非易失性存儲(chǔ)器芯片又可分為快閃存儲(chǔ)器 (Flash Memory) 與只讀存儲(chǔ)器 (Read-Only Memory)。其中,快閃存儲(chǔ)器又可以分為 NAND 存儲(chǔ)和 NOR 存儲(chǔ)。
2024-03-22 10:54:1514 的優(yōu)越性能,全閃存存儲(chǔ)陣列在數(shù)據(jù)中心中越來(lái)越受歡迎。這些存儲(chǔ)系統(tǒng)使用SSD作為主存儲(chǔ)和輔助存儲(chǔ),提供更快的數(shù)據(jù)訪問(wèn)、降低功耗并提高可靠性。 二、存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存 存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存(SCM)是一種新型非易失性內(nèi)存,它將DRAM的速度與NAND閃存的
2024-03-18 17:39:22141 三星計(jì)劃NAND閃存價(jià)格談判 欲漲價(jià)15%—20% 三星認(rèn)為NAND Flash價(jià)格過(guò)低;在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計(jì)劃與客戶就NAND閃存價(jià)格重新談判,目標(biāo)價(jià)位是漲價(jià)15%—20%。
2024-03-14 15:35:22217 數(shù)據(jù)管理的效率極低。因此,分布式存儲(chǔ)系統(tǒng)應(yīng)運(yùn)而生。 分布式存儲(chǔ)就是將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在眾多的服務(wù)器或網(wǎng)絡(luò)節(jié)點(diǎn)上,而不是集中在單個(gè)位置。這種方式的好處包括:方便擴(kuò)容、數(shù)據(jù)冗余備份提高容錯(cuò)性、避免單點(diǎn)故障影響整個(gè)系統(tǒng)。 而分布式計(jì)算則是將一個(gè)大任
2024-03-07 15:40:21109 智能存儲(chǔ)系統(tǒng)(IntelligentStorageSystem)是一種先進(jìn)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案,它結(jié)合了硬件、軟件和自動(dòng)化管理功能,以實(shí)現(xiàn)對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的高度優(yōu)化、高效能、高可用性和可擴(kuò)展性。是針對(duì)現(xiàn)代
2024-03-05 13:53:1781 前言 NAND Flash 和 NOR Flash是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出 NOR Flash 技術(shù),徹底改變了原先由 EPROM 和 EEPROM 一統(tǒng)天下
2024-03-01 17:08:45158 NAND閃存作為如今各種電子設(shè)備中常見(jiàn)的非易失性存儲(chǔ)器,存在于固態(tài)硬盤(pán)(SSD)、USB閃存驅(qū)動(dòng)器和智能手機(jī)存儲(chǔ)等器件。而隨著電腦終端、企業(yè)存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)中心、甚至汽車配件等應(yīng)用場(chǎng)景要求的多樣化
2024-02-05 18:01:17420 Digital(SD)卡形式提供,因此可以輕松地插入支持 SD 卡的設(shè)備中進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸和存儲(chǔ)。
SD NAND FLASH 是一種用于存儲(chǔ)敏感數(shù)據(jù)的閃存技術(shù),它具備高密度存儲(chǔ)和安全性保護(hù)的特點(diǎn),常用于需要
2024-01-24 18:30:00
特性。這種技術(shù)結(jié)合了NAND閃存的高密度存儲(chǔ)能力和安全性能。它通常用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù),如圖像、視頻、音頻、文檔等,同時(shí)具備保護(hù)數(shù)據(jù)免受未經(jīng)授權(quán)訪問(wèn)或篡改的能力。SDNA
2024-01-24 18:29:55373 什么是SD NAND?它俗稱貼片式T卡,貼片式TF卡,貼片式SD卡,貼片式內(nèi)存卡,貼片式閃存卡,貼片式卡...等等。雖然SD NAND 和TF卡稱呼上有些類似,但是SD NAND和TF卡有著本質(zhì)上的區(qū)別。
