方案概述指紋掛鎖方案采用ACH512或ACM32FP4指紋芯片和88*112傳感器，指紋識(shí)別速度快，BOM成本低，非常適合掛鎖、內(nèi)門鎖、箱包鎖、箱柜鎖等場(chǎng)景。方案特點(diǎn)? 主控+算法單芯片
2024-03-12 11:46:56
如下圖所示，GD32F4系列內(nèi)部SRAM分為通用SRAM空間和TCMSRAM空間，其中通用SRAM為從0x20000000開始的空間，TCMSRAM為從0x10000000開始的64KB空間。大家
2024-02-24 09:43:16
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MRAM是以磁性隧道結(jié)（MTJ）儲(chǔ)存單元為基礎(chǔ)。MTJ中包含了一個(gè)維持單一極性方向的固定層，和一個(gè)通過隧道結(jié)與其隔離的自由層。當(dāng)自由層被施予和固定層相同方向的極化時(shí)，MTJ的隧道結(jié)便會(huì)顯現(xiàn)出低電阻特性;反之MTJ便會(huì)有高電阻。
2024-02-19 11:32:41367 
DRAM稼動(dòng)率緩步改善，業(yè)界認(rèn)為，整體DRAM投片量從2024年第1季將逐季提升，較2023年第4季小幅提升約5%左右，下半年投片量回升速度將明顯加快。
2024-01-23 10:53:04159 據(jù)報(bào)道，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造公司臺(tái)積電在次世代MRAM存儲(chǔ)器相關(guān)技術(shù)方面取得了重大進(jìn)展。該公司成功開發(fā)出自旋軌道轉(zhuǎn)矩磁性存儲(chǔ)器（SOT-MRAM）陣列芯片，并搭配創(chuàng)新的運(yùn)算架構(gòu)，使其功耗僅為其他類似技術(shù)的1%。
2024-01-19 14:35:126646 臺(tái)積電在MRAM技術(shù)方面已經(jīng)取得了顯著進(jìn)展，成功研發(fā)了22納米、16/12納米工藝的MRAM產(chǎn)品線，并積累了大量?jī)?nèi)存和車用市場(chǎng)訂單。
2024-01-18 16:44:044838 ：蔡司X光工業(yè)CT檢測(cè)設(shè)備能夠提供高精度和分辨率的3D圖像，能夠更好地識(shí)別產(chǎn)品中的缺陷、異物或其他問題，有效確定產(chǎn)品是否符合特定的設(shè)計(jì)規(guī)范。3.檢測(cè)速度快：相較于傳
2024-01-15 16:44:18272 
,IFFT.
2. 如果僅考慮32BIT的定點(diǎn)DSP運(yùn)算，比如FIR,DFFT,IFFT等，ADSP-CM403BSWZ-CF（240Mhz)和ADSP BF518(400Mhz)相比到底誰速度快?
