)功能：配置FPGA和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。那么，我該怎么辦呢？閃存中的配置引腳是否用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器引腳？謝謝。最好的祝福。
2020-06-08 12:20:31
多家存儲(chǔ)器廠商支持的標(biāo)準(zhǔn)功能，并允許FPGA檢索有關(guān)器件功能的關(guān)鍵信息。一旦檢索到器件特性，就可以快速重新配置FPGA存儲(chǔ)器控制器和SPI存儲(chǔ)器器件，以獲得最大的讀取性能。圖2- 通電時(shí)使用串行閃存可發(fā)
2021-05-26 07:00:00
，復(fù)位后FPGA將通過(guò)這個(gè)PROM啟動(dòng)。但是在我未來(lái)的項(xiàng)目中，只有JTAG連接可用。因此，我想知道是否可以通過(guò)JTAG和軟件IMPACT用位文件刷新這個(gè)外部PROM。有沒(méi)有可用的通用指南如何通過(guò)JTAG和IMPACT（或任何其他工具）閃存任何隨機(jī)并行存儲(chǔ)器？感謝你的付出最好的祝福mitch89
2019-09-18 10:35:14
本文提出了一個(gè)網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器的基本解決方案，實(shí)現(xiàn)了網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器的基本功能。
2021-04-26 06:50:19
富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司供稿鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器（FRAM） RFID由于存儲(chǔ)容量大、擦寫(xiě)速度快一直被用作數(shù)據(jù)載體標(biāo)簽。內(nèi)置的串行接口可將傳感器與RFID連接在一起，從而豐富了RFID應(yīng)用。
2019-07-26 07:31:26
微機(jī)原理--存儲(chǔ)器管理
2017-04-24 23:08:32
本文介紹了一種基于AD、CPLD、串行閃存來(lái)實(shí)現(xiàn)的小體積的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)。與其他數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)相比，該系統(tǒng)體積小，存儲(chǔ)器便于控制，易于升級(jí)存儲(chǔ)器的容量，能夠滿足一般的信號(hào)采集。不足是系統(tǒng)的采樣頻率不夠高，只能達(dá)到250kHz／S，不適于高頻信號(hào)的采集。
2021-04-07 06:48:52
存儲(chǔ)器可分為哪幾類？存儲(chǔ)器有哪些特點(diǎn)？存儲(chǔ)器有哪些功能？
2021-10-20 06:46:21
求一套FLASH存儲(chǔ)器實(shí)時(shí)存取管理方案。
2021-04-25 08:18:52
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別？特點(diǎn)？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
汽車系統(tǒng)的設(shè)計(jì)變得越來(lái)越復(fù)雜，因?yàn)橐粩嗟募尤胄碌?b class="flag-6" style="color: red">功能，如高級(jí)駕駛輔助，圖形儀表，車身控制和車輛信息娛樂(lè)系統(tǒng)。為了確保可靠、安全的操作，每個(gè)子系統(tǒng)均需要使用特定的非易失性存儲(chǔ)器，以便在復(fù)位操作和電源
2019-07-23 06:15:10
用于串行總線應(yīng)用的示波器分段存儲(chǔ)器
2012-11-01 15:32:39
方便移動(dòng)設(shè)備應(yīng)用.存儲(chǔ)器系統(tǒng)設(shè)計(jì)必須支持增長(zhǎng)的帶寬需求及更少的功耗.非易失性固態(tài)存儲(chǔ)器與傳統(tǒng)的NOR閃存相比，被證實(shí)可以減少功耗。存儲(chǔ)器子系統(tǒng)架構(gòu)存儲(chǔ)器子系統(tǒng)架構(gòu)是嵌入式設(shè)計(jì)者面臨的主要挑戰(zhàn).存儲(chǔ)器參數(shù)
2018-05-17 09:45:35
簡(jiǎn)易串行存儲(chǔ)器拷貝器相關(guān)資料下載
2021-05-14 07:59:03
虛擬存儲(chǔ)器具有哪些功能呢？虛擬存儲(chǔ)器的特征有哪些呢？
2021-12-23 09:04:39
分區(qū)管理和ECC 校驗(yàn)功能，增強(qiáng)存儲(chǔ)器可靠性，F(xiàn)RAM運(yùn)行時(shí)的低功耗特性，將MCU 的功耗降低至100uA/MHz。除了FRAM外與SCI/IIC/SPI/GPIO/ADC/CMP/TIMER圖2.1