2024-01-06 14:35:57861
SD NAND是一種基于NAND閃存技術(shù)的存儲(chǔ)設(shè)備,與其他存儲(chǔ)設(shè)備相比,它具有以下幾個(gè)顯著的優(yōu)點(diǎn):
高可靠性:SD NAND針對(duì)嵌入式系統(tǒng)的特殊需求進(jìn)行了設(shè)計(jì),具有更高的可靠性。它內(nèi)置了閃存控制器
2024-01-05 17:54:39
IDC數(shù)據(jù)表明,傳統(tǒng)企業(yè)存儲(chǔ)系統(tǒng)中的全閃陣列同比下降5.5%,用戶更加青睞端到端NVMe 全閃、分布式全閃等高端全閃存儲(chǔ)。
2024-01-03 10:43:18283 這種存儲(chǔ)技術(shù)不僅能容納大量語(yǔ)音和數(shù)據(jù)文件,而且具有高速讀取的特點(diǎn),保障了實(shí)時(shí)通信的質(zhì)量。SD NAND還注重安全性,通過(guò)數(shù)據(jù)加密和訪問(wèn)控制功能,確保對(duì)講機(jī)中的敏感信息受到保護(hù)。其耐用性使其能夠抵御對(duì)講機(jī)在使用中可能遇到的振動(dòng)和沖擊。
2023-12-28 00:00:00331 UFS(Universal Flash Storage)即通用閃存存儲(chǔ),是一種將Nand Flash和Flash controller 協(xié)議接口封裝在一起的存儲(chǔ)系統(tǒng)。主要用于數(shù)碼相機(jī)、智能電話等消費(fèi)
2023-12-22 16:21:318957 LabVIEW開(kāi)發(fā)地鐵運(yùn)行安全監(jiān)控系統(tǒng)
最近昌平線發(fā)生的故障事件引起了廣泛關(guān)注,暴露了現(xiàn)有地鐵運(yùn)行監(jiān)控系統(tǒng)在應(yīng)對(duì)突發(fā)情況方面的不足。為了提高地鐵系統(tǒng)的運(yùn)行安全性,并防止類似事件再次發(fā)生,提出了一套
2023-12-16 21:06:16
整套存儲(chǔ)設(shè)計(jì)需要解決的核心問(wèn)題是——如何在OLTP存儲(chǔ)系統(tǒng)中支持OLAP workflow?OLAP workflow在OLTP存儲(chǔ)系統(tǒng)上帶來(lái)的兩個(gè)最主要的問(wèn)題是:嚴(yán)重的IO放大率、存算耦合。
2023-12-05 16:00:58212 NOR FLASH是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù),對(duì)計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)具有重大影響,閃存其獨(dú)特的特性和功能影響著計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)的各個(gè)方面
2023-12-05 10:32:31332 增加3D(三維)NAND閃存密度的方法正在發(fā)生變化。這是因?yàn)橹С謧鹘y(tǒng)高密度技術(shù)的基本技術(shù)預(yù)計(jì)將在不久的將來(lái)達(dá)到其極限。2025 年至 2030 年間,新的基礎(chǔ)技術(shù)的引入和轉(zhuǎn)化很可能會(huì)變得更加普遍。
2023-11-30 10:20:26244 閃速存儲(chǔ)器 (Flash Memory)簡(jiǎn)稱閃存器或閃存,是一種非易失性存儲(chǔ)器(Non-volatile Memory, NVM)。目前常用的兩種閃存器是或非閃存器 (NOR Flash)和與非閃存
2023-11-23 09:36:17915 NAND FLASH是一種非易失性隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)介質(zhì), 基于浮柵(Floating Gate)晶體管設(shè)計(jì),通過(guò)浮柵來(lái)鎖存電荷,電荷被儲(chǔ)
存在浮柵中,在無(wú)電源供應(yīng)的情況下數(shù)據(jù)仍然可以保持。相對(duì)于HDD,具有讀寫(xiě)速度快、訪問(wèn)時(shí)延低等特點(diǎn)。
2023-11-19 16:44:57130 。CSNP4GCR01-AMW是一種基于NAND閃存和SD控制器的4Gb密度嵌入式存儲(chǔ);而CSNP32GCR01-AOW是一種基于NAND閃存和SD控制器的32Gb密度嵌入式存儲(chǔ)。與原始NAND相比其具有
2023-11-15 18:07:57
