手冊(cè)說L9369的PROM不是非易失存儲(chǔ)，那么如果芯片掉電（VBP），PROM中的數(shù)據(jù)是否會(huì)全部丟失？
EPB應(yīng)用是否要求VBP掛KL30上
2024-03-21 07:19:54
專用集成芯片（ASIC，Application Specific Integrated Circuit）指的是為特定應(yīng)用而定制的集成電路。與通用芯片相比，ASIC針對(duì)特定的應(yīng)用需求進(jìn)行優(yōu)化和設(shè)計(jì)，從而實(shí)現(xiàn)更高的性能、更低的功耗和更小的體積。
2024-03-20 17:10:20
113 MRAM HS4MANSQ1A-DS1用于固態(tài)硬盤（SSD）可延長(zhǎng)壽命
2024-03-18 10:24:3648 
嵌入式鐵電存儲(chǔ)器可實(shí)現(xiàn)超低功耗微控制器的設(shè)計(jì)。將鐵電存儲(chǔ)器添加到微控制器中可以進(jìn)行快速可靠的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與處理，是存儲(chǔ)系統(tǒng)狀態(tài)、數(shù)據(jù)記錄及在多種應(yīng)用的非易失性的理想選擇，例如傳感器與計(jì)量?jī)x表到
2024-03-06 09:57:22
一次性透析導(dǎo)管滑動(dòng)性能測(cè)試儀產(chǎn)品簡(jiǎn)介PMT-CSP02導(dǎo)管滑動(dòng)性能測(cè)試儀根據(jù)《YY/T 1536-2017 非血管內(nèi)導(dǎo)管表面滑動(dòng)性能評(píng)價(jià)用標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)?zāi)Ｐ汀? 、《T CAMDI 021
2024-02-26 16:09:10
產(chǎn)品簡(jiǎn)述
MS1242/MS1243 是一款高精度、寬動(dòng)態(tài)范圍、 ?-Σ 模數(shù)轉(zhuǎn)
換芯片，其工作電壓為 2.7V 至 5.25V ，可以達(dá)到 24bit 無(wú)失碼轉(zhuǎn)
換，有效精度可達(dá) 21bit
2024-02-19 16:22:51
MRAM是以磁性隧道結(jié)（MTJ）儲(chǔ)存單元為基礎(chǔ)。MTJ中包含了一個(gè)維持單一極性方向的固定層，和一個(gè)通過隧道結(jié)與其隔離的自由層。當(dāng)自由層被施予和固定層相同方向的極化時(shí)，MTJ的隧道結(jié)便會(huì)顯現(xiàn)出低電阻特性;反之MTJ便會(huì)有高電阻。
2024-02-19 11:32:41367 
臺(tái)積電近日宣布，與工研院合作開發(fā)出自旋軌道轉(zhuǎn)矩磁性存儲(chǔ)器（SOT-MRAM）陣列芯片，該芯片具有極低的功耗，僅為其他類似技術(shù)的1%。這一創(chuàng)新技術(shù)為次世代存儲(chǔ)器領(lǐng)域帶來了新的突破。
2024-01-22 15:44:472346 據(jù)報(bào)道，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造公司臺(tái)積電在次世代MRAM存儲(chǔ)器相關(guān)技術(shù)方面取得了重大進(jìn)展。該公司成功開發(fā)出自旋軌道轉(zhuǎn)矩磁性存儲(chǔ)器（SOT-MRAM）陣列芯片，并搭配創(chuàng)新的運(yùn)算架構(gòu)，使其功耗僅為其他類似技術(shù)的1%。
2024-01-19 14:35:126646 臺(tái)積電在MRAM技術(shù)方面已經(jīng)取得了顯著進(jìn)展，成功研發(fā)了22納米、16/12納米工藝的MRAM產(chǎn)品線，并積累了大量?jī)?nèi)存和車用市場(chǎng)訂單。
2024-01-18 16:44:044838 血管內(nèi)導(dǎo)管流量測(cè)試儀 2024/濟(jì)南三泉智能科技有限公司適用于測(cè)試一次性血管內(nèi)導(dǎo)管、非血管內(nèi)導(dǎo)管、輸液器、直腸導(dǎo)管、導(dǎo)尿管、輸血管、透析管等醫(yī)療器械在靜水壓下液體流量測(cè)試。，廣泛應(yīng)用于醫(yī)療器械檢驗(yàn)機(jī)
2024-01-10 14:26:09
