推薦幾款電力電子仿真軟件，有沒(méi)有安卓端和電腦端的？
2024-03-17 09:43:40
據(jù)日本研究人員報(bào)告，通過(guò)減少碳污染來(lái)避免碳污染源導(dǎo)致的“遷移率崩潰”，氮化鎵（GaN）的電子遷移率性能創(chuàng)下新高 。
2024-03-13 10:51:34
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瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品，這些產(chǎn)品不僅通過(guò)了嚴(yán)格的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified），還具備業(yè)界領(lǐng)先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出，標(biāo)志著瞻芯電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279 羅姆半導(dǎo)體公司近日宣布，其旗下高性能的650V GaN器件（EcoGaN）已被全球知名的綠色解決方案供應(yīng)商臺(tái)達(dá)電子旗下的Innergie品牌成功采用，用于其最新推出的45W輸出AC適配器“C4
2024-03-12 11:13:01256 納芯微宣布推出基于其自研創(chuàng)新型振鈴抑制專利的車規(guī)級(jí)CAN SIC（信號(hào)改善功能，Signal Improvement Capability）NCA1462-Q1。
2024-03-12 09:30:00136 
氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管已經(jīng)徹底改變了電力電子行業(yè)，具有比傳統(tǒng)硅MOSFETs更小的尺寸、更快的開(kāi)關(guān)速度、更高的效率和更低的成本等優(yōu)勢(shì)。然而，GaN技術(shù)的快速發(fā)展有時(shí)超過(guò)了專用GaN專用柵極
2024-03-05 14:28:16406 
GaN FETs以其體積小、切換速度快、效率高及成本低等優(yōu)勢(shì)，為電力電子產(chǎn)業(yè)帶來(lái)了革命性的變化。然而，GaN技術(shù)的快速發(fā)展有時(shí)超出了專門為GaN設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動(dòng)器和控制器的發(fā)展。因此，電路設(shè)計(jì)師經(jīng)常轉(zhuǎn)向?yàn)楣鐼OSFETs設(shè)計(jì)的通用柵極驅(qū)動(dòng)器，這就需要仔細(xì)考慮多個(gè)因素以實(shí)現(xiàn)最佳性能。
2024-02-29 17:54:08188 
，GaN-on-SiC具有更加優(yōu)異的性能；砷化鎵或硅基氮化鎵；包含更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)；更高的飽和電子漂移效率和更高的導(dǎo)熱系數(shù)。CMPA1D1E025 選用 10 導(dǎo)線；25 mm x 9.9 mm；金屬/陶瓷
2024-02-27 14:09:50
在新一代電力電子技術(shù)領(lǐng)域，氮化鎵（GaN）技術(shù)因其出色的抗輻射能力和卓越的電氣性能，已成為太空任務(wù)的革命性突破的關(guān)鍵。氮化鎵 (GaN) 技術(shù)已成為天基系統(tǒng)的游戲規(guī)則改變者，與傳統(tǒng)硅 MOSFET 相比，它具有卓越的耐輻射能力和無(wú)與倫比的電氣性能。
2024-02-26 17:23:14219 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）充電樁市場(chǎng)隨著高壓直流快充的推廣，在一些400kW以上的充電樁中已經(jīng)采用了SiC功率器件。同為第三代半導(dǎo)體的GaN，由于在高頻應(yīng)用上的優(yōu)勢(shì)，一些廠商也在推動(dòng)GaN進(jìn)入到
2024-02-21 09:19:283849 近期，英飛凌科技公司宣布與安克創(chuàng)新和盛弘電氣兩大知名廠商達(dá)成合作，共同推動(dòng)SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）技術(shù)在各領(lǐng)域的應(yīng)用。這些合作將進(jìn)一步提升功率半導(dǎo)體器件的效率和性能，為行業(yè)帶來(lái)更多的創(chuàng)新和價(jià)值。
2024-02-02 15:06:34304 今日（1月18日），意法半導(dǎo)體在官微宣布，公司與聚焦于碳化硅（SiC）半導(dǎo)體功率模塊和先進(jìn)電力電子變換系統(tǒng)的中國(guó)高科技公司致瞻科技合作，為致瞻科技電動(dòng)汽車車載空調(diào)中的壓縮機(jī)控制器提供意法半導(dǎo)體第三代碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。
2024-01-19 09:48:16254 
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比，這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
1月8日，Luminus Devices宣布，湖南三安半導(dǎo)體與其簽署了一項(xiàng)合作協(xié)議，Luminus將成為湖南三安SiC和GaN產(chǎn)品在美洲的獨(dú)家銷售渠道，面向功率半導(dǎo)體應(yīng)用市場(chǎng)。
2024-01-13 17:17:561042 5.10美元的高價(jià)收購(gòu)Transphorm，總估值達(dá)到了3.39億美元。 據(jù)百能云芯電.子元器.件商.城了解，此次收購(gòu)將賦予瑞薩電子自主GaN技術(shù)，進(jìn)一步拓展其業(yè)務(wù)領(lǐng)域，將目光瞄準(zhǔn)電動(dòng)汽車、計(jì)算（數(shù)據(jù)中心、人工智能、基礎(chǔ)設(shè)施）、可再生能源、工業(yè)電力轉(zhuǎn)換等多個(gè)高速增長(zhǎng)的
2024-01-12 14:54:25361 采用氮化鎵的 LED 照明已經(jīng)大幅減少了全球的用電量，預(yù)計(jì)十年后節(jié)省的電量可能高達(dá) 46%。但在電力消耗方面，另一種電子技術(shù)可能在減少全球碳排放的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力中發(fā)揮更大的價(jià)值，那就是電力轉(zhuǎn)換。