鎧俠公司為應(yīng)對(duì)存儲(chǔ)芯片價(jià)格的持續(xù)下跌,從2022年10月開(kāi)始采取了將晶片減產(chǎn)30%的措施。2023年q3的nand閃存價(jià)格將比q2上漲5%至9%,出貨量將比前一個(gè)月減少10至14%。以美元為準(zhǔn),nand閃存價(jià)格將比前一個(gè)月上漲0至4%。
2023-11-15 10:17:03335 長(zhǎng)江存儲(chǔ)與美光芯片戰(zhàn)升級(jí)。3D NAND閃存制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ),已于9日在美國(guó)加州北區(qū)地方法院對(duì)美國(guó)記憶芯片龍頭美光科技提告,指控美光侵犯了長(zhǎng)江存儲(chǔ)8項(xiàng)與3D NAND相關(guān)的美國(guó)專利。
2023-11-13 17:24:51547 長(zhǎng)江存儲(chǔ)在以上起訴書(shū)中稱,長(zhǎng)江存儲(chǔ)不再是新秀(upstart),而已成為全球3D NAND市場(chǎng)的重要參與者。長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示,去年11月,分析和跟蹤閃存市場(chǎng)的TechInsights公司得出結(jié)論:長(zhǎng)江存儲(chǔ)是3D NAND閃存領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者,超過(guò)了美光。
2023-11-13 16:53:04531 訴訟旨在解決以下問(wèn)題的一個(gè)方面:美光試圖通過(guò)迫使長(zhǎng)江存儲(chǔ)退出3D NAND Flash(閃存)市場(chǎng)來(lái)阻止競(jìng)爭(zhēng)和創(chuàng)新。
2023-11-13 15:47:51289 但是,存儲(chǔ)芯片大企業(yè)的價(jià)格已經(jīng)出現(xiàn)上漲跡象。還有外電報(bào)道說(shuō),已經(jīng)從dram開(kāi)始的存儲(chǔ)器價(jià)格上升趨勢(shì)正在擴(kuò)大到nand閃存。
2023-11-13 14:53:28487 三星采取此舉的目的很明確,希望通過(guò)此舉逆轉(zhuǎn)整個(gè)閃存市場(chǎng),穩(wěn)定NAND閃存價(jià)格,并實(shí)現(xiàn)明年上半年逆轉(zhuǎn)市場(chǎng)等目標(biāo)。
2023-11-03 17:21:111214 為什么說(shuō)電氣隔離安全性比較高?
2023-11-02 08:22:13
電池安全性能檢測(cè)設(shè)備-高格科技廠家供應(yīng)整套或單臺(tái)設(shè)備PACK鋰電池是指由多節(jié)單體電池組成的電池組,通常應(yīng)用于電動(dòng)汽車、儲(chǔ)能系統(tǒng)等領(lǐng)域。為了保證其在不同溫度環(huán)境下的性能和安全性,依據(jù)GB
2023-11-01 10:57:58
SSD主要由控制單元和存儲(chǔ)單元(當(dāng)前主要是FLASH閃存顆粒)組成,控制單元包括SSD控制器、主機(jī)接口、DRAM等,存儲(chǔ)單元主要是NAND FLASH顆粒。
2023-10-27 10:27:03198 2023云棲大會(huì)定檔 10月31日 期待與您在杭州云棲小鎮(zhèn) 共度一場(chǎng)為期 3天 的科技盛會(huì) 平頭哥邀請(qǐng)您參與話題專場(chǎng) “軟硬件協(xié)同,以芯重塑云存儲(chǔ)系統(tǒng)效能” 日期:11月1日 時(shí)間:1520 會(huì)場(chǎng)
2023-10-23 11:55:01393 。在數(shù)據(jù)建模分析中,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的壓力會(huì)隨之增長(zhǎng),存儲(chǔ)系統(tǒng)往往需具備PB級(jí)的擴(kuò)展能力和極高的讀寫(xiě)性能,這對(duì)存儲(chǔ)系統(tǒng)穩(wěn)定性、可靠性和訪問(wèn)帶寬都提出了嚴(yán)苛要求。 為應(yīng)對(duì)石油勘探面臨的挑戰(zhàn),中科曙光推出石油私有云方案。通過(guò)
2023-10-21 09:25:50583 中芯國(guó)際方面表示:“nand閃存憑借較高的單元密度和存儲(chǔ)器密度、快速使用和刪除速度等優(yōu)點(diǎn),已成為廣泛使用在閃存上的結(jié)構(gòu)?!蹦壳爸饕糜跀?shù)碼相機(jī)等的閃存卡和mp3播放器。
2023-10-17 09:46:07265 MCU 是怎么為物聯(lián)網(wǎng)端點(diǎn)設(shè)備提高安全性的?
