嵌入式鐵電存儲器可實現(xiàn)超低功耗微控制器的設(shè)計。將鐵電存儲器添加到微控制器中可以進行快速可靠的非易失性數(shù)據(jù)存儲與處理，是存儲系統(tǒng)狀態(tài)、數(shù)據(jù)記錄及在多種應(yīng)用的非易失性的理想選擇，例如傳感器與計量儀表到
2024-03-06 09:57:22
TC364 微控制器是否支持外部存儲器？
根據(jù)我的閱讀，外部總線接口用于外部存儲器。 在該微控制器的數(shù)據(jù)手冊中，我看到外部總線為 0。
2024-03-04 06:13:37
通過多級存儲器的設(shè)計，存儲器層次結(jié)構(gòu)能夠在存儲容量和訪問速度之間找到一個平衡點。高速緩存存儲器和主存儲器提供了快速的訪問速度，而輔助存儲器則提供了大量的存儲空間。
2024-02-19 13:54:42
121 
1) 允許一個物理內(nèi)存（即 XRAM) 可同時作為程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器進行訪問
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器。
1) 用于存儲 scr 程序的程序存儲器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲器。
2024-01-30 08:18:12
據(jù)報道，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造公司臺積電在次世代MRAM存儲器相關(guān)技術(shù)方面取得了重大進展。該公司成功開發(fā)出自旋軌道轉(zhuǎn)矩磁性存儲器（SOT-MRAM）陣列芯片，并搭配創(chuàng)新的運算架構(gòu)，使其功耗僅為其他類似技術(shù)的1%。
2024-01-19 14:35:126646 ADuCM360/1是否支持存儲器到存儲器DMA傳輸？
2024-01-15 07:43:09
MRAM或磁性隨機存取存儲器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態(tài)”的1晶體管–1磁性隧道結(jié)（1T-1MTJ）體系結(jié)構(gòu)作為數(shù)據(jù)存儲元素。
2024-01-09 14:24:03208 
CPU的核心功能包括數(shù)據(jù)運算和指令控制。CPU運算的數(shù)據(jù)和執(zhí)行的指令全部存儲在CPU的寄存器中，這些數(shù)據(jù)和指令又都來自于CPU高速緩存。
2024-01-02 16:01:48662 
靠近 CPU 的小、快速的高速緩存存儲器（cache memory）做為一部分存儲在相對慢速的主存儲器（main memory）中數(shù)據(jù)和指令的緩沖區(qū)域。
2023-12-25 09:21:50242 
描述AT28C256是一種高性能的電可擦可編程只讀存儲器。它的256K內(nèi)存由8位的32，768個字組成。該器件采用Atmel先進的非易失性CMOS技術(shù)制造，訪問時間高達150 ns，功耗僅為440
2023-12-08 15:05:01
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據(jù)。 該芯片
2023-11-27 16:41:47
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據(jù)
2023-11-27 16:37:59
易失性存儲和精確的實時時鐘，本文推薦使用國產(chǎn)PB85RS2MC鐵電存儲器用于該存儲系統(tǒng)中。鐵電存儲器PB85RS2MC在系統(tǒng)主要是實現(xiàn)數(shù)據(jù)的非易失性存儲和的實時時
2023-11-27 10:17:05
單片機的存儲器主要有幾個物理存儲空間
2023-11-01 06:22:38
單片機的存儲器從物理上可劃分為4個存儲空間，其存儲器的空間范圍是多少？
2023-11-01 06:20:34
SRAM是目前最成熟的易失性高速存儲器，通常由6管（6T）實現(xiàn)數(shù)據(jù)的讀寫，可以用做CPU和內(nèi)存（DRAM）之間的高速緩存。
2023-10-31 17:46:551259 
描述AT28C256是一種高性能的電可擦可編程只讀存儲器。它的256K內(nèi)存由8位的32，768個字組成。該器件采用Atmel先進的非易失性CMOS技術(shù)制造，訪問時間高達150 ns，功耗僅為440
2023-10-26 10:45:10
大家有誰知道AT89C52怎么選擇外部存儲器，我之前用的是P89V51，選擇外部存儲器是定義AUXR=0x02;，但是現(xiàn)在想用AT89C52單片了，程序該怎么改了??？？AT89C52手??冊上找不到怎么選擇外部存儲器說明，各位高手有誰知道啊 ？?
