處理器間的通信 - Zynq SoC多處理器的兩個ARMA9內(nèi)核的通信與存儲

處理器間的通信

為AMP 設計創(chuàng)建應用之前，您需要考慮應用如何進行通信（如有需要）。最簡單的方法是使用片上存儲器。Zynq SoC 配備256KB 的片上SRAM，可從以下四個源地址進行訪問：
? 利用偵測控制單元（SCU）從任意內(nèi)核進行訪問；
? 利用SCU 通過AXI 加速器一致性端口（ACP）從可編程邏輯進行訪問；
? 利用片上存儲器（OCM）互聯(lián)通過高性能AXI 端口從可編程邏輯進行訪問；
? 也是利用OCM 從中央互聯(lián)進行訪問。

由于這些不同的訪問源都能對片上存儲器進行讀寫，因此尤為重要的一點是，在使用OCM 之前一定要首先詳細了解其的運行方式。

既然OCM 有多個訪問源，那么顯然應該定義一個仲裁和優(yōu)先級形式。由于偵測控制單元需要最低時延（SCU 既可以是處理器內(nèi)核也可以是AXI ACP 接口），因此SCU 從這些訪問源的讀操作就具有最高優(yōu)先級，緊接著是SCU 寫操作，然后是OCM 互聯(lián)讀/ 寫操作。用戶可通過將片上存儲器控制寄存器中的SCU 寫操作的優(yōu)先級設置為低來顛倒SCU 寫操作和OCM 互聯(lián)訪問的優(yōu)先級。

OCM 本身結構為128 位字，分成四個64KB 分區(qū)，并位于PS 地址空間的不同位置。初始配置下，前三個64KB 區(qū)塊布置在地址空間的起始位置，最后一個64KB 區(qū)塊置于地址空間的末尾（見圖5）。

簡單的片上存儲器實例

您可使用賽靈思I/O 函數(shù)訪問OCM，以便從所選的存儲器地址讀取和寫入數(shù)據(jù)。這些函數(shù)包含在Xil_IO.h 中，可支持在CPU 地址空間內(nèi)存儲和訪問8 位、16 位或32 位字符型、短整型或整型數(shù)據(jù)。使用這些函數(shù)時，只需知道您希望訪問的地址以及想要在此存儲的值即可。如果是寫操作，方法如下，

使用該技術時要確保兩個地址指向片上存儲器中的相同位置，尤其是當不同人編寫不同內(nèi)核程序時更應如此，為此更好的方法是使用共同的頭文件。該文件將包含針對特定傳輸?shù)南嚓P操作地址的宏定義，例如：

另一種備選方法是讓兩個程序都使用指示器來訪問存儲單元。您可以通過使用宏命令定義指向恒定地址的指示器（一般用C 語言）來實現(xiàn)這一點：

此外，您還可以對地址再次進行宏定義，以確保該地址為兩個應用程序的共用地址。這種方法無需使用賽靈思I/O 庫，而是通過指示器實現(xiàn)簡單訪問。

處理器間的中斷
Zynq SoC 中的每個內(nèi)核都有16 個軟件生成的中斷。如上文所提到的，每個內(nèi)核都能實現(xiàn)自身與另一個內(nèi)核或兩個內(nèi)核的中斷。使用軟件中斷與使用硬件中斷基本相似，區(qū)別只在于您如何觸發(fā)它們。若使用軟件中斷，正在接收的應用就無需針對更新數(shù)據(jù)而對目標存儲單元進行輪詢。

就像使用任何硬件中斷時一樣，您需要對兩個內(nèi)核中的通用中斷控制器進行配置。敬請參閱《賽靈思中國通訊》第52 期的“如何在Zynq SoC上使用中斷”以了解更多相關信息。

然后，您可以使用xscugic.h 中提供的XScuGic_SoftwareIntr 函數(shù)在正在更新的內(nèi)核中觸發(fā)軟件中斷。該命令將向該指定內(nèi)核發(fā)出一個軟件中斷，再由該內(nèi)核進行適當操作：

您必須為內(nèi)核0和內(nèi)核1應用對DDR存儲器進行正確分段，否則會存在其中一個應用破壞另一個應用的風險。

創(chuàng)建應用
將文件添加到庫之后，下個階段就是生成AMP 解決方案的三個重要部分：AMP 第一階段引導載入程序、內(nèi)核0應用和內(nèi)核1 應用。您必須為每個部分生成一個不同的板支持包（BSP）。

您需要做的第一件事是用SDK創(chuàng)建一個新的FSBL。選擇“新建應用項目”，創(chuàng)建一個支持AMP 的FSBL 項目。這與創(chuàng)建一般FSBL 的過程沒有什么不同。不過，這次您需要選擇“Zynq FSBL for AMP”模板，如圖3 所示。