2019-06-12 05:00:08
網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器技術(shù)是如何產(chǎn)生的？怎樣去設(shè)計(jì)一種網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器？
2021-05-26 07:00:22
PIC24設(shè)備，它不能像某些PIC32那樣跳轉(zhuǎn)到數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器（RAM）開(kāi)始從那里執(zhí)行。具有擴(kuò)展程序存儲(chǔ)器接口，所以我們可以把功能代碼轉(zhuǎn)移到擴(kuò)展存儲(chǔ)器，然后跳轉(zhuǎn)到PC，這個(gè)選項(xiàng)在PIC24設(shè)備中不可用。然而
2020-03-09 08:46:16
描述適用于 Amiga 500 和 Amiga 500+ 的 8MB FastRAM 板此板基于此處的 A600 8MB FastRAM 板,因此，原理圖是原始設(shè)計(jì)的衍生/分支，以適應(yīng)它在 A500
2022-07-29 07:32:18
在嵌入式系統(tǒng)中，F(xiàn)lash和EEPROM能夠存儲(chǔ)可用于通信或執(zhí)行某些功能的數(shù)據(jù)。它們可以通過(guò)多種不同的串行協(xié)議（包括SPI或串行外圍設(shè)備接口）來(lái)連接存儲(chǔ)設(shè)備。在單片機(jī)中也集成了多種不同類型的SPI
2023-04-07 16:42:42
型號(hào)：GD25Q64CSIGR
制造商：GigaDevice(兆易創(chuàng)新)
存儲(chǔ)器構(gòu)架(格式)：FLASH 存儲(chǔ)器接口類型：SPI 存儲(chǔ)器容量：64Mb存儲(chǔ)器類型：Non-Volatile
2021-12-06 16:13:41
型號(hào)：GD25Q127CSIGR
制造商：GigaDevice(兆易創(chuàng)新)
存儲(chǔ)器構(gòu)架(格式)：FLASH 存儲(chǔ)器接口類型：SPI 存儲(chǔ)器容量：32Mb (4M x 8
2021-12-06 16:26:59
linux存儲(chǔ)器管理
本章主要講解了存儲(chǔ)器管理的基本方式，剖析了Linux 操作系統(tǒng)對(duì)內(nèi)存的管理模式。通過(guò)對(duì)本章學(xué)習(xí)，讀者應(yīng)該達(dá)到以下學(xué)習(xí)目標(biāo)：
重
2009-04-28 15:01:13
0 S25FS128SDSNFI100，MirrorBit?閃存非易失性存儲(chǔ)器 1.8 V帶CMOS I/O的單電源 具有多I/O的串行外圍接口
2023-02-07 14:23:17
128Mb以上的串行閃存被認(rèn)為是電子產(chǎn)品滿足市場(chǎng)需求、增加更多功能的一個(gè)主要障礙，針對(duì)需要128Mb以上串行閃存的應(yīng)用要求，美光科技 (Micron Technology)推出一個(gè)簡(jiǎn)單的獨(dú)一無(wú)二的擴(kuò)
2010-10-11 11:36:2254 的開(kāi)發(fā)過(guò)程。意法半導(dǎo)體串行非易失性存儲(chǔ)器市場(chǎng)營(yíng)銷總監(jiān)Benoit Rodrigues說(shuō)：“ST憑借優(yōu)異的制造質(zhì)量、豐富的產(chǎn)品組合，從PC及外設(shè)中成功地汲取串行閃存概念并將之拓展到快速增長(zhǎng)的數(shù)字消費(fèi)
2006-03-24 13:33:04
735 1-Wire®串行存儲(chǔ)器產(chǎn)品通過(guò)單線連接為你的產(chǎn)品添加存儲(chǔ)器！
1-Wire串行存儲(chǔ)器產(chǎn)品提供EEPROM和EPROM存儲(chǔ)矩陣，能夠通過(guò)單線1-Wire接口供
2009-04-20 23:22:421388 
NAS網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器的網(wǎng)絡(luò)管理 網(wǎng)絡(luò)
2010-01-09 10:21:32463 網(wǎng)絡(luò)連接存儲(chǔ)器,什么是網(wǎng)絡(luò)連接存儲(chǔ)器
NAS是一種直接掛接到網(wǎng)絡(luò)中的存儲(chǔ)設(shè)備,其允許客戶機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器,就像存儲(chǔ)器直接與它們的系
2010-04-06 09:55:551253 DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)NV SRAM，按
2010-11-07 09:37:51770 