MRAM或磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態(tài)”的1晶體管–1磁性隧道結(jié)（1T-1MTJ）體系結(jié)構(gòu)作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元素。
2024-01-09 14:24:03212 
MRAM是以磁性隧道結(jié)（MTJ）儲(chǔ)存單元為基礎(chǔ)。MTJ中包含了一個(gè)維持單一極性方向的固定層，和一個(gè)通過隧道結(jié)與其隔離的自由層。當(dāng)自由層被施予和固定層相同方向的極化時(shí)，MTJ的隧道結(jié)便會(huì)顯現(xiàn)出低電阻特性;反之MTJ便會(huì)有高電阻。
2024-01-09 11:15:26200 
最近，Imec公布的超大規(guī)模自旋軌道轉(zhuǎn)移MRAM (SOT-MRAM) 器件已實(shí)現(xiàn)創(chuàng)紀(jì)錄的性能，每比特開關(guān)能量低于100飛焦耳，耐用性超過10的15次方。
2024-01-05 11:47:18430 
RAM來維持它的運(yùn)行和使用，只有在保存相關(guān)文件時(shí)才會(huì)轉(zhuǎn)存到 microSD 卡。
正是這種搭配才使得核桃派有了易失性和非易失性的記憶，RAM 是掉電不保存，而 microSD 卡則是掉電保存。
核桃派
2024-01-01 21:58:36
±150mil。
3、數(shù)據(jù)組內(nèi)以DQ[0]為基準(zhǔn)，等長(zhǎng)控制在25mil以內(nèi)。
4、各數(shù)據(jù)組之間，以時(shí)鐘線為基準(zhǔn)，等長(zhǎng)差范圍設(shè)置為0-500mil。
DDR芯片的PCB可制造性設(shè)計(jì)
1、阻抗
在制造過程中
2023-12-25 14:02:58
±150mil。
3、數(shù)據(jù)組內(nèi)以DQ[0]為基準(zhǔn)，等長(zhǎng)控制在25mil以內(nèi)。
4、各數(shù)據(jù)組之間，以時(shí)鐘線為基準(zhǔn)，等長(zhǎng)差范圍設(shè)置為0-500mil。
DDR芯片的PCB可制造性設(shè)計(jì)
1、阻抗
在制造過程中
2023-12-25 13:58:55
MU-K1005醫(yī)用口罩合成血液穿透試驗(yàn)儀主要用途 ：MU-K1005醫(yī)用口罩合成血液穿透試驗(yàn)儀用于測(cè)定醫(yī)用防護(hù)口罩在不同試驗(yàn)壓力下對(duì)于合成血液穿透的抵抗能力，也可用來測(cè)定其它涂層材料的耐血液穿透性
2023-12-06 15:45:36
異構(gòu)專用AI芯片的黃金時(shí)代
2023-12-04 16:42:26225 
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-11-27 16:41:47
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)
2023-11-27 16:37:59
單片機(jī)的一個(gè)重要組成部分，用于存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)。在本篇文章中，我們將深入探討PADAUK PGS152單片機(jī)EEPROM芯片的特點(diǎn)、應(yīng)用和使用注意事項(xiàng)。第
2023-11-23 21:16:37
目前三星仍然是全球?qū)＠谝唬?002年三星宣布研發(fā)MRAM，2005年三星率先研究STT-MRAM，但是此后的十年間，三星對(duì)MRAM的研發(fā)一直不溫不火，成本和工藝的限制，讓三星的MRAM研發(fā)逐漸走向低調(diào)。
2023-11-22 14:43:53213 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《透析中國(guó)三大激光產(chǎn)業(yè)集群.doc》資料免費(fèi)下載
2023-10-31 11:14:52
0 在食品包裝領(lǐng)域，腸衣膜作為一種重要的包裝材料，廣泛應(yīng)用于各類食品的包裝和保護(hù)。然而，腸衣膜的質(zhì)量和耐久性對(duì)于保護(hù)食品的完整性和安全性至關(guān)重要。為了評(píng)估腸衣膜的耐久性，腸衣膜抗撕裂性試驗(yàn)機(jī)應(yīng)運(yùn)而生