2024-01-15 06:04:12
通常我們將存儲(chǔ)容量表示為：字?jǐn)?shù)X位數(shù)，比如64KX8位，其含義為，以8位構(gòu)成一個(gè)字，一共有64個(gè)字。這個(gè)概念要相當(dāng)熟悉，后面理解題目很有用。
2024-01-09 14:54:25223 
NRAM是一個(gè)近些年出現(xiàn)的新東西，它具備眾多優(yōu)點(diǎn)：可以DRAM的速度提供非易失性，具有超越DRAM芯片的可擴(kuò)展性和對(duì)閃存的超強(qiáng)耐久性的潛力。
2024-01-09 13:56:42446 
MRAM是以磁性隧道結(jié)（MTJ）儲(chǔ)存單元為基礎(chǔ)。MTJ中包含了一個(gè)維持單一極性方向的固定層，和一個(gè)通過隧道結(jié)與其隔離的自由層。當(dāng)自由層被施予和固定層相同方向的極化時(shí)，MTJ的隧道結(jié)便會(huì)顯現(xiàn)出低電阻特性;反之MTJ便會(huì)有高電阻。
2024-01-09 11:15:26200 
賽普拉斯的NV-SRAM將標(biāo)準(zhǔn)快速SRAM單元（訪問時(shí)間高達(dá)20 ns）與基于硅氧化物和亞硝酸鹽，氧化物硅（SONOS）的非易失性存儲(chǔ)元件相結(jié)合，可提供快速的異步讀寫訪問速度，并在其整個(gè)工作范圍內(nèi)具有20年的數(shù)據(jù)保留。
2024-01-09 10:54:28171 
最近，Imec公布的超大規(guī)模自旋軌道轉(zhuǎn)移MRAM (SOT-MRAM) 器件已實(shí)現(xiàn)創(chuàng)紀(jì)錄的性能，每比特開關(guān)能量低于100飛焦耳，耐用性超過10的15次方。
2024-01-05 11:47:18428 
我在用LTspice做電源仿真的時(shí)候，我發(fā)現(xiàn)仿真的速度很慢，該如何設(shè)置LTspice來讓仿真的速度快一些，thanks
2024-01-05 07:03:07
之間的電氣距離，判斷故障是否在保護(hù)范圍內(nèi)，從而采取適當(dāng)?shù)谋Ｗo(hù)動(dòng)作。本文將詳細(xì)介紹距離保護(hù)的優(yōu)點(diǎn)以及工作原理。 首先，距離保護(hù)具有以下幾個(gè)優(yōu)點(diǎn)： 1. 速度快：距離保護(hù)是基于電氣距離的測(cè)量，可以迅速地檢測(cè)故障并及時(shí)采取措施，有效保護(hù)電力系統(tǒng)
2023-12-18 15:44:18480 SRAM (Static Random Access Memory)是一種高速、隨機(jī)訪問的存儲(chǔ)器，它以其快速的讀寫操作和不需要刷新的特點(diǎn)而受到廣泛使用。本文將詳細(xì)介紹SRAM的讀寫電路設(shè)計(jì)
2023-12-18 11:22:39496 SSD硬盤的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)? SSD（固態(tài)硬盤）是一種基于閃存存儲(chǔ)器來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)設(shè)備，與傳統(tǒng)的機(jī)械硬盤（HDD）相比，SSD具有明顯的優(yōu)勢(shì)和一些缺點(diǎn)。下面將詳細(xì)介紹SSD硬盤的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。 優(yōu)點(diǎn)
2023-12-11 11:32:57439 dram和nand的區(qū)別? DRAM和NAND是兩種不同類型的存儲(chǔ)器。DRAM（Dynamic Random Access Memory）是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，而NAND（Not AND）是一種邏輯
2023-12-08 10:32:003905 本模塊采用 BQT009 無線充電方案，能對(duì)市場(chǎng)所有支持 QI 無線充電的手機(jī)充電，充電速度快，充電效率高達(dá) 87.8%，芯片溫升低。支持各種快充適配器，擁有完善的保護(hù)電路，簡(jiǎn)潔的電路實(shí)現(xiàn)了無線充電
2023-12-07 14:16:03
DRAM制造技術(shù)進(jìn)入10nm世代（不到20nm世代）已經(jīng)過去五年了。過去五年，DRAM技術(shù)和產(chǎn)品格局發(fā)生了巨大變化。因此，本文總結(jié)和更新了DRAM的產(chǎn)品、發(fā)展和技術(shù)趨勢(shì)。