網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器的概念簡(jiǎn)介，以及網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器的應(yīng)用分析，本文進(jìn)行相關(guān)的介紹。
2011-11-03 16:40:581129 行業(yè)領(lǐng)先的并行和串行NOR閃存芯片供應(yīng)商Spansion公司（紐約證交所代碼：CODE），日前宣布已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)512 Mb Spansion FL-S串行（SPI） NOR閃存，該芯片是業(yè)界單顆裸片最高容量的串行閃
2012-03-31 08:33:58933 串行EEPROM存儲(chǔ)器及應(yīng)用
2016-12-11 23:41:100 微機(jī)原理--存儲(chǔ)器管理
2016-12-14 15:07:030 FLASH存儲(chǔ)器又稱閃存 ，是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存
2017-10-11 14:11:3722155 FLASH存儲(chǔ)器又稱閃存，是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子
2017-10-11 15:16:1715617 2.4 I/O管理 ARM系統(tǒng)完成I/O功能的標(biāo)準(zhǔn)方法是使用存儲(chǔ)器映射I/O。這種方法使用特定的存儲(chǔ)器地址。當(dāng)從這些地址加載或向這些地址存儲(chǔ)時(shí)，它們提供I/O功能。某些ARM系統(tǒng)也可能有直接存儲(chǔ)器
2017-10-18 13:57:032 速率的8 I/O高功能OctaFlash Serial NOR快閃存儲(chǔ)器系列產(chǎn)品，資料傳輸速度更一舉突破250MHz而拔得頭籌。
2018-01-02 10:06:391443 32mb串行閃存133mhz多I/O SPI和四I/O QPI DTR接口數(shù)據(jù)手冊(cè)
2018-01-30 14:37:5020 嵌入式閃存市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者Spansion公司開(kāi)始生產(chǎn)最新低容量串行閃存系列以擴(kuò)大其產(chǎn)品陣容，并滿足消費(fèi)類市場(chǎng)和大中華區(qū)的更多應(yīng)用需求。最新4 Mb、8 Mb和16 Mb Spansion FL-2K
2018-04-22 11:32:001387 現(xiàn)代快閃存儲(chǔ)器控制器中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進(jìn)步，能夠克服快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存介質(zhì)固有的弱點(diǎn)，并幫助發(fā)揮出快閃存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。對(duì)于現(xiàn)代快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器系統(tǒng)而言，控制器的選擇比快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器本身更加重要，借由選擇合適的快閃存儲(chǔ)器控制器進(jìn)行應(yīng)用，可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-07 09:45:021255 代快閃存儲(chǔ)器控制器中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進(jìn)步，能夠克服快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存介質(zhì)固有的弱點(diǎn)，并幫助發(fā)揮出快閃存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。對(duì)于現(xiàn)代快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器系統(tǒng)而言，控制器的選擇比快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器本身更加重要，借由選擇合適的快閃存儲(chǔ)器控制器進(jìn)行應(yīng)用，可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-12 09:14:001396 日前，東芝（TOSHIBA）、西數(shù)（WD）等存儲(chǔ)器大廠分別宣布推出 96 層堆棧的 QLC 快閃存儲(chǔ)器，核心容量可達(dá) 1.33TB，單一模塊就可做到 2.66TB 容量。不過(guò)因 QLC 快閃存儲(chǔ)器