2023-10-26 16:37:32
EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時(shí)開啟非易失性CPLD,處理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時(shí)開啟非易失性CPLD,處理器
2023-10-24 15:38:16
STM32怎么實(shí)現(xiàn)一個(gè)非阻塞性的串口屏收發(fā)
2023-10-24 08:15:33
隨著工業(yè)4.0的出現(xiàn)，工廠的智能化和互聯(lián)性正在日益提高。智能工廠中的機(jī)械設(shè)備就能夠采用所連接的無(wú)線傳感器節(jié)點(diǎn)的實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)，提前預(yù)測(cè)可能發(fā)生的故障，并通知控制系統(tǒng)采取糾正措施，以避免意外的系統(tǒng)停機(jī)。累積
2023-10-19 11:27:37
怎么利用單片機(jī)io口實(shí)現(xiàn)非均勻采樣？
2023-10-19 07:47:46
如何捕捉并重現(xiàn)稍縱即失的瞬時(shí)信號(hào)？
2023-10-18 06:26:54
IAR能否支持對(duì)兆易的GD32進(jìn)行編程開發(fā)
2023-10-11 07:30:23
ST 的 8 位微控制器平臺(tái)基于高性能 8 位內(nèi)核，配有先進(jìn)的成套外設(shè)。 該平臺(tái)采用 ST的 130 nm 嵌入式非易性存儲(chǔ)器專有技術(shù)。STM8 通過增強(qiáng)型堆棧指針運(yùn)算、先進(jìn)的尋址模式和新指令實(shí)現(xiàn)快速、安全的開發(fā)。S
2023-10-10 08:05:14
51單片機(jī)P3口的wr非口有什么作用，接c0832 芯片時(shí)，芯片中的wr非口有什么作用，這個(gè)不太懂，有沒有關(guān)于p3口功能的文檔？
2023-10-08 08:03:33
概述:
YB5096是一款電子點(diǎn)煙器專用芯片，集成涓流、恒流、恒壓三段式充電管理，符合鋰電池充電規(guī)范。充電輸入可直接從USB口取電，充電電流默認(rèn) 250mA，無(wú)需外部電阻可配置電流。集成低阻抗放電
2023-10-06 11:20:56
ST 的 8 位微控制器平臺(tái)基于高性能 8 位內(nèi)核，配有先進(jìn)的成套外設(shè)。 該平臺(tái)采用 ST的 130 nm 嵌入式非易性存儲(chǔ)器專有技術(shù)。STM8 通過增強(qiáng)型堆棧指針運(yùn)算、先進(jìn)的尋址模式和新指令實(shí)現(xiàn)快速、安全的開發(fā)。
2023-09-28 08:05:11
當(dāng)腎臟接近衰竭或完全永久性衰竭時(shí)，患者代謝所產(chǎn)生的廢物和多余的水分開始在血液中積聚，該階段稱為終末期腎?。‥SRD）或腎衰竭。一般情況下，終末期腎臟病需要血液凈化治療，利用透析儀器可以將患者血液
2023-09-15 18:34:19302 
寬壓輸入降壓恒流小封裝SOT23-6外圍簡(jiǎn)單外圍簡(jiǎn)單小體積寬壓輸入LED驅(qū)動(dòng)芯片小恒流方案寬壓LED降壓恒流驅(qū)動(dòng)芯片寬壓霧燈日行燈小燈專用驅(qū)動(dòng)芯片寬壓霧燈日行燈小燈專用驅(qū)動(dòng)芯片AP5216 是一款
2023-09-14 09:33:23
據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，總部位于比利時(shí)的初創(chuàng)公司Axithra主要開發(fā)基于芯片的拉曼光譜技術(shù)來監(jiān)測(cè)患者血液中的藥物濃度，近期已籌集了1000萬(wàn)歐元的種子資金。
2023-09-14 09:28:491207 飛思卡爾的Kinetis設(shè)備提供FlexMemory技術(shù)，該技術(shù)為靈活的內(nèi)存使用提供了多功能和強(qiáng)大的解決方案。
FlexMemory由FlexNVM和FlexRAM組成。
FlexNVM是一種非易失
2023-09-04 06:29:35
單霍爾\"地暖扇\"BLDC應(yīng)用專用芯片(MDRH40)
[url=https://www.bilibili.com/video/BV1oh4y1T7Md/][/url
