新興存儲器技術(shù)是否會出現(xiàn)，它將涵蓋著哪些新技術(shù)

新興的內(nèi)存技術(shù)已經(jīng)出現(xiàn)了數(shù)十年，它們已經(jīng)達到了一個臨界點，在更多的應(yīng)用中它們才有意義。

到2029年，新興存儲器市場的總收入有望達到200億美元，這主要是通過取代如今效率較低的NOR閃存和SRAM等存儲器技術(shù)，甚至取代DRAM銷售額的一部分。隨著未來工藝的縮減以及規(guī)模經(jīng)濟的提高，它們還將與現(xiàn)有的存儲器技術(shù)更具競爭力，從而推動價格下降，從而使它們既可以作為獨立的芯片也可以被嵌入ASIC，微控制器甚至計算處理器中。

需要留意的三個主要新興記憶是PCRAM，MRAM和ReRAM。NOR閃存和SRAM是要替換的主要候選產(chǎn)品。盡管200億美元的數(shù)字聽起來令人印象深刻，但重要的是要記住，這是所有新興內(nèi)存的市場，MRAM和PCRAM主要以Intel Optane的形式占據(jù)主導(dǎo)地位。

3D XPoint的收入增長（再次以Intel Optane形式的PCRAM）定為收入，到2029年將達到160億美元，這要歸功于其子DRAM價格。同時獨立的MRAM和STT-RAM收入將接近40億美元，是MRAM在2018年收入的170倍以上。與ReRAM一起，MRAM預(yù)計將競爭取代SoC中的大部分嵌入式NOR和SRAM，甚至推動更大的收入增長。

新興的存儲器涵蓋了廣泛的技術(shù)，但是需要注意的關(guān)鍵是MRAM，PCRAM和ReRAM。已經(jīng)有一些離散的MRAM器件問世了，但是有很多關(guān)于代工廠使用專用芯片構(gòu)建ASIC并用非易失性選項代替易失性存儲器的討論。這將是最大的推動因素之一。

NOR閃存無法擴展到超過28納米，這也將注意力轉(zhuǎn)移到了替代產(chǎn)品上。過去，在嵌入式應(yīng)用程序（例如，MCU或ASIC）上擁有新興內(nèi)存的唯一原因是，您需要它具有一些技術(shù)屬性，但是卻總是增加成本。能夠使用較小的工藝節(jié)點替換NOR閃存的前景引起了人們的興趣。

值得關(guān)注的三個關(guān)鍵新興存儲器是PCRAM，MRAM和ReRAM，因為NOR閃存和SRAM是要替換的主要候選產(chǎn)品。

總體而言，新興存儲器的經(jīng)濟也在改善，因為代工廠商不一定必須添加另一個后端工藝，而是使其成為現(xiàn)有CMOS工藝的一部分，隨著產(chǎn)量的增加和制造成本的降低，制造成本降低了。產(chǎn)量提高。這是“ MRAM的黃金時代”，因為隨著代工廠商希望將其構(gòu)建到嵌入式芯片中，它有機會證明自己的數(shù)量，而PCRAM在其背后得到了英特爾Optane的支持。同時ReRAM 在人工智能和機器學(xué)習(xí)應(yīng)用中引起了很多關(guān)注。甚至FRAM仍然存在，作為某些應(yīng)用程序的黑馬競爭者。

但是要說出贏家還為時過早，盡管對新興內(nèi)存技術(shù)的前景很樂觀，但仍然很難在根深蒂固的技術(shù)上站穩(wěn)腳跟。即使經(jīng)濟狀況有所改善，也很難擺脫領(lǐng)導(dǎo)地位。如果不是成本領(lǐng)先者，那么與已確立的技術(shù)相比，擁有的所有這些令人贊嘆的技術(shù)優(yōu)勢實際上并不意味著很多。

fqj