2023-10-26 06:11:25
EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器
2023-10-24 15:38:16
存儲器測試問題怎么才能穩(wěn)定
2023-10-17 06:51:11
使用，需要增添片外存儲器。因此鐵電存儲器（FRAM）是便攜式醫(yī)療設(shè)備的理想解決方案。1、高寫入耐久度PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存
2023-10-16 10:13:25
怎么隨機存取存儲器ram中的存儲單元
2023-09-28 06:17:04
眾所周知，鐵電存儲器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機存儲器。本文所提到的國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC在數(shù)據(jù)保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《管理基于Cortex-M7的MCU的高速緩存一致性.pdf》資料免費下載
2023-09-25 10:11:48
0 如何檢測24c存儲器容量
2023-09-25 06:48:32
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《利用MPLAB Harmony v3在Cortex-M7（SAM S70/E70/V70/V71）MCU上創(chuàng)建不可高速緩存的存儲區(qū).pdf》資料免費下載
2023-09-20 11:50:460 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《利用MPLAB Harmony v3在Cortex-M7 MCU上在運行時使用高速緩存維護操作處理高速緩存一致性問題.pdf》資料免費下載
2023-09-20 11:40:240 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用MPLAB Harmony v3基于PIC32MZ MCU在運行時使用高速緩存維護操作處理高速緩存一致性問題.pdf》資料免費下載
2023-09-19 16:28:100 典型的SoC存儲體系包括處理器內(nèi)部的寄存器、高速緩存（Cache）、片內(nèi)ROM、片外主存。其中，內(nèi)部寄存器通常由十幾個到幾十個構(gòu)成，用于緩存程序運行時頻繁使用的數(shù)據(jù)（局部變量、函數(shù)參數(shù)等）。
2023-09-19 09:30:301434 
STM32MP151A/D器件基于高性能ARM?Cortex?-A7 32位RISC內(nèi)核，運行頻率高達800 MHz。
Cortex-A7處理器包括一個32K字節(jié)的一級指令高速緩存、一個32K字節(jié)
2023-09-13 07:23:32
片上閃存特性和系統(tǒng)框圖
? 存儲空間組織架構(gòu)
? 用戶閃存
? 系統(tǒng)閃存
? OTP
? 選項字節(jié)
? 閃存讀接口
? 等待周期
? 指令預(yù)取
? 指令高速緩存
? 數(shù)據(jù)高速緩存
? 擦除和編程操作
? 讀保護和寫保護
? STM32F2和STM32F1的閃存特性比較
2023-09-13 07:10:38
閃存。
主32位AHB5多層總線矩陣，位于中央圖中的11個主設(shè)備和10個從設(shè)備互連。
128位AHB5指令高速緩存再填充總線矩陣為由兩個128位接口和兩個32位接口組成接口。
128位接口是連接到的從0端口到閃存的指令緩存和主0端口存儲器接口或FLITF。
2023-09-08 06:48:06
什么是高速緩存？? 高速存儲器塊，包含地址信息（通常稱作TAG）和相關(guān)聯(lián)的數(shù)據(jù)。? 目的是提高對存儲器的平均訪問速度? 高速緩存的應(yīng)用基于下面兩個程序的局部性 ：? 空間局部性：如果一個存儲器的位置
2023-09-07 08:22:51
下表中列出的 STM32 微控制器(MCU)中。這些緩存使用戶從內(nèi)部和外部存儲器提取指令和數(shù)據(jù)時或在用于外部存儲器的數(shù)據(jù)流量時提高應(yīng)用性能并降低功耗。本文檔提供了典型示例，以強調(diào) ICACHE 和 DCACHE 功能，并便于配置。
2023-09-07 07:51:27
1.具有雙發(fā)布功能的高性能6級流水線(每個時鐘周期最多執(zhí)行兩條指令)。
2.作為系統(tǒng)總線的64位AXI總線接口。
3.可選的指令高速緩存(4至64KB)和數(shù)據(jù)高速緩存(4至64KB)，每個高速
2023-09-04 06:28:56