2023-10-17 08:53:03
據(jù)韓國(guó)貿(mào)易部16日公布的資料顯示,韓國(guó)9月份的nand閃存出口額比去年同期增加了5.6%,但8月份減少了8.9%。存儲(chǔ)器半導(dǎo)體業(yè)界的另一個(gè)支柱——3.3354萬(wàn)dram的出口在同期減少了24.6%。這比上個(gè)月的35.2%有所減少。
2023-10-16 14:17:21244 隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求日益增長(zhǎng)。作為一種新型的非易失性存儲(chǔ)器,NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢(shì),在各個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對(duì)NAND Flash存儲(chǔ)器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、性能指標(biāo)及應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行詳細(xì)解析,以期為讀者提供一個(gè)全面的了解。
2023-09-27 18:26:171437 SSD主要由控制單元和存儲(chǔ)單元(當(dāng)前主要是FLASH閃存顆粒)組成,控制單元包括SSD控制器、主機(jī)接口、DRAM等,存儲(chǔ)單元主要是NAND FLASH顆粒。
2023-09-25 09:45:51161 NAND FLASH是一種非易失性隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)介質(zhì), 基于浮柵(Floating Gate)晶體管設(shè)計(jì),通過(guò)浮柵來(lái)鎖存電荷,電荷被儲(chǔ)
存在浮柵中,在無(wú)電源供應(yīng)的情況下數(shù)據(jù)仍然可以保持。相對(duì)于HDD,具有讀寫(xiě)速度快、訪問(wèn)時(shí)延低等特點(diǎn)。
2023-09-11 14:48:23269 閃存芯片是非揮發(fā)存儲(chǔ)芯片,廣泛用于電子產(chǎn)品,特別是如數(shù)碼相機(jī)、MP3播放器、手機(jī)、全球定位系統(tǒng)(GPS)、高端筆記本電腦和平板電腦等移動(dòng)電子產(chǎn)品的存儲(chǔ)應(yīng)用。
2023-09-11 09:32:31833 痛點(diǎn),以自研新技術(shù)、新應(yīng)用為政務(wù)服務(wù)提質(zhì)增效。 政務(wù)服務(wù)“快車道” 江北智慧政務(wù)2.0平臺(tái)服務(wù)項(xiàng)目覆蓋廣泛,包括數(shù)字政務(wù)地圖、排隊(duì)叫號(hào)系統(tǒng)、智能引導(dǎo)申報(bào)等系統(tǒng)。隨著服務(wù)范圍和服務(wù)量的提升,原有存儲(chǔ)系統(tǒng)性能落后的問(wèn)題日益突出,嚴(yán)
2023-09-07 09:53:04603 強(qiáng)大的Arm? Cortex?-M33 MCU運(yùn)行頻率高達(dá)250 MHz的Arm?Cortex?-M33內(nèi)核32位MCU滿足絕大多數(shù)工業(yè)應(yīng)用的需求安全性可擴(kuò)展,滿足各類需求從基本的安全構(gòu)建模塊到經(jīng)過(guò)
2023-09-06 06:29:56
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《評(píng)估報(bào)告:全閃存HP 3PAR StoreServ 7450存儲(chǔ)系統(tǒng)和第5代16Gb/s光纖通道.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-30 16:41:370 豐富的功能以提高系統(tǒng)安全性。例如: 安全啟動(dòng)程序 (Secure Boot Loader) 可以驗(yàn)證韌體的完整性,并在需要時(shí)支持全微控制器韌體更新。包括 ECC 在內(nèi)的硬件加密加速器支持加密和解密操作
2023-08-28 06:24:53
關(guān)于設(shè)備聯(lián)網(wǎng),您最在意的是什么?