2023-08-31 17:14:42
作為一種磁性技術(shù)，MRAM本質(zhì)上是抗輻射的。這使得獨(dú)立版本在航空航天應(yīng)用中很受歡迎，而且這些應(yīng)用對(duì)價(jià)格的敏感度也較低。它相對(duì)較大，在內(nèi)存領(lǐng)域，尺寸意味著成本。
2023-08-30 15:28:50407 寬壓霧燈日行燈小燈專用驅(qū)動(dòng)方案專用芯片外圍簡(jiǎn)單小體積寬壓輸入LED驅(qū)動(dòng)芯片
小恒流方案寬壓LED降壓恒流驅(qū)動(dòng)芯片
寬壓霧燈日行燈小燈專用驅(qū)動(dòng)芯片
寬壓霧燈日行燈小燈專用驅(qū)動(dòng)芯片
AP5216 優(yōu)點(diǎn)
2023-08-18 11:16:14
芯圣電子煙專用芯片系列分為專用MCU系列和ASIC系列，專用MCU系列簡(jiǎn)化了電子煙方案的設(shè)計(jì)開發(fā)、壓縮開發(fā)周期與生產(chǎn)成本。ASIC系列，規(guī)格齊全，有多種電壓輸出模式、電壓輸出大小可選。專用MCU系列
2023-08-03 15:05:162297 
nvSRAM使用傳統(tǒng)的捕獲電荷技術(shù)進(jìn)行非易失性存儲(chǔ)。由于溫度和過多的寫入周期會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)損耗，因此數(shù)據(jù)可能會(huì)泄漏。
2023-07-25 15:36:04244 DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個(gè)完整的NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容
2023-07-21 15:41:00
DS1245 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、完全靜態(tài)的非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否
2023-07-21 15:38:54
DS1230 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:37:16
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出
2023-07-21 15:23:14
DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:20:44
DS1270 16M非易失SRAM為16,777,216位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:18:27
DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:13:33
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出
2023-07-21 15:11:06
MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS電路，可將標(biāo)準(zhǔn)（易失性）CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲(chǔ)器。它還會(huì)持續(xù)監(jiān)控電源，以在RAM的電源處于邊際（超出容限）條件時(shí)提供RAM寫保護(hù)
2023-07-21 15:01:52
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:08:13
兼容12個(gè)內(nèi)核時(shí)鐘周期。片內(nèi)集成有62 KB非易失性Flash/EE程序存儲(chǔ)器。片內(nèi)同時(shí)集成4 kB非易失性Flash/EE數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)RAM和2 kB擴(kuò)
2023-07-14 17:15:06