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圖3 – 為AMP設計選擇第一階段引導載入程序

完成AMP FSBL 創(chuàng)建之后，接下來需要為第一個內(nèi)核創(chuàng)建應用。一定要選擇內(nèi)核0 和您的首選操作系統(tǒng)，并允許其創(chuàng)建自己的BSP，如圖4 所示。

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圖4 – 為內(nèi)核0創(chuàng)建應用和BSP

創(chuàng)建應用之后，您需要正確定義應用在DDR 存儲器中的位置（應用將從該位置執(zhí)行）。為此，您需要編輯圖5 中的鏈接器腳本，以顯示DDR 的基地址和大小。這一點很重要，因為如果沒有為內(nèi)核0 和內(nèi)核1應用對DDR 存儲器進行正確分段，就會存在其中一個應用破壞另一個應用的風險。

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圖5 – 內(nèi)核0的DDR位置和大小

完成分段之后，您現(xiàn)在可以編寫希望在內(nèi)核0 上執(zhí)行的應用，因為該內(nèi)核是AMP 系統(tǒng)中的主管。內(nèi)核0 必須啟動內(nèi)核1 應用的執(zhí)行。您需要將圖6 中的代碼段包含在應用中。這段代碼禁用片上存儲器上的高速緩存，并將內(nèi)核1 程序的起始地址寫到一個內(nèi)核1 將會訪問的地址。一旦內(nèi)核0 執(zhí)行Set Event（SEV）命令，內(nèi)核1 便開始執(zhí)行其程序。

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圖6 – 通過編碼禁用片上存儲器上的高速緩存

下一步是為內(nèi)核1 創(chuàng)建BSP。一定要使用修改后的獨立OS（standalone_amp，如圖7 所示），這一點很重要，因為它能防止PS 偵測控制單元的重新初始化。就這一點而言，在創(chuàng)建項目時不要像對待內(nèi)核0那樣允許其自動生成BSP。必須確保在CPU 選項中選擇內(nèi)核1。

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圖7 – 為內(nèi)核1創(chuàng)建BSP

既然您已經(jīng)為內(nèi)核1 創(chuàng)建了BSP，那么接下來首先需要修改BSP的設置，才能繼續(xù)創(chuàng)建您想要在內(nèi)核1 上運行的應用。這非常簡單，只需要向BSP 驅(qū)動器部分的配置中添加一個額外的編譯器標志：–DUSE_AMP=1。

這一步完成后，您就可以任意為內(nèi)核1 創(chuàng)建應用了。務必選擇內(nèi)核1 作為處理器，并使用您剛剛創(chuàng)建的BSP。創(chuàng)建新應用之后，您需要再次在DDR 存儲器中定義正確的存儲單元，而內(nèi)核1 程序?qū)拇颂巿?zhí)行。您可按照之前的方法通過編輯內(nèi)核1 應用的鏈接器腳本來完成設定。與第一個內(nèi)核一樣，在該應用中同樣要禁用片上存儲器上的高速緩存—— 該高速緩存可用來在這兩個處理器之間進行通信。

將所有組件完美整合

在創(chuàng)建應用和構建項目之后，您現(xiàn)在應已擁有以下組件：
? AMP FSBL ELF ；
? 內(nèi)核0 ELF ；
? 內(nèi)核1 ELF ；
? BIT 文件，用來為預期能夠?qū)崿F(xiàn)AMP 的Zynq 器件定義配置。

使用所提供的工具在Zynq SoC上創(chuàng)建非對稱多處理應用可以變得非常簡單。

為了使Zynq SoC 從所選的配置存儲器中引導，您需要一個.bin 文件。要創(chuàng)建該文件，您還需要一個BIF 文件。BIF 文件規(guī)定了應使用哪些文件創(chuàng)建BIN 文件以及它們的順序。不要使用SDK 中的“創(chuàng)建Zynq”引導映像，而應使用ISE? 設計套件命令提示符和BAT 文件（BAT 文件是XAPP1079 的一部分，位于下載目錄designworkootgen）。該目錄包含一個BIF 文件和一個cpu1_bootvec.bin，后者作為修改后的FSBL 的一部分，用于阻止其查找和加載更多應用。

要生成BIN 文件，您需要將生成的三個ELF 文件復制到bootgen 目錄，并對BIF 文件進行編輯以確保其中的ELF 名稱正確無誤（如圖8 所示）。

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圖8 – 修改BIF文件

現(xiàn)在您可打開一個ISE 命令提示符，并導航至bootgen 目錄。在這里運行createboot.bat。該步驟將創(chuàng)建boot.bin 文件（如圖9 所示）。

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圖9 – 創(chuàng)建將在Zynq SoC上運行的boot.bin文件

然后，您可將該文件下載到ZynqSoC 上的非易失性存儲器中。該器件的引導將使兩個內(nèi)核啟動并執(zhí)行其各自的程序。

使用所提供的工具在Zynq SoC上創(chuàng)建非對稱多處理應用可以變得非常簡單。使用片上存儲器或DDR 分區(qū)可以很容易地實現(xiàn)兩個內(nèi)核之間的通信。