新能源汽車的核心技術(shù)是大家熟知的動力電池、電池管理系統(tǒng)和整車控制單元。車載電子控制系統(tǒng)對于存取各類傳感器資料的需求持續(xù)增加，因此對于高性能非易失性存儲技術(shù)的需求也越來越高，因為當系統(tǒng)在進行資料分析
2023-09-01 10:04:52
每當一個核通過MVA操作對另一個核執(zhí)行廣播無效指令高速緩存時，例如，當將可執(zhí)行代碼從閃存復(fù)制到存儲器時，其他核每次都刷新并重新啟動它們的預(yù)取單元，而不進行任何處理。
由于該錯誤，其他核心可能停止它們的執(zhí)行，直到不再發(fā)生剩余的廣播操作。
2023-09-01 09:16:59
受影響的ARM CPU上，建議的緩解措施包括在轉(zhuǎn)換到需要保護以前的執(zhí)行上下文的執(zhí)行上下文時，使部分或全部分支預(yù)測器緩存失效。
有關(guān)術(shù)語執(zhí)行上下文的定義，請參見第1.2節(jié)。
CVE-2018-3639，也
2023-08-25 07:36:27
軟件可能會允許惡意行為者不正當?shù)貜奶貦?quán)內(nèi)存(DRAM或CPU緩存)中收集少量敏感數(shù)據(jù)。
·ARM認為這些利用不會損壞、修改或刪除數(shù)據(jù)。
·所有變體都基于導(dǎo)致高速緩存分配的推測性內(nèi)存訪問。
然后，可以
2023-08-25 07:15:47
架構(gòu)的卓越響應(yīng)性和易用性。
憑借內(nèi)置的指令和數(shù)據(jù)高速緩存以及緊密耦合的存儲器(TCM)，這款超標量處理器即使在終端要求最苛刻的處理應(yīng)用程序中也不會變慢
2023-08-25 06:25:54
隨著高速數(shù)據(jù)通信的進步，數(shù)據(jù)更頻繁地發(fā)送意味著對非易失性存儲器的需求增加，因為非易失性存儲器可以承受這種頻繁的數(shù)據(jù)操作。鐵電存儲器是具有物聯(lián)網(wǎng)新時代所要求的高讀寫耐久性和快速寫入速度的理想存儲設(shè)備
2023-08-24 10:05:59
)的原理，與微程序復(fù)雜指令集計算機(CISC)相比，指令集和相關(guān)的解碼機制得到了極大的簡化。
片上混合數(shù)據(jù)和指令高速緩存與寫緩沖區(qū)一起，大大提高了平均執(zhí)行速度，并減少了處理器所需的平均內(nèi)存帶寬。
這允許外部存儲器以最小的性能損失支持額外的處理器或直接存儲器訪問(DMA)通道
2023-08-24 07:16:02
CPU高速緩存集成于CPU的內(nèi)部，其是CPU可以高效運行的成分之一，本文圍繞下面三個話題來講解CPU緩存的作用
2023-08-21 12:17:35797 
高速緩存維護操作。
中斷延遲通過中斷和重新啟動加載存儲多條指令以及使用集成中斷控制器來保持較低的延遲。
Cortex-R8處理器為低延遲和確定性提供了兩種專門的內(nèi)存解決方案：
·緊耦合存儲器(TCM
2023-08-18 08:28:22
Cortex-A7 MPCore處理器是一款實現(xiàn)ARMv7-A架構(gòu)的高性能、低功耗處理器。
Cortex-A7 MPCore處理器在帶有一級高速緩存子系統(tǒng)、可選集成GIC和可選二級高速緩存控制器的單個多處理器設(shè)備中具有一到四個處理器
2023-08-18 07:25:18
，并且提供了可選的硬件加速器一致性端口(ACP)，以減少與其他主機共享存儲器區(qū)域時的軟件高速緩存維護操作。
中斷延遲通過中斷和重新啟動加載-存儲多條指令以及使用集成中斷控制器來保持低。
Cortex-R7 MPCore處理器為低延遲和確定性提供了兩種專門的內(nèi)存解決方案
2023-08-18 06:34:29
為了有效利用其他資源，例如寄存器文件，實現(xiàn)了有限的雙指令發(fā)布。
提供硬件加速器一致性端口(ACP)以減少在與其他主機共享存儲器時對緩慢的軟件高速緩存維護操作的要求。
通過中斷和重新啟動加載存儲多條指令
2023-08-18 06:09:34
(SB)、所有內(nèi)核以及內(nèi)核之間共享的邏輯。
共享邏輯包括CPU橋(CPU側(cè))(CBC)、L2高速緩存，以及維護核心中的高速緩存與L2高速緩存和低延遲RAM(LLRAM)存儲器之間的一致性的一致性邏輯
2023-08-17 08:02:29
和糾正的糾錯碼(ECC)功能在實現(xiàn)時包括在數(shù)據(jù)和指令高速緩存中。
Tcm接口支持實施外部ECC，以提供更高的可靠性并滿足與安全相關(guān)的應(yīng)用。
Cortex-M7處理器包括可選的浮點算術(shù)功能，支持單精度和雙精度算術(shù)。
請參見第8章浮點單元。
該處理器適用于需要快速中斷響應(yīng)功能的高性能、深度嵌入式應(yīng)用程序
2023-08-17 07:55:23
執(zhí)行模式將嵌入式內(nèi)存內(nèi)容轉(zhuǎn)儲到調(diào)試器，使其適用于芯片啟動和調(diào)查軟件故障，如高速緩存一致性錯誤。
它允許快速測試內(nèi)存和內(nèi)存保護邏輯。