Netsol的MRAM具有非易失特性和幾乎無(wú)限的耐用性。對(duì)于需要使用最少數(shù)量的引腳來快速存儲(chǔ)、檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序而言，是最為理想的存儲(chǔ)器。適用于工業(yè)設(shè)備中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份和工作存儲(chǔ)器。可替代Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。
2023-07-07 17:06:59262 多功能便捷式血液分析儀是醫(yī)院臨床檢驗(yàn)應(yīng)用非常廣泛的儀器之一，在各醫(yī)院臨床檢驗(yàn)實(shí)驗(yàn)室日益普及，特別是多參數(shù)、五分類血液分析儀的應(yīng)用，其快捷、準(zhǔn)確的測(cè)試結(jié)果，為臨床提供更多的實(shí)驗(yàn)指標(biāo)，縮短了醫(yī)療等待結(jié)果的時(shí)間，提高了工作效率。
2023-06-29 09:47:15238 
芯片檢測(cè)中的非破壞分析有哪些？
2023-06-27 15:20:08
MRAM在數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用中，數(shù)據(jù)記錄是如下持續(xù)、反復(fù)地將重要數(shù)據(jù)保存于設(shè)備的過程?？梢杂涗浵到y(tǒng)內(nèi)外部發(fā)生的事件；使用歷史；環(huán)境參數(shù) ；機(jī)器狀態(tài)；用于分析目的的其他數(shù)據(jù)。因需要持續(xù)、反復(fù)地保存數(shù)據(jù)，內(nèi)存需要快速的寫入速度與高耐久性。
2023-06-20 17:06:22219 流水線，高性能1. 56DMIPS-多檔系統(tǒng)主頻，最低32KHz-特有高速的中斷響應(yīng)機(jī)制●512K字節(jié)非易失存儲(chǔ)FlashROM:- 448KB 用戶應(yīng)用程序存儲(chǔ)區(qū)CodeFlash- 32KB用戶非
2023-06-20 15:59:05
W79E823/824/825 單片機(jī)沒有量產(chǎn)專用燒寫工具嗎？通用編程器經(jīng)常報(bào)錯(cuò)，難道新唐自己沒有編程器？
2023-06-15 07:37:25
氣泡檢測(cè)在輸液泵、血液透析和血流監(jiān)測(cè)等應(yīng)用中，AD-101氣泡傳感器用于以非侵入式的方法持續(xù)監(jiān)控流體并檢測(cè)其中的氣泡。利用超聲波能夠積極識(shí)別任何類型液體中是否存在流動(dòng)中斷。
2023-06-03 10:26:33793 
。 這些泵用于定期以非常精確的量輸送液體、藥物或營(yíng)養(yǎng)物質(zhì)（直接進(jìn)入胃中）。 輸液泵的類型包括移動(dòng)泵、腸內(nèi)營(yíng)養(yǎng)泵、腎透析機(jī)和便攜式泵。
2023-06-01 10:42:12196 
Everspin型號(hào)MR0A16A容量為1Mbit的MRAM存儲(chǔ)芯片，組織為16位的65536個(gè)字。提供與SRAM兼容的35ns讀/寫時(shí)序，續(xù)航時(shí)間無(wú)限制。數(shù)據(jù)在20年以上的時(shí)間內(nèi)始終是非易失性的。
2023-05-31 17:23:08403 為了進(jìn)行性能比較，使用了三種不同的存儲(chǔ)芯片，即Everspin EM064LX 64Mib STT‐MRAM、Micron MT25Q 128Mib NOR閃存和Micron MT29F 1Gib SLC NAND閃存。
2023-05-31 17:14:24788 
我們正在構(gòu)建一個(gè)設(shè)備來測(cè)量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個(gè)每秒累加的方法。問題：非易失性內(nèi)存有寫入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫入易失性存儲(chǔ)器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲(chǔ)器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲(chǔ)器。
2023-05-30 08:48:06
多通道血液分離杯氣密性檢測(cè)儀主要應(yīng)用于血液分離杯的生產(chǎn)和質(zhì)量控制過程中。這種設(shè)備能夠快速、準(zhǔn)確地檢測(cè)血液分離杯的氣密性，確保其在使用過程中不會(huì)發(fā)生泄漏。 血液分離杯是醫(yī)療和科研實(shí)驗(yàn)中常用的消耗品