安全性
系統(tǒng)整合
投資回報(bào)
公布答案:
以上皆是。
企業(yè)采用物聯(lián)網(wǎng)最在意安全性、系統(tǒng)整合與投資回報(bào)。
IoT Business News引述貝恩顧問(wèn)公司
2023-08-25 08:07:21
ARM med OS是一款免費(fèi)、開(kāi)源的物聯(lián)網(wǎng)操作系統(tǒng),具有連接性、安全性、存儲(chǔ)、設(shè)備管理和機(jī)器學(xué)習(xí)功能。
它包括開(kāi)發(fā)基于ARM Cortex-M微控制器的互聯(lián)產(chǎn)品所需的所有功能,包括安全性、連接性
2023-08-25 07:01:19
三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲(chǔ)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)愈加激烈,三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存,三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53281 三星已經(jīng)減少了主要nand閃存生產(chǎn)基地的晶圓投入額。這就是韓國(guó)的平澤、華城和中國(guó)的西安。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為,三星的nand閃存產(chǎn)量可能會(huì)減少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1業(yè)績(jī)中,由于市場(chǎng)持續(xù)低迷,三星電子正式公布了存儲(chǔ)器減產(chǎn)計(jì)劃。
2023-08-16 10:23:58423 企業(yè)存儲(chǔ)系統(tǒng)需要具備高可用性和容錯(cuò)能力,保證數(shù)據(jù)安全和可靠性。其次,存儲(chǔ)系統(tǒng)需要支持多種協(xié)議和文件格式,滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。此外,存儲(chǔ)系統(tǒng)還需要支持?jǐn)?shù)據(jù)備份和恢復(fù)、快照和克隆等高級(jí)功能,提高數(shù)據(jù)管理和保護(hù)的效率。
2023-08-14 14:46:38284 提前(AOT)編譯的特定支持。
·決定處理器如何運(yùn)行的模式和狀態(tài),包括當(dāng)前的執(zhí)行特權(quán)和安全性。
·例外模式。
·內(nèi)存模型,定義內(nèi)存排序和內(nèi)存管理:
-ARMv7-A架構(gòu)配置文件定義虛擬內(nèi)存系統(tǒng)架構(gòu)
2023-08-12 07:46:44
景
CS創(chuàng)世推出的2GB pSLC SD Nand,尺寸為6.2*8mm,使用標(biāo)準(zhǔn)SD2.0協(xié)議,可以無(wú)需修改軟件直接替換SD卡和TF卡,采用了貼片式SD NAND后能使您的產(chǎn)品更穩(wěn)定更安全同時(shí)有效增加
2023-08-11 10:48:34
SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存,成為業(yè)界首家開(kāi)發(fā)出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品,并介紹了開(kāi)發(fā)進(jìn)展情況。
2023-08-10 16:01:47704 MCU應(yīng)用安全性
2023-08-10 11:04:23365 TrustZone體系結(jié)構(gòu)為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供了一種幫助保護(hù)系統(tǒng)的方法TrustZone安全擴(kuò)展和安全外設(shè)。低級(jí)程序員應(yīng)該
理解TrustZone架構(gòu)對(duì)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)要求;即使他們不使用安全功能。
ARM
2023-08-02 18:10:53
據(jù)《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道,三星提出的512gb nand閃存晶片單價(jià)為1.60美元,比2023年初的1.40美元約上漲15%。但消息人士表示,由于上下nand閃存的庫(kù)存緩慢,很難說(shuō)服上調(diào)價(jià)格。
2023-08-02 11:56:24762 本文件規(guī)定了芯片上系統(tǒng)(SoC)的最低安全要求多個(gè)市場(chǎng)。它主要適用于需要遵守各種安全性的芯片組設(shè)計(jì)者
要求。架構(gòu)師、設(shè)計(jì)師和驗(yàn)證工程師可以使用此規(guī)范來(lái)支持該過(guò)程獨(dú)立實(shí)驗(yàn)室的認(rèn)證。
本文檔未指定特定
2023-08-02 10:15:58