因此，MBIST事務(wù)是使用IP核時鐘連續(xù)執(zhí)行的，因此，可以通過以全功能
2023-08-17 07:10:53
在多處理器配置中，在監(jiān)聽控制單元(SCU)的控制下，高速緩存相關(guān)群集中最多有四個Cortex-A32處理器可用，該監(jiān)聽控制單元維護L1和L2數(shù)據(jù)高速緩存一致性。
Cortex-A32處理器支持
2023-08-16 06:54:59
在多處理器配置中，在監(jiān)聽控制單元(SCU)的控制下，高速緩存相關(guān)群集中最多有八個處理器可用，該監(jiān)聽控制單元維護L1、L2和L3數(shù)據(jù)高速緩存一致性。
本節(jié)提供周期模型與硬件的功能比較的摘要，以及周期模型的性能和準確性
2023-08-12 07:30:35
在多處理器配置中，在監(jiān)聽控制單元(SCU)的控制下，高速緩存關(guān)聯(lián)群集中最多有四個Cortex-A53處理器可用，該監(jiān)聽控制單元維護L1和L2數(shù)據(jù)高速緩存一致性。
Cortex-A53多處理器支持
2023-08-12 06:44:40
ARM946E-S? 是一個可合成的宏小區(qū)，結(jié)合了ARM9E-S? 加工機具有指令和數(shù)據(jù)緩存、緊密耦合的指令和數(shù)據(jù)SRAM的核心帶有保護單元、寫緩沖區(qū)和AMBA的存儲器? （高級微處理器總線體系結(jié)構(gòu)
2023-08-08 07:33:30
ARM946E-S? 是一個可合成的宏小區(qū)，結(jié)合了ARM9E-S? 帶指令和數(shù)據(jù)高速緩存的處理器核心、帶保護單元的緊密耦合指令和數(shù)據(jù)SRAM存儲器、寫緩沖區(qū)和AMBA? （高級微處理器總線體系結(jié)構(gòu)
2023-08-02 17:50:31
消息支持，以管理分布式內(nèi)存管理單元（MMU），例如CoreLink MMU-400。這些可以通信通過具有多達三個ACE Lite從機的CCI-400。
硬件管理的一致性可以通過以下方式提高系統(tǒng)性能并降低系統(tǒng)功耗共享片上數(shù)據(jù)。管理一致性有以下好處：
?減少外部存儲器訪問。
?減少軟件開銷。
2023-08-02 17:33:01
：
?用于增強操作系統(tǒng)安全性的TrustZone架構(gòu)?專為高性能系統(tǒng)設(shè)計的主、從和外圍AXI/AMBA接口?智能能源管理器（IEM）支持。
高速緩存控制器是一個統(tǒng)一的、物理尋址的、物理標記的8路高速緩存。您可
2023-08-02 15:09:49
當中央處理器（CPU）產(chǎn)生大量內(nèi)存流量時，添加片上二級緩存（也稱為二級緩存，L2CC）是提高計算機系統(tǒng)性能的公認方法。根據(jù)定義，二級緩存假定存在與CPU緊密耦合或內(nèi)部的一級緩存或主緩存。
2023-08-02 13:11:45
ARM720T是一款通用的32位微處理器，具有8KB的高速緩存、擴大的寫入緩沖區(qū)和內(nèi)存管理單元（MMU），組合在一個芯片中。ARM720T中的CPU是ARM7TDMI。ARM720T是與ARM處理器
2023-08-02 11:36:56
）一種設(shè)備，是存儲器區(qū)域的歸屬節(jié)點，接受來自RN Fs和RN is的相干請求，并根據(jù)需要生成對系統(tǒng)中所有適用RN Fs的窺探，以支持相干協(xié)議。
I/O主節(jié)點（HN-I）作為從屬I/O子系統(tǒng)的主節(jié)點
2023-08-02 10:38:59
ARM946E-S是一個可合成的宏單元，結(jié)合了ARM處理器。它是ARM9Thumb系列高性能32位片上系統(tǒng)處理器解決方案的一員。
ARM946E-S具有緊密耦合的SRAM存儲器、指令和數(shù)據(jù)緩存
2023-08-02 09:41:21
MBIST是測試嵌入式存儲器的行業(yè)標準方法。MBIST通過根據(jù)測試算法執(zhí)行對存儲器的讀取和寫入序列來工作。存在許多行業(yè)標準的測試算法。MBIST控制器生成正確的讀取和寫入序列。ARM L210 MBIST控制器用于與ARM L210一起執(zhí)行二級高速緩存RAM的內(nèi)存測試。
2023-08-02 08:07:10
動態(tài)存儲運行時數(shù)據(jù)在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的推理過程中。
?AXI接口M1用于允許更低帶寬和更高帶寬的內(nèi)存事務(wù)
延遲因此，AXI M1接口可以連接到較慢或較少突發(fā)的存儲器例如閃存或DRAM。內(nèi)存用于運行時的非易失性
2023-08-02 06:37:01
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《STM32F7技術(shù)--高速緩存.pdf》資料免費下載