2023-05-29 17:41:23277 
色壞易折安瓿折斷力測(cè)試儀安瓿瓶折斷力測(cè)試儀是一種用于測(cè)試安瓿瓶的機(jī)械強(qiáng)度、可靠性和安全性能的專用試驗(yàn)設(shè)備，通常由液壓系統(tǒng)、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)、測(cè)試夾具等主要組成部分。在測(cè)試過程中，將待測(cè)安瓿瓶放置在測(cè)試
2023-05-23 16:42:10
的導(dǎo)管流量測(cè)試儀檢驗(yàn)。導(dǎo)管流量測(cè)試儀是專門用于檢測(cè)導(dǎo)管類醫(yī)療器械流量的專用設(shè)備。適用于測(cè)試一次性血管內(nèi)導(dǎo)管、非血管內(nèi)導(dǎo)管、輸液器、直腸導(dǎo)管、導(dǎo)尿管、輸血管、透析管等醫(yī)
2023-05-22 14:59:21
一種便攜式存儲(chǔ)設(shè)備，當(dāng)插入計(jì)算機(jī)時(shí)，被解析為內(nèi)置硬盤設(shè)備。這也是一種非易失性閃存。與MMC和SD卡一樣，USB閃存驅(qū)動(dòng)器是一種更受歡迎的可移動(dòng)存儲(chǔ)形式。
5、RAM
RAM是一個(gè)易失性內(nèi)存選項(xiàng)。一旦設(shè)備
2023-05-18 14:13:37
高速吹風(fēng)筒無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案，高速風(fēng)筒專用電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片是一款高壓、高速功率 MOSFET 高低側(cè)驅(qū)動(dòng)芯片。具有獨(dú)立的高側(cè)和低側(cè)參考輸出通道。高速風(fēng)筒專用電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片采用高低壓兼容工藝使得高、低側(cè)柵驅(qū)動(dòng)
2023-05-10 10:49:35848 
高速風(fēng)筒專用電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片是一款高壓、高速功率
MOSFET 高低側(cè)驅(qū)動(dòng)芯片。具有獨(dú)立的高側(cè)和低側(cè)參
考輸出通道。高速風(fēng)筒專用電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片采用高低壓
兼容工藝使得高、低側(cè)柵驅(qū)動(dòng)電路可以單芯片集成
2023-05-10 10:05:20
targets”列出了 crypt。我可以成功地按照 i.MX Linux 用戶指南中的說明使用 CAAM 可信純密鑰加密/解密非易失性存儲(chǔ)上的數(shù)據(jù)，但 bsp 不包括使用 CAAM 標(biāo)記密鑰加密所需
2023-05-09 08:45:33
S3A1604是一種NETSOL MRAM存儲(chǔ)芯片。具有SPI總線接口、XIP(就地執(zhí)行)性能和基于硬件/軟件的數(shù)據(jù)保護(hù)系統(tǒng)?？梢匀〈哂邢嗤δ芎头且资缘拈W存、FeRAM或（nv）SRAM。提供SPI、DSPI、QSPI等模式，以允許帶寬擴(kuò)展選項(xiàng)。
2023-04-27 17:33:44420 檢驗(yàn)。導(dǎo)管流量測(cè)試儀是專門用于檢測(cè)導(dǎo)管類醫(yī)療器械流量的專用設(shè)備。適用于測(cè)試一次性血管內(nèi)導(dǎo)管、非血管內(nèi)導(dǎo)管、輸液器、直腸導(dǎo)管、導(dǎo)尿管、輸血管、透析管等醫(yī)療器械在靜水
2023-04-27 13:54:42
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2023-04-19 17:45:462547 中的波形，我發(fā)現(xiàn) iMX RT1024 SRAM 操作存在一個(gè)問題。MR5A16A
MRAM 聲明地址線必須在
芯片啟用變低時(shí)有效iMX RT1024 參考手冊(cè)指出，
芯片啟用在地址有效之前變?yōu)榈碗娖?/div>