2023-11-25 14:30:15536 
芯片制造商正在使用更多的DRAM。在某些情況下，DRAM——尤其是高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）——正在取代一些SRAM。DRAM在耐用性方面有著良好的記錄，也有成熟的工藝，而且比SRAM便宜得多
2023-11-22 16:36:08476 
目前三星仍然是全球?qū)＠谝唬?002年三星宣布研發(fā)MRAM，2005年三星率先研究STT-MRAM，但是此后的十年間，三星對(duì)MRAM的研發(fā)一直不溫不火，成本和工藝的限制，讓三星的MRAM研發(fā)逐漸走向低調(diào)。
2023-11-22 14:43:53213 
毫米波和短距離無線通信具有傳輸速度快、數(shù)據(jù)容量大等優(yōu)點(diǎn)，是物聯(lián)網(wǎng)的重要組成部分。
2023-11-17 15:48:22232 
DRAM有多種類型可供選擇。有些速度非?？欤鏗BM，但也很昂貴。其他類型速度較慢，但價(jià)格便宜，如基本的DDR DIMM。然而，變化的是，在異構(gòu)架構(gòu)中，兩者都可以發(fā)揮重要作用，以及多種其他DRAM類型和更狹義的存儲(chǔ)器，如MRAM或ReRAM。
2023-11-15 11:27:13243 
請(qǐng)問使用c語言給單片機(jī)編寫的程序在運(yùn)行的時(shí)候if語句運(yùn)行的快，還是switch語句執(zhí)行的速度快？在優(yōu)化之前的人寫的程序，有人看到程序中使用了大量的if條件判斷語句，就說這個(gè)程序運(yùn)行的效率低，寫的不好！說switch語句好，執(zhí)行效率高。請(qǐng)問是這樣嗎？但是我覺得對(duì)于單片機(jī)來說是不是都差不多呢？
2023-11-08 06:55:33
電機(jī)與電池容量、控制器、速度有什么關(guān)系？ 電機(jī)、電池容量、控制器和車輛速度之間存在密切的關(guān)系。在現(xiàn)代電動(dòng)車輛中，這些組件的選擇和匹配是至關(guān)重要的，它們影響著車輛的性能、續(xù)航里程和駕駛體驗(yàn)。下面
2023-11-06 11:19:27571 筆電DDR5 16Gb SO-DIMM 高容量存儲(chǔ)器模組合約價(jià)，10 月也較9 月上漲11.5%，到每單位33 美元。智能手機(jī)DRAM合約價(jià)也開始漲價(jià)。TrendForce 預(yù)計(jì)第四季行動(dòng)DRAM
2023-11-03 17:23:09959 高頻PCB板材：高可靠性、信號(hào)傳輸速度快
2023-11-02 10:26:20305 低、容量大等特點(diǎn)，但由于使用電容存儲(chǔ)信息，存取速度難以提高，而CPU每執(zhí)行一條指令都要訪問一次或多次主存，DRAM的讀寫速度遠(yuǎn)低于CPU速度，因此為了實(shí)現(xiàn)速度上的匹配，只能在CPU指令周期中插入wait狀態(tài)，高速CPU處于等待狀態(tài)將大大降低系統(tǒng)的執(zhí)行效率。 由于SRAM采用了與
2023-10-31 11:53:54333 在2023年2月在國(guó)際學(xué)會(huì)ISSCC上，三星電子正是披露了公司研發(fā)的存儲(chǔ)容量為24Gbit的DDR5 DRAM的概要（下圖左）和硅芯片（下圖右）。
2023-10-29 09:46:58783 
三星電子在此次會(huì)議上表示：“從2023年5月開始批量生產(chǎn)了12納米級(jí)dram，目前正在開發(fā)的11納米級(jí)dram將提供業(yè)界最高密度?！绷硗?，三星正在準(zhǔn)備10納米dram的新的3d構(gòu)架，并計(jì)劃為一個(gè)芯片提供100gb （gigabit）以上的容量。
2023-10-23 09:54:24485 AT32 部分型號(hào)有零等待閃存和非零等待閃存，程序在零等待閃存執(zhí)行速度比在非零等待閃存執(zhí)行速度快，如果有函數(shù)對(duì)執(zhí)行速度有要求，可以將該函數(shù)加載到零等待區(qū)執(zhí)行。當(dāng)零等待閃存使用完后，如果還有函數(shù)對(duì)執(zhí)行速度有要求，可以將該函數(shù)加載到 SRAM 執(zhí)行，前提是SRAM 還有足夠的空間存放該函數(shù)代碼。
2023-10-20 06:10:59
用FMSC讀取flash的速度快還是用QSPI的速度更快
2023-10-12 07:11:28