2023-08-01 15:18:550 就需要一塊非易失性存儲芯片來儲存這些數(shù)據(jù)。非易失性存儲器一般包括EPROM、EEPROM和FLASH等，它們在系統(tǒng)掉電的情況下仍可保留所存數(shù)據(jù)，但因其技術(shù)都源于R
2023-07-25 10:31:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:08:13
兼容12個內(nèi)核時鐘周期。片內(nèi)集成有62 KB非易失性Flash/EE程序存儲器。片內(nèi)同時集成4 kB非易失性Flash/EE數(shù)據(jù)存儲器、256字節(jié)RAM和2 kB擴
2023-07-14 17:15:06
，用于構(gòu)建新一代信任設(shè)備，例如：便攜式多媒體EFT-POS終端。MAX32590集成了存儲器管理單元(MMU)、32KB指令高速緩存器、16KB數(shù)據(jù)高速緩存、4KB指
2023-07-14 14:33:26
構(gòu)建新一代信任設(shè)備，例如：便攜式多媒體EFT-POS終端。MAX32591集成了存儲器管理單元(MMU)、32KB指令高速緩存器、16KB數(shù)據(jù)高速緩存、4KB指令
2023-07-14 14:09:44
構(gòu)建新一代信任設(shè)備，例如：便攜式多媒體EFT-POS終端。MAX32592集成了存儲器管理單元(MMU)、32KB指令高速緩存器、16KB數(shù)據(jù)高速緩存、4KB指令
2023-07-14 14:04:11
DS28E80為用戶可編程非易失存儲器芯片。與浮柵存儲單元相比，DS28E80采用了耐γ輻射的存儲單元技術(shù)。DS28E80具有248字節(jié)用戶存儲器，分成8字節(jié)大小的存儲塊，每個存儲塊可具有寫保護
2023-07-13 17:01:58
DS28E80為用戶可編程非易失存儲器芯片。與浮柵存儲單元相比，DS28E80采用了耐γ輻射的存儲單元技術(shù)。DS28E80具有248字節(jié)用戶存儲器，分成8字節(jié)大小的存儲塊，每個存儲塊可具有寫保護
2023-07-13 11:31:16
緩存服務(wù)器是什么？緩存服務(wù)器是專用網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器或充當在本地保存網(wǎng)頁或其他互聯(lián)網(wǎng)內(nèi)容的服務(wù)器的服務(wù)。通過將以前請求的信息放入臨時存儲（或高速緩存）中，高速緩存服務(wù)器既可以加快數(shù)據(jù)訪問速度，又可以減少
2023-07-07 17:48:59353 RAID控制卡的日志存儲器存放重要數(shù)據(jù)，如日志和數(shù)據(jù)寫入完成、奇偶校驗寫入、錯誤日志等。在斷電的情況下，控制器查詢?nèi)罩緝?nèi)存，以了解從哪里開始恢復(fù)。
2023-06-12 17:11:11323
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* 詳細說明：
* 這個例子的目的是展示如何保存數(shù)據(jù)在 SRAM 存儲器中通過
2023-06-05 09:47:48
我們正在構(gòu)建一個設(shè)備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個每秒累加的方法。問題：非易失性內(nèi)存有寫入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫入易失性存儲器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲器。
2023-05-30 08:48:06
MRAM是一種新型的非易失性存儲器技術(shù)，與傳統(tǒng)的存儲器技術(shù)相比，MRAM具有更快的讀寫速度、更低的功耗、更高的可靠性和更長的壽命。
2023-05-23 17:34:15395 在單板設(shè)計中，無論是涉及到一個簡易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復(fù)雜的單板設(shè)計，都離不開存儲器設(shè)計：
1、存儲器介紹
存儲器的分類大致可以劃分如下：
ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲器，ROM在系統(tǒng)
2023-05-19 15:59:37
標準的Flash存儲卡，也是非易失性存儲設(shè)備。USB大容量存儲設(shè)備類(USB MSC)是Cs/FS文件系統(tǒng)最常用的大容量存儲設(shè)備。U盤也是非易失性存儲設(shè)備，在連接主機時被識別為外部硬盤驅(qū)動器。而RAM
2023-05-18 14:13:37