在當(dāng)今科技時(shí)代,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求急劇增長(zhǎng),NAND閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲(chǔ)解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來(lái),虛擬SLC(pSLC)閃存技術(shù)的引入,為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域帶來(lái)了新的創(chuàng)新。本文將探討pSLC閃存
2023-08-02 08:15:35791 在當(dāng)今科技時(shí)代,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求急劇增長(zhǎng),NAND 閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲(chǔ)解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來(lái),虛擬 SLC(pSLC)閃存技術(shù)的引入,為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域帶來(lái)了新的創(chuàng)新。本文將探討 pSLC 閃存的原理、優(yōu)勢(shì)以及在不同領(lǐng)域中的應(yīng)用。
2023-08-01 11:15:471559 對(duì) NAND 存儲(chǔ)器的需求也大幅增加。從移動(dòng)或便攜式固態(tài)硬盤(pán)到數(shù)據(jù)中心,從企業(yè)固態(tài)硬盤(pán)再到汽車配件, NAND 閃存的應(yīng)用領(lǐng)域和使用場(chǎng)景愈發(fā)多樣化,各種要求也隨之出現(xiàn),常見(jiàn)的譬如更高的讀寫(xiě)速度、最大化的存儲(chǔ)容量、更低的功耗和更低的成本等等
2023-07-24 14:45:03424 長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)將3D NAND閃存做到了232層堆疊,存儲(chǔ)密度15.47Gb每平方毫米,而且傳輸速度高達(dá)2400MT/s,妥妥的世界第一,結(jié)果被美國(guó)一直禁令給攔住了,死死限制在128層,但我們肯定不會(huì)坐以待斃。
2023-07-20 09:44:311233 基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25% 此前美光推出了其首個(gè)UFS 4.0移動(dòng)存儲(chǔ)解決方案,采用了232層3D TLC NAND閃存;速度提升很大,可以達(dá)到最高
2023-07-19 19:02:21864 NAND閃存,所有主要閃存制造商都在積極采用各種方法來(lái)降低閃存的每位成本,同時(shí)創(chuàng)造出適用于各種應(yīng)用的產(chǎn)品。閃存制造商還在積極展開(kāi)研究,期望能夠擴(kuò)展3D NAND閃存的垂直層數(shù)。雖然15nm似乎是NAND閃存目前能夠達(dá)到的最小節(jié)點(diǎn),但開(kāi)發(fā)者
2023-07-18 17:55:02486 隨著密度和成本的飛速進(jìn)步,數(shù)字邏輯和 DRAM 的摩爾定律幾乎要失效。但是在NAND 閃存領(lǐng)域并非如此,與半導(dǎo)體行業(yè)的其他產(chǎn)品不同,NAND 的成本逐年大幅下降。
2023-07-18 10:13:351203 安全性促進(jìn)可靠性設(shè)計(jì):安全性要求通常會(huì)推動(dòng)可靠性設(shè)計(jì)的實(shí)施。為了滿足安全性要求,產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員需要考慮風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估、故障預(yù)防和容錯(cuò)設(shè)計(jì)等措施。這些措施有助于提高產(chǎn)品的可靠性,減少故障率,增加產(chǎn)品在不安全環(huán)境下的穩(wěn)定性和可用性。
2023-07-12 10:44:132790 NAND閃存是一種電壓原件,靠其內(nèi)存電壓來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
2023-07-12 09:43:211445 閃存存儲(chǔ)設(shè)備:NAND芯片作為主要的閃存存儲(chǔ)媒介,被廣泛用于固態(tài)硬盤(pán)(SSD)、USB閃存驅(qū)動(dòng)器、內(nèi)存卡(如SD卡、MicroSD卡)和閃存盤(pán)等。
2023-06-28 16:25:495211 制造、設(shè)計(jì)或啟用NAND閃存的公司組成的行業(yè)工作組,主要是Intel和鎂光。致力于簡(jiǎn)化NAND閃存集成到消費(fèi)電子產(chǎn)品、計(jì)算平臺(tái)和任何其他需要固態(tài)大容量存儲(chǔ)的應(yīng)用程序中。為NAND閃存定義標(biāo)準(zhǔn)化的組件