在當(dāng)前我們比較熟悉的存儲(chǔ)產(chǎn)品就是DRAM和NAND，DRAM和NAND也一直在尋求高帶寬和低功耗的發(fā)展。
2023-10-07 10:18:221688 
硬件面試的時(shí)候，看到應(yīng)聘者簡(jiǎn)歷上寫著，有過AMD工作或?qū)嵙?xí)經(jīng)歷，熟悉CPU和內(nèi)存。于是我問，那請(qǐng)你畫一下SRAM和DRAM的基本cell出來，然后簡(jiǎn)要說一下工作原理及特點(diǎn)，但是沒能說出來。
2023-10-01 14:08:002382 
如何提高SRAM的讀取速度
2023-09-28 06:28:57
內(nèi)存應(yīng)該是每個(gè)硬件工程師都繞不開的話題，稍微復(fù)雜一點(diǎn)的系統(tǒng)都需要用到DRAM，并且DRAM是除CPU之外，最為復(fù)雜也最貴的核心部件了，其設(shè)計(jì)，仿真，調(diào)試，焊接，等等都非常復(fù)雜，且重要。對(duì)DRAM
2023-09-25 11:38:421902 
1.單片機(jī)Web服務(wù)器傳輸速度快、有成熟的。協(xié)議棧軟件可以利用2.外圍芯片少，成本低，開發(fā)速度快3.Web瀏覽器廣泛使用4.社會(huì)需求量大
2023-09-25 08:25:17
oled0.96寸屏spi和i2c驅(qū)動(dòng)那個(gè)刷屏速度快
2023-09-25 08:21:47
通常需要在芯片內(nèi)配置大容量的SRAM來減少片外DRAM的訪存需求，如何組織SRAM，并且配合上述計(jì)算流程，也是一個(gè)重要的設(shè)計(jì)內(nèi)容。
2023-09-22 14:16:49381 
為什么半導(dǎo)體中的空穴沒有電子的移動(dòng)速度快？? 半導(dǎo)體中的空穴和電子是半導(dǎo)體中重要的載流子。在半導(dǎo)體材料中，空穴是由于半滿能帶中的電子被激發(fā)而留下的缺陷。這個(gè)缺陷可以看做一種正電荷，在電場(chǎng)作用下，空穴
2023-09-21 16:09:441772 使用MM32F3270 FSMC驅(qū)動(dòng)SRAM
2023-09-18 16:29:50918 
有傳聞稱，三星緩存DRAM將使用與hbm不同的成套方式。hbm目前水平連接到gpu，但緩存d內(nèi)存垂直連接到gpu。據(jù)悉，hbm可以將多個(gè)dram垂直連接起來，提高數(shù)據(jù)處理速度，因此，現(xiàn)金dram僅用一個(gè)芯片就可以儲(chǔ)存與整個(gè)hbm相同數(shù)量的數(shù)據(jù)。
2023-09-08 09:41:32399 作為一種磁性技術(shù)，MRAM本質(zhì)上是抗輻射的。這使得獨(dú)立版本在航空航天應(yīng)用中很受歡迎，而且這些應(yīng)用對(duì)價(jià)格的敏感度也較低。它相對(duì)較大，在內(nèi)存領(lǐng)域，尺寸意味著成本。
2023-08-30 15:28:50407
在 CPU 上推斷出 FP32 模型格式和 FP16 模型格式。
FP32 模型格式的推斷速度比 FP16 模型格式快。
無法確定推斷 FP32 模型格式的原因比 CPU 上的 FP16 模型格式快。
2023-08-15 08:03:04
小文件，讀寫速度都可以保持在一個(gè)穩(wěn)定的狀態(tài)，同時(shí)在反復(fù)擦寫、異常掉電等特殊場(chǎng)景都具有良好表現(xiàn)，且芯片溫寬達(dá)到-25℃到85℃，同時(shí)兼具SLC的優(yōu)點(diǎn)和MLC的性價(jià)比，是工業(yè)存儲(chǔ)設(shè)備不二選擇。
2023-08-11 10:48:34
SRAM型FPGA屬于核心元器件，因此對(duì)SRAM型FPGA進(jìn)行抗輻照加固設(shè)計(jì)非常必要。今天貧道主要給大家布道一下SRAM型FPGA在軌會(huì)遇到的問題及其影響。
2023-08-11 10:32:461086 
SRAM型FPGA屬于核心元器件，因此對(duì)SRAM型FPGA進(jìn)行抗輻照加固設(shè)計(jì)非常必要。今天貧道主要給大家布道一下SRAM型FPGA在軌會(huì)遇到的問題及其影響。
2023-08-11 10:30:451264 
動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備，如現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)。 技術(shù)進(jìn)步驅(qū)動(dòng)了DRAM的微縮，隨著技術(shù)在節(jié)點(diǎn)間迭代，芯片整體