其數(shù)據(jù)始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡化系統(tǒng)設(shè)計。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的續(xù)航特性，它適用于工業(yè)設(shè)計中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲器和工作存儲器。
2023-05-12 16:31:39268 單片機的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器共處同一地址空間為什么不會發(fā)生總線沖突呢？
2023-05-10 15:17:56
80C51單片機中存儲器是RAM和ROM分開編址的嗎？求解答
2023-05-09 16:04:22
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動態(tài)隨機存儲器
2023-04-19 17:45:462544 本章教程講解DMA存儲器到存儲器模式。存儲器到存儲器模式可以實現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個內(nèi)存的快速拷貝。程序中，首先定義一個靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內(nèi)部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標地址上（內(nèi)部SRAM），最后對比源數(shù)據(jù)和目標地址的數(shù)據(jù)，判斷傳輸是否準確。
2023-04-17 15:28:08
中，事情就會迅速惡化......我會遇到硬故障（有時調(diào)試器在調(diào)試時“死機”）。我已經(jīng)為此工作了幾天，似乎觸發(fā)因素是以下情況之一：a) 整個 8 MByte 的 HyperRAM 在 MPU 中被定義為
2023-04-17 07:04:11
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內(nèi)核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應(yīng)用程序中，我們需要將安全數(shù)據(jù)（例如密鑰）存儲在安全非易失性存儲 (SNVS) 區(qū)域
2023-04-14 07:38:45
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
和用于讀取，寫入和擦除數(shù)據(jù)的操作略有不同。而EEPROM指的是電可擦可編程只讀存儲器是一種存儲器，可以在字節(jié)級別讀取，寫入和擦除數(shù)據(jù)。另一方面Flash是EEPROM的一種，在結(jié)構(gòu)上以塊的形式排列，在塊中
2023-04-07 16:42:42
具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會丟失，而且它和DRAM一樣可隨機存取。表1存儲器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05
據(jù)保留?無限的讀/寫耐力?無磨損?有競爭力的定價?穩(wěn)定的制造業(yè)供應(yīng)鏈?小尺寸BGA封裝圖1 引腳普通針MR3A16ACMA35是一個8Mb非易失性RAM，組織為512kx16，采用3.3V標稱電源供電
2023-04-07 16:26:28
可用于斷電（NMI）中斷或其他目的的通用比較器。該器件的工作電壓為2.7V至3.6V。FM33256B-G提供256Kb的非易失性FRAM存儲器容量。快速的寫入速度和無限的耐用性使該存儲器可以用作額外
2023-04-07 16:23:11
在CH573存儲中，分為用戶應(yīng)用程序存儲區(qū)CodeFlash，用戶非易失數(shù)據(jù)存儲區(qū)DataFlash,系統(tǒng)引導(dǎo)程序存儲區(qū)Bootloader，系統(tǒng)非易失配置信息存儲區(qū)InfoFlash。一般在使用時
2023-04-07 11:46:50
我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲器，如果可能，我們?nèi)绾问褂?。請指?dǎo)我們實現(xiàn)這一目標
2023-04-04 08:16:50
我目前正在嘗試防止臨時對稱密鑰在重新啟動后保留在內(nèi)存中。我的巧妙計劃是使用 i.MX RT1064 處理器寄存器（保證在重啟時歸零）對它們進行異或，我在重啟時將其設(shè)置為隨機數(shù)。（這與非易失性寄存器
2023-03-23 07:07:21
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