2023-06-21 17:36:325869 安全的創(chuàng)新?lián)?dāng):作為數(shù)據(jù)生態(tài)系統(tǒng)最底層的存儲(chǔ)系統(tǒng),承擔(dān)著數(shù)據(jù)安全地基的角色。曙光全自主研發(fā)的分布式存儲(chǔ)軟件架構(gòu),從根本上保障了ParaStor產(chǎn)品功能的完備、性能的卓越、系統(tǒng)的穩(wěn)健和對(duì)業(yè)務(wù)的深度優(yōu)化能力,幫助用戶實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)系統(tǒng)安全的高效化。
2023-06-20 10:41:19304 3D NAND閃存是一種把內(nèi)存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術(shù)。這種技術(shù)垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元,具備卓越的精度,可支持在更小的空間內(nèi),容納更高的存儲(chǔ)容量,從而有效節(jié)約成本、降低能耗,以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:561728 內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲(chǔ)單元是bit,用戶可以隨機(jī)訪問(wèn)任何一個(gè)bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲(chǔ)單元是頁(yè)(Page)(可以看到,NAND型閃存的頁(yè)就類似硬盤(pán)的扇區(qū),硬盤(pán)的一個(gè)扇區(qū)也為512
2023-06-10 17:21:001982 電池安全性檢測(cè)主要包含有:高低溫、短路、防爆、過(guò)充過(guò)放電、低氣壓、溫度循環(huán)、振動(dòng)、加速度沖擊、跌落、擠壓、重物沖擊、熱濫用、燃燒、洗滌等。電池電芯重物沖擊試驗(yàn)機(jī)是電池安全性能試驗(yàn)設(shè)備中的一種,今天
2023-06-10 16:41:08
NAND 存儲(chǔ)器制造商三星和 SK 海力士已尋求將 NAND 閃存價(jià)格提高 3%-5% 以試探市場(chǎng)反應(yīng),并表示 NAND 閃存的價(jià)格已降至可變成本以下。 ? 2. 日媒:蘋(píng)果Vision Pro 給電子
2023-06-09 12:01:041114 電池安全性檢測(cè):高低溫、短路、防爆、過(guò)充過(guò)放電、低氣壓、溫度循環(huán)、振動(dòng)、加速度沖擊、跌落、擠壓、針刺、重物沖擊、熱濫用、燃燒、洗滌等。電池電芯短路試驗(yàn)機(jī)是 常用的一種電池安全性能試驗(yàn)設(shè)備,電池電芯
2023-06-08 15:14:12
在當(dāng)今智能設(shè)備的互聯(lián)世界中,我們希望更快地訪問(wèn)我們的數(shù)據(jù),同時(shí)我們希望它得到保護(hù)并免受入侵者的侵害。閃存不僅速度更快,而且安全可靠,其化身為UFS - 通用閃存。此博客深入了解 UFS 設(shè)備的各種安全模式以及如何訪問(wèn)它們。它還指出了如何使用加密來(lái)進(jìn)一步保護(hù)數(shù)據(jù)。
2023-05-26 15:29:051760 RISC-V有機(jī)器模式、監(jiān)管模式和用戶模塊,但無(wú)論在哪個(gè)模式下當(dāng)TRAP發(fā)生時(shí)都會(huì)轉(zhuǎn)到機(jī)器模式,是不是也就意味著在用戶模式下進(jìn)入中斷服務(wù)程序也會(huì)擁有機(jī)器模式的權(quán)限,那我們?nèi)绾伪WC高權(quán)限模式程序及外設(shè)的安全性?
2023-05-26 08:11:25
近日,IBM 存儲(chǔ)推出了基于其閃存產(chǎn)品 IBM FlashSystem 的新能力,幫助企業(yè)高效應(yīng)對(duì)數(shù)據(jù)安全威脅。
2023-05-25 16:35:02829 NAND閃存上的位密度隨著時(shí)間的推移而變化。早期的NAND設(shè)備是單層單元(SLC)閃存。這表明每個(gè)閃存單元存儲(chǔ)一個(gè)位。使用多層單元(MLC),閃存可以為每個(gè)單元存儲(chǔ)兩個(gè)或更多位,因此位密度會(huì)增加
2023-05-25 15:36:031194 flash中運(yùn)行。嵌入式系統(tǒng)多用一個(gè)小容量的nor flash存儲(chǔ)引導(dǎo)代碼,用一個(gè)大容量的nand flash存放文件系統(tǒng)和內(nèi)核。
1.2 存儲(chǔ)器RAM介紹
RAM有兩大類,一種稱為靜態(tài)RAM(Static
2023-05-19 15:59:37
內(nèi)副反應(yīng)的發(fā)生,保證了電池的安全性。但是,隨著鋰離子電池的使用越來(lái)越廣泛,能量密度越來(lái)越高,近年來(lái)還是屢屢發(fā)生爆炸傷人或因安全隱患召回產(chǎn)品等事件。因此電池安全性能測(cè)試
2023-05-19 14:34:04
設(shè)備和RAM。
NOR Flash和NAND Flash都是非易失性存儲(chǔ)介質(zhì),即使沒(méi)有電源,也可以保留數(shù)據(jù)。MultiMediaCard (MMC)和Secure Digital (SD)卡是符合相應(yīng)