2023-08-08 14:24:12744 
動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備，如現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)。
2023-08-03 12:27:03649 
DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲(chǔ)器是一種易失性存儲(chǔ)器，意味著當(dāng)斷電時(shí)，存儲(chǔ)在其中的信息會(huì)丟失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM使用電容來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，電容需要持續(xù)地充電來保持?jǐn)?shù)據(jù)的有效性。一旦斷電，電容會(huì)迅速失去電荷，導(dǎo)致存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:032204 激光三維成像技術(shù)是一種三維空間信息收集技術(shù)，有著高精度、高密度測(cè)點(diǎn)、信息豐富、高度自動(dòng)化的數(shù)據(jù)處理和高度數(shù)字化產(chǎn)品等優(yōu)點(diǎn)。這在測(cè)量領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。三維激光掃描技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)是：1.高精度
2023-07-14 14:34:55505 
元器件原理＜DRAM＞ 由1個(gè)晶體管、1個(gè)電容器構(gòu)成 數(shù)據(jù)的寫入方法 ＜“1” 時(shí)＞ Word線電位為 high Bit線電位為 high Word線電位為 low 元器件原理＜SRAM＞ 存儲(chǔ)單元
2023-07-12 17:29:08754 
UV三防漆（電防膠）是一種通過紫外線輻射固化的涂料，其固化速度快的特點(diǎn)可有效防止漆膜表面起皺、脫落等現(xiàn)象發(fā)生。但是在實(shí)際施膠過程中，UV三防漆固化速度會(huì)受不同因素影響，那么影響UV三防漆的固化速度因素有哪些？
2023-07-06 17:29:53377 光電液位傳感器是一種利用光電原理進(jìn)行液位檢測(cè)的傳感器，其優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用如下：
優(yōu)點(diǎn)：
精度高：光電液位傳感器具有高精度的檢測(cè)能力，能夠精確測(cè)量液體的水平高度，誤差小于0.5%。
反應(yīng)速度快：光電液位
2023-06-26 13:59:50
N76E003與傳統(tǒng)51的速度對(duì)比哪個(gè)快？
2023-06-25 08:49:26
MRAM在數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用中，數(shù)據(jù)記錄是如下持續(xù)、反復(fù)地將重要數(shù)據(jù)保存于設(shè)備的過程?？梢杂涗浵到y(tǒng)內(nèi)外部發(fā)生的事件；使用歷史；環(huán)境參數(shù) ；機(jī)器狀態(tài)；用于分析目的的其他數(shù)據(jù)。因需要持續(xù)、反復(fù)地保存數(shù)據(jù)，內(nèi)存需要快速的寫入速度與高耐久性。
2023-06-20 17:06:22219 鋰離子電池容量和充電速率是兩個(gè)重要的電池局限，容量受限于電荷密度，即電池的兩極能容納多少鋰離子，充電速率則受限于鋰離子從電解液到達(dá)負(fù)極的速度。
2023-06-07 16:54:57819 MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中。
2023-06-07 16:49:02544 
RS485總線具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、通信距離遠(yuǎn)、通信速度快、成本低等優(yōu)點(diǎn)。
2023-06-07 10:14:011198 
內(nèi)部默認(rèn)
加速器時(shí)鐘 1000 MHz
設(shè)計(jì)峰值 SRAM 帶寬 16.00 GB/s
設(shè)計(jì)峰值 DRAM 帶寬 3.75 GB/s
