IGBT國(guó)內(nèi)外差距有多大 具體體現(xiàn)在哪些方面

　　近年來(lái)，我國(guó)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)中高端IGBT產(chǎn)能?chē)?yán)重不足，長(zhǎng)期依賴(lài)國(guó)際巨頭，導(dǎo)致“一芯難求”。盡管在下游市場(chǎng)需求的推動(dòng)下，我國(guó)國(guó)內(nèi)企業(yè)在IGBT產(chǎn)品領(lǐng)域的研發(fā)投入呈明顯上升的趨勢(shì)，行業(yè)整體產(chǎn)量由2010年的190萬(wàn)只增長(zhǎng)至2018年的1115萬(wàn)只，但是國(guó)內(nèi)需求量也從2010年的2252萬(wàn)只增長(zhǎng)至2018年的7898萬(wàn)只。

　　由此可見(jiàn)，我國(guó)國(guó)內(nèi)IGBT市場(chǎng)的需求量正在逐步擴(kuò)大，而生產(chǎn)量卻遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于需求量。這也導(dǎo)致中國(guó)大陸功率半導(dǎo)體市場(chǎng)占世界市場(chǎng)的50%以上，但在中高端MOSFET及IGBT主流器件市場(chǎng)上，90％主要依賴(lài)進(jìn)口，基本被國(guó)外歐美、日本企業(yè)壟斷。

　　也許有人會(huì)不理解為什么要這么重視IGBT，這是因?yàn)镮GBT是能量轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)暮诵钠骷?，同時(shí)也是電力電子裝置的“CPU”。通過(guò)應(yīng)用IGBT進(jìn)行功率的變換，可以提高用電效率和質(zhì)量，具有高效節(jié)能和綠色環(huán)保的特點(diǎn)，是解決能源短缺問(wèn)題和降低碳排放的關(guān)鍵支撐技術(shù)。 IGBT被廣泛應(yīng)用于工業(yè)、家用電器、軌道交通、新能源、醫(yī)學(xué)、軍用航天等領(lǐng)域，具體如變頻器、逆變焊機(jī)、變頻空調(diào)、洗衣機(jī)、冰箱、動(dòng)車(chē)、地鐵、輕軌、新能源汽車(chē)、風(fēng)力發(fā)電、醫(yī)療設(shè)備穩(wěn)壓電源、飛機(jī)、艦艇等。

　　接下來(lái)由小編帶領(lǐng)大家了解一下IGBT的全球發(fā)展?fàn)顟B(tài)。

　　從市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局來(lái)看，美國(guó)功率器件處于世界領(lǐng)先地位，擁有一批具有全球影響力的廠(chǎng)商，例如 TI、Fairchild、NS、Linear、IR、Maxim、ADI、ONSemiconductor、AOS 和 Vishay 等廠(chǎng)商。歐洲擁有 Infineon、ST 和 NXP 三家全球半導(dǎo)體大廠(chǎng)，不僅產(chǎn)品線(xiàn)齊全，而且無(wú)論是功率 IC 還是功率分離器件均具有領(lǐng)先實(shí)力。

　　日本功率器件主要有Toshiba、Renesas、NEC、Ricoh、Sanke、Seiko、Sanyo、Sharp、Fujitsu、Toshiba、Rohm、Matsushita、Fuji Electric等廠(chǎng)商。日本廠(chǎng)商在分立功率器件方面做的較好，但是在功率芯片方面，雖然廠(chǎng)商數(shù)量眾多，但大多數(shù)廠(chǎng)商并非主營(yíng)功率芯片。

　　而中國(guó)國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)占世界市場(chǎng)的50%以上，但在中高端MOSFET及IGBT主流器件市場(chǎng)上，90％主要依賴(lài)進(jìn)口，基本被歐美、日本企業(yè)所壟斷。

　　目前，國(guó)外企業(yè)如英飛凌、 ABB、三菱等廠(chǎng)商研發(fā)的IGBT器件產(chǎn)品規(guī)格已涵蓋電壓600V-6500V，電流2A-3600A，并形成完善的IGBT產(chǎn)品系列?？梢哉f(shuō)，國(guó)際市場(chǎng)供應(yīng)鏈已基本成熟，但隨著新能源等市場(chǎng)需求增長(zhǎng)，市場(chǎng)鏈條正逐步演化。

　　在國(guó)內(nèi)，盡管我國(guó)擁有最大的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)，但是目前國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)與國(guó)際大公司相比還存在很大差距，特別是IGBT等高端器件差距更加明顯，核心技術(shù)均掌握在發(fā)達(dá)國(guó)家企業(yè)手中。跟國(guó)內(nèi)廠(chǎng)商相比，英飛凌、 三菱和富士電機(jī)等國(guó)際廠(chǎng)商占有絕對(duì)的市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)。形成這種局面的原因主要是：

　?。?）國(guó)際廠(chǎng)商起步早，同時(shí)研發(fā)投入大，從而形成了較高的專(zhuān)利壁壘。

　?。?）國(guó)外高端制造業(yè)水平比國(guó)內(nèi)要高很多，一定程度上支撐了國(guó)際廠(chǎng)商的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。

　　（3）高鐵、智能電網(wǎng)、新能源與高壓變頻器等領(lǐng)域所采用的IGBT模塊規(guī)格在6500V以上，技術(shù)壁壘較強(qiáng).

　?。?）IGBT芯片設(shè)計(jì)制造、模塊封裝、失效分析、測(cè)試等IGBT產(chǎn)業(yè)核心技術(shù)仍掌握在發(fā)達(dá)國(guó)家企業(yè)手中。

　　所以中國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展必須改變目前技術(shù)處于劣勢(shì)的局面，特別是要在產(chǎn)業(yè)鏈上游層面取得突破，改變目前功率器件領(lǐng)域封裝強(qiáng)于芯片的現(xiàn)狀，使中國(guó)芯走向世界，讓其在國(guó)際IGBT市場(chǎng)占據(jù)有利地位并取得競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

　　備注：本文觀點(diǎn)屬于原作者，僅作學(xué)習(xí)參考，如內(nèi)容上存在爭(zhēng)議，請(qǐng)及時(shí)與我們聯(lián)系，謝謝！

? ? ? ? ymf