2023-05-18 14:13:37
Semiconductor。 ? X-NAND ? 相信去年的閃存峰會(huì)上,除了鎧俠、SK海力士、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、三星等大廠所做的技術(shù)分享外,大家也都注意到了這家名為NEO Semiconductor的初創(chuàng)企業(yè)。這是一家專為NAND閃存和DRAM內(nèi)存開(kāi)發(fā)創(chuàng)新架構(gòu)的廠商,其去年推出的X-NAND第二代技術(shù),允許3D NAND閃存
2023-05-08 07:09:001983 有人會(huì)認(rèn)為設(shè)計(jì)一個(gè)基于NAND的存儲(chǔ)系統(tǒng)是相當(dāng)簡(jiǎn)單的。然而,這是一個(gè)極其復(fù)雜的過(guò)程,在此過(guò)程中需要進(jìn)行一系列組件和權(quán)衡。沒(méi)有一種適合所有解決方案的解決方案,尤其是在設(shè)計(jì)工業(yè)解決方案時(shí)。
2023-05-04 11:01:11874 我正在嘗試啟動(dòng) IMX6ULL NAND 閃存。供您參考,我使用 buildroot 2018_11_4 成功啟動(dòng)了 IMX6ULL NAND 閃存。(uboot 4.15 和 linux 4.15
2023-04-20 07:55:17
C40驅(qū)動(dòng)是AP和bootloader固件的分區(qū),我們擔(dān)心 一些極端情況下C40接口可以修改關(guān)鍵數(shù)據(jù)。由于我們項(xiàng)目使用的是FEE,所以代碼中必須預(yù)留C40驅(qū)動(dòng)。您有什么想法可以增強(qiáng)代碼安全性嗎?
2023-04-18 07:28:21
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內(nèi)核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應(yīng)用程序中,我們需要將安全數(shù)據(jù)(例如密鑰)存儲(chǔ)在安全非易失性存儲(chǔ) (SNVS) 區(qū)域
2023-04-14 07:38:45
中,車載電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)的復(fù)雜度顯著提升,對(duì)于存儲(chǔ)產(chǎn)品而言,大容量、實(shí)時(shí)響應(yīng)、高可靠性和安全性必不可少,兆易創(chuàng)新車規(guī)級(jí)GD25/55 SPI NOR Flash和GD5F SPINAND Flash具有豐富
2023-04-13 15:18:46
應(yīng)用了閃存堆疊技術(shù)的3D NAND Flash的出現(xiàn),比以往的2D NAND Flash提供了更大存儲(chǔ)空間,滿足了業(yè)界日益增長(zhǎng)的存儲(chǔ)需求,因而成為主流。
2023-04-10 17:35:171440 我正在嘗試使用 AN4235SW 來(lái)實(shí)現(xiàn)應(yīng)用程序固件安全性。我無(wú)法理解如何使用這個(gè)例子。請(qǐng)指導(dǎo)
2023-04-06 08:09:49
當(dāng)我提到 AN12714 i.MX 加密存儲(chǔ)使用 CAAM 安全密鑰修訂版 0 — 2020 年 2 月 25 日最后,我發(fā)現(xiàn)我的閃存是 Nand,但是NAND 閃存是一個(gè) MTD 設(shè)備,因此
2023-04-03 06:24:34
我們之前見(jiàn)過(guò)的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來(lái)了,理論上可以無(wú)線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 人工智能(AI)和機(jī)器學(xué)習(xí)(ML)技術(shù)在自主性日益增強(qiáng)的系統(tǒng)中的應(yīng)用越來(lái)越普遍,這將提高各行各業(yè)對(duì)更智能的安全系統(tǒng)的要求。關(guān)注重點(diǎn)已經(jīng)從節(jié)約成本轉(zhuǎn)向給用戶帶來(lái)便利性和安全性。這需要一個(gè)完整的功能安全
2023-03-29 15:09:30
?我可以將 NAND 閃存分成兩個(gè)分區(qū)嗎:應(yīng)用程序代碼的第一個(gè)分區(qū)第二個(gè)分區(qū)將被格式化為 FAT32 文件系統(tǒng)
2023-03-29 07:06:44
程序會(huì)通過(guò)藍(lán)牙將.sb2文件下載到sdcard,然后booloader會(huì)讀取0xB000地址的AES密鑰,解密sdcard中的文件,最終將程序?qū)懭雈lash 0xA000。我想知道在寫(xiě)入閃存之前將 AES 密鑰存儲(chǔ)在哪里,我應(yīng)該什么時(shí)候?qū)⑺鼘?xiě)入閃存才能使整個(gè)更新過(guò)程安全?
2023-03-23 08:47:27
評(píng)論
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