使用的 SRAM 總量 370.91 KiB
使用的 DRAM
2023-06-05 11:36:22
Everspin型號(hào)MR0A16A容量為1Mbit的MRAM存儲(chǔ)芯片，組織為16位的65536個(gè)字。提供與SRAM兼容的35ns讀/寫時(shí)序，續(xù)航時(shí)間無限制。數(shù)據(jù)在20年以上的時(shí)間內(nèi)始終是非易失性的。
2023-05-31 17:23:08403 光纜光纖作為綜合布線線材的兩大巨頭，經(jīng)常有人會(huì)拿兩者做比較，光纜和光纖哪個(gè)速度快是眾多問題中流量較大的一個(gè)，今天科蘭布線小編將圍繞這一問題進(jìn)行解答。 光纜和光纖哪個(gè)速度快?兩者不是一個(gè)層面上的，光纜
2023-05-29 10:53:01283 DRAM 連接32位SDRAM時(shí)，最大支持64Mx32bit？
2023-05-26 07:27:07
RAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前讀寫最快的存儲(chǔ)設(shè)備了，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一級(jí)緩沖，二級(jí)緩沖。另一種稱為動(dòng)態(tài)RAM（Dynamic RAM
2023-05-19 15:59:37
雙向衛(wèi)星通信具有覆蓋范圍廣、傳輸速度快、通信質(zhì)量高、通信成本低和通信安全性高等優(yōu)點(diǎn)，可以為企業(yè)和機(jī)構(gòu)提供更加高效、安全、可靠的通信服務(wù)。
2023-05-18 18:07:5913397 我正在使用 IMXRT 1024 微控制器并且 RTC 有問題。
首先，我們使用 SDK 示例中提供的 SNVS_lp_srtc 示例程序。RTC 時(shí)間運(yùn)行速度快于實(shí)時(shí)值。內(nèi)部 RC 振蕩器和外部晶體振蕩器（32.768Khz）的結(jié)果相同。
2023-05-18 07:30:20
其數(shù)據(jù)始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的續(xù)航特性，它適用于工業(yè)設(shè)計(jì)中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲(chǔ)器和工作存儲(chǔ)器。
2023-05-12 16:31:39268 如何使用 QDR(TM) II SRAM 和 DDR II SRAM 用戶手冊(cè)
2023-04-27 20:25:40
6 S3A1604是一種NETSOL MRAM存儲(chǔ)芯片。具有SPI總線接口、XIP(就地執(zhí)行)性能和基于硬件/軟件的數(shù)據(jù)保護(hù)系統(tǒng)?？梢匀〈哂邢嗤δ芎头且资缘拈W存、FeRAM或（nv）SRAM。提供SPI、DSPI、QSPI等模式，以允許帶寬擴(kuò)展選項(xiàng)。
2023-04-27 17:33:44420 我正在使用 S32k358 uC，我想禁用內(nèi)存區(qū)域的數(shù)據(jù)緩存。在框圖中，我看到樹形 SRAM 塊 SRAM0、SRAM1、SRAM2。是否可以禁用 SRAM2 的數(shù)據(jù)緩存并保留 SRAM 0 和 SRAM1 的數(shù)據(jù)緩存？
2023-04-23 08:01:09
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶） SK海力士近日發(fā)布全球首次實(shí)現(xiàn)垂直堆疊12個(gè)單品DRAM芯片，成功開發(fā)出最高容量24GB的HBM3 DRAM新產(chǎn)品。
2023-04-23 00:01:002616 
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2023-04-19 17:45:462544 光纖通信技術(shù)作為一種傳輸速度快、容量大、干擾小、傳輸距離遠(yuǎn)等優(yōu)點(diǎn)突出的通信技術(shù)，已被廣泛應(yīng)用于電力通信領(lǐng)域。
2023-04-19 15:21:46401 在電路中，變頻器可以通過頻率來控制馬達(dá)速度的快慢，但我不想不通，為什么通過改變頻率就可以來控制馬達(dá)的速度快慢的?。吭诳刂齐娐分?，變頻器是不是可以叫做變速器？ 在電路中變頻器是如何起到控制作用的？它的工作原理是什么？各位大哥大姐們，我救急啊，望大家?guī)蛶兔?...