2023-04-17 07:52:33
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內(nèi)核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應(yīng)用程序中，我們需要將安全數(shù)據(jù)（例如密鑰）存儲(chǔ)在安全非易失性存儲(chǔ) (SNVS) 區(qū)域
2023-04-14 07:38:45
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗(yàn)證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項(xiàng)目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
STT-MRAM它具有SPl總線接口、XIP（就地執(zhí)行）功能和基于硬件/軟件的數(shù)據(jù)保護(hù)機(jī)制。SPl（串行外圍接口）是一個(gè)帶有命令、地址和數(shù)據(jù)信號(hào)的同步串行通信接口。
2023-04-07 17:02:07758 具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會(huì)丟失，而且它和DRAM一樣可隨機(jī)存取。表1存儲(chǔ)器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時(shí)間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05
據(jù)保留?無(wú)限的讀/寫耐力?無(wú)磨損?有競(jìng)爭(zhēng)力的定價(jià)?穩(wěn)定的制造業(yè)供應(yīng)鏈?小尺寸BGA封裝圖1 引腳普通針MR3A16ACMA35是一個(gè)8Mb非易失性RAM，組織為512kx16，采用3.3V標(biāo)稱電源供電
2023-04-07 16:26:28
可用于斷電（NMI）中斷或其他目的的通用比較器。該器件的工作電壓為2.7V至3.6V。FM33256B-G提供256Kb的非易失性FRAM存儲(chǔ)器容量?？焖俚膶懭胨俣群蜔o(wú)限的耐用性使該存儲(chǔ)器可以用作額外
2023-04-07 16:23:11
在CH573存儲(chǔ)中，分為用戶應(yīng)用程序存儲(chǔ)區(qū)CodeFlash，用戶非易失數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)DataFlash,系統(tǒng)引導(dǎo)程序存儲(chǔ)區(qū)Bootloader，系統(tǒng)非易失配置信息存儲(chǔ)區(qū)InfoFlash。一般在使用時(shí)
2023-04-07 11:46:50
SHARCVW/5MRAM;AUDIODECODERS
2023-04-06 11:21:52
USB充電數(shù)據(jù)線專用升壓恒壓驅(qū)動(dòng)芯片一般說明輸入3.6-5V輸出6-8.4V 1A電流升壓ICAP8660是一種電流模式升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器。內(nèi)置0.25Ω的PWM電路功率MOSFET使該調(diào)
2023-04-04 10:00:30
在PLC(可編程邏輯控制器)產(chǎn)品中，MRAM芯片的應(yīng)用也日漸普及，本文將介紹MRAM芯片應(yīng)用于PLC產(chǎn)品上的特性。--代理商：吉芯澤科技
2023-03-29 16:31:221169 
紅外熱釋電專用芯片
2023-03-28 15:12:32
請(qǐng)教一下大神伺服電機(jī)
失步時(shí)是怎樣得到補(bǔ)償?shù)模?/div>
2023-03-23 15:34:44
我目前正在嘗試防止臨時(shí)對(duì)稱密鑰在重新啟動(dòng)后保留在內(nèi)存中。我的巧妙計(jì)劃是使用 i.MX RT1064 處理器寄存器（保證在重啟時(shí)歸零）對(duì)它們進(jìn)行異或，我在重啟時(shí)將其設(shè)置為隨機(jī)數(shù)。（這與非易失性寄存器
2023-03-23 07:07:21
已全部加載完成
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論