2018-07-26 18:01:002026 快閃存儲(chǔ)器的編程時(shí)間有時(shí)會(huì)很長(zhǎng)（對(duì)于大的存儲(chǔ)器或存儲(chǔ)器組可達(dá)1分鐘）。因此，此時(shí)不容許有其它元件的逆驅(qū)動(dòng)，否則快閃存儲(chǔ)器可能會(huì)受到損害。
2019-09-13 12:44:00720 Pmod SF3通過(guò)使用Micron的NOR閃存（N25Q256A）為用戶提供32MB的外接非易失性存儲(chǔ)器。通過(guò)使用SPI協(xié)議，用戶可以對(duì)閃存進(jìn)行寫(xiě)入和讀取。
產(chǎn)品特點(diǎn)：
2019-11-28 14:32:401127 
人們需要了解閃存存儲(chǔ)器和固態(tài)硬盤(pán)（SSD）正在徹底改變當(dāng)今IT基礎(chǔ)設(shè)施的原因，因?yàn)檫@些超級(jí)快速存儲(chǔ)的設(shè)備可以支持高端應(yīng)用和高性能存儲(chǔ)層。
2019-12-05 09:38:452880 串行接口存儲(chǔ)器廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類、汽車、電信、醫(yī)療、工業(yè)和 PC 相關(guān)市場(chǎng)。串行存儲(chǔ)器主要用于存儲(chǔ)個(gè)人偏好數(shù)據(jù)和配置/設(shè)置數(shù)據(jù)，是當(dāng)今使用的最為靈活的非易失性存儲(chǔ)器（Nonvolatile
2021-03-31 11:14:477 賽普拉斯型號(hào)CY15B104Q-LHXI主要采用先進(jìn)鐵電工藝的4Mbit非易失性存儲(chǔ)器。鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器或FRAM是非易失性的，并且執(zhí)行類似于RAM的讀取和寫(xiě)入操作。它提供了151年的可靠數(shù)據(jù)保留，同時(shí)消除了由串行閃存，EEPROM和其他非易失性存儲(chǔ)器引起的復(fù)雜性，開(kāi)銷和系統(tǒng)級(jí)可靠性問(wèn)題。
2021-05-16 16:59:521643 
賽普拉斯FM25V05-GTR是一款非易失性鐵電存儲(chǔ)器，采用先進(jìn)鐵電工藝的512Kb非易失性存儲(chǔ)器。主要提供了151年的可靠數(shù)據(jù)保留，同時(shí)消除了由串行閃存，EEPROM和其他非易失性存儲(chǔ)器
2021-06-08 16:32:20938 FM25CL64B-GTR是串行FRAM存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器陣列在邏輯上組織為8，192×8位，可使用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的串行外圍設(shè)備接口（SPI）總線進(jìn)行訪問(wèn)。FRAM的功能操作類似于串行閃存和串行EEPROM
2021-06-08 16:35:041683 應(yīng)用，包括智能卡、RFID、安全和許多其他需要高性能非易失性存儲(chǔ)器的應(yīng)用。本篇文章代理商英尚微電子介紹富士通串行FRAM存儲(chǔ)器64K MB85RS64。
2021-06-28 15:50:412599 
介質(zhì)用于各種應(yīng)用，包括智能卡、RFID、安全和許多其他需要高性能非易失性存儲(chǔ)器的應(yīng)用。富士通代理英尚微介紹富士通半導(dǎo)體128K串行接口FRAM MB85RS128B。
2021-06-28 15:52:461392 
意法半導(dǎo)體網(wǎng)站 www.st.com 提供以下文檔：? STM32F76xxx和STM32F77xxx基于32位MCU（RM0410）的高級(jí)ARM?? STM32微控制器系統(tǒng)存儲(chǔ)器啟動(dòng)模式
2021-12-08 21:06:229 數(shù)據(jù)。MB85RC04V使用的非易失性存儲(chǔ)單元的讀/寫(xiě)壽命提高到至少1012個(gè)周期，在數(shù)量上明顯優(yōu)于其他非易失性存儲(chǔ)產(chǎn)品。MB85RC04V鐵電存儲(chǔ)器在寫(xiě)入存儲(chǔ)器后不需要輪詢序列，例如閃存或E2PROM的情況。 特點(diǎn) ?位配置：512字×8位 ?兩線串行接口：完全由兩個(gè)端口控制：串行時(shí)鐘（SCL）和串行
2022-01-18 16:48:461069 芯片燒錄行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者-昂科技術(shù)近日發(fā)布最新的燒錄軟件更新及新增支持的芯片型號(hào)列表，其中Macronix旺宏電子的256Mb位串行NOR閃存MX25L25673GM已經(jīng)被昂科的通用燒錄平臺(tái)AP8000所支持。
2024-03-01 19:19:3060 
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