2023-04-18 16:38:22
我想將 iMX RT1024 連接到 MR5A16A MRAM MR5A16A MRAM 數(shù)據(jù)表聲明它與 SRAM 接口兼容但是，通過比較 MR5A16A 數(shù)據(jù)表和 iMX RT1024 參考手冊(cè)
2023-04-17 07:52:33
STT-MRAM它具有SPl總線接口、XIP（就地執(zhí)行）功能和基于硬件/軟件的數(shù)據(jù)保護(hù)機(jī)制。SPl（串行外圍接口）是一個(gè)帶有命令、地址和數(shù)據(jù)信號(hào)的同步串行通信接口。
2023-04-07 17:02:07758 自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)在性能方面又超過了現(xiàn)有幾乎所有的存儲(chǔ)器，因此有可能會(huì)贏得巨大的市場(chǎng)(見表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣
2023-04-07 16:41:05
8Mb MRAM MR3A16ACMA35采用48引腳BGA封裝。MR3A16ACMA35的優(yōu)點(diǎn)與富士通FRAM相比，升級(jí)到Everspin MRAM具有許多優(yōu)勢(shì)：?更快的隨機(jī)訪問操作時(shí)間?高可靠性和數(shù)
2023-04-07 16:26:28
SRAM可以分為低速、中速、高速。===========================================================16位寬的SRAM//16BITSRAM指針
2023-04-06 15:13:03554 
大家好，請(qǐng)問大家知道如何在SDK1.9中修改U-Boot for P2020的2G DRAM大小嗎？我嘗試更改p1_p2_rdb_pc.h，但是uboot 無法運(yùn)行，見日志如下。還有一個(gè)
2023-04-03 06:40:26
今天就帶你詳細(xì)了解一下到底什么是SRAM，在了解SRAM之前，有必要先說明一下RAM：RAM主要的作用就是存儲(chǔ)代碼和數(shù)據(jù)供CPU在需要的時(shí)候調(diào)用。
2023-03-30 14:11:51587 
在PLC(可編程邏輯控制器)產(chǎn)品中，MRAM芯片的應(yīng)用也日漸普及，本文將介紹MRAM芯片應(yīng)用于PLC產(chǎn)品上的特性。--代理商：吉芯澤科技
2023-03-29 16:31:221169 
所有人的認(rèn)知！確實(shí)，普通電容很難做到，但是超級(jí)電容可以！超級(jí)電容憑著快速充電、大容量等優(yōu)點(diǎn)，開創(chuàng)出電容驅(qū)動(dòng)汽車的先河。據(jù)悉， 每輛超級(jí)電容公交車底部都裝有超級(jí)電容，而站臺(tái)則被改造成帶有充電樁的充電站
2023-03-28 10:21:44
高性能永磁式剎車器，性價(jià)比高，力矩大，低噪聲，發(fā)熱量小，反應(yīng)速度快。
2023-03-24 13:40:49
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