2024-01-11 10:19:27204 
iC逆變器是一種新型的電力電子器件，具有高效率、高頻率、高溫穩(wěn)定性等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車、可再生能源、電力系統(tǒng)等領(lǐng)域。制造SiC逆變器需要遵循一定的流程，以確保產(chǎn)品的性能和可靠性。以下是制造
2024-01-10 14:55:44137 
SiC（碳化硅）逆變器是一種新型的電力電子器件，具有高效率、高頻率、高溫穩(wěn)定性等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車、可再生能源、電力系統(tǒng)等領(lǐng)域。設(shè)計(jì)SiC逆變器需要遵循一定的流程，以確保產(chǎn)品的性能和可靠性
2024-01-10 14:42:56190 電力電子逆變器軟件是一種專門用于電力電子逆變器設(shè)計(jì)和仿真的工具。它可以幫助工程師快速準(zhǔn)確地進(jìn)行電路設(shè)計(jì)、參數(shù)優(yōu)化和性能評(píng)估，提高產(chǎn)品開(kāi)發(fā)效率和質(zhì)量。在本文中，將介紹幾種常見(jiàn)的電力電子逆變器軟件，包括
2024-01-08 14:33:46357 SiC具有高效節(jié)能、穩(wěn)定性好、工作頻率高、能量密度高等優(yōu)勢(shì)，SiC溝槽MOSFET（UMOSFET）具有高溫工作能力、低開(kāi)關(guān)損耗、低導(dǎo)通損耗、快速開(kāi)關(guān)速度等特點(diǎn)
2023-12-27 09:34:56473 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在我們談?wù)摰谌雽?dǎo)體的時(shí)候，常說(shuō)的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361219 非對(duì)稱穩(wěn)壓輸出適合 IGBT、Si、SiC 和 GaN 共源共柵柵極驅(qū)動(dòng) - 現(xiàn)在，借助新型 R24C2T25 DC/DC 轉(zhuǎn)換器為 IGBT、Si、SiC 和 GaN 共源共柵柵極驅(qū)動(dòng)器供電變得空前簡(jiǎn)單。
2023-12-21 11:46:42334 SiC三極管與SiC二極管的區(qū)別? SiC三極管與SiC二極管是兩種使用碳化硅（SiC）材料制造的電子元件，它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、特性和應(yīng)用領(lǐng)域等方面存在一些明顯的區(qū)別。 首先，讓我們來(lái)了解一下SiC材料
2023-12-21 11:31:24274 SIC MOSFET在電路中的作用是什么？ SIC MOSFET（碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種新型的功率晶體管，具有較高的開(kāi)關(guān)速度和功率密度，廣泛應(yīng)用于多種電路中。 首先，讓我們簡(jiǎn)要了解一下SIC
2023-12-21 11:27:13686 功率等級(jí)的功率轉(zhuǎn)換、更快的開(kāi)關(guān)速度、傳熱效率上也優(yōu)于硅材料。 本篇博客探討了SiC材料如何提升產(chǎn)品性能以超越基于硅材料的領(lǐng)域，從而為我們?nèi)碌臄?shù)字世界創(chuàng)造下一代解決方案。 硅基MOSFET、碳化硅（SiC）MOSFET、氮化鎵（GaN）HEMT或
2023-12-21 10:55:02182 碳化硅（SiC）材料被認(rèn)為已經(jīng)徹底改變了電力電子行業(yè)。其寬帶隙、高溫穩(wěn)定性和高導(dǎo)熱性等特性將為SiC基功率器件帶來(lái)一系列優(yōu)勢(shì)。近年來(lái)，隨著新能源汽車企業(yè)將SiC基MOSFET模塊應(yīng)用于高端汽車
2023-12-20 13:46:36831 
近日，國(guó)星光電作為A級(jí)單位參編發(fā)布的《2023碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書(shū)》和《2023氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書(shū)》在行家說(shuō)2023碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇上正式發(fā)布，并在行家極光獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮上成功斬獲“年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)”。
2023-12-19 10:27:38378 CREE的CGHV96130F是碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高遷移率晶體管(HEMT)與其他技術(shù)相比，CGHV96130F內(nèi)部適應(yīng)(IM)FET具有出色的功率附加效率。與砷化鎵相比
2023-12-13 10:10:57
以GaN為代表的第三代半導(dǎo)體具有高擊穿電場(chǎng)，高電子飽和速度，高頻和高功率等特性，在射頻和電力電子器件領(lǐng)域具有巨大的性能優(yōu)勢(shì)。
2023-12-09 10:28:39747 
作為一種新型功率器件，GaN 器件在電源的高密小型化方面極具優(yōu)勢(shì)。
2023-12-07 09:44:52777 
在“雙碳雙減”愿景的驅(qū)動(dòng)下，能源電力行業(yè)的技術(shù)和產(chǎn)品轉(zhuǎn)型持續(xù)加速推進(jìn)。為助力能源電力行業(yè)轉(zhuǎn)型，打造電力系統(tǒng)新型生態(tài)圈建設(shè)，第31屆上海國(guó)際電力設(shè)備及技術(shù)展覽會(huì)（簡(jiǎn)稱EP電力展）于11月15至17
2023-11-17 14:22:02173 
SiC驅(qū)動(dòng)器模塊具有較低的功耗、高溫運(yùn)行能力和快速開(kāi)關(guān)速度等優(yōu)勢(shì)，使其在下一代功率器件中有著廣闊的應(yīng)用前景。SiC驅(qū)動(dòng)器模塊可以用于電動(dòng)車的電力系統(tǒng)、可再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、工業(yè)電力電子裝置和航空航天
2023-11-16 15:53:30257 
設(shè)計(jì)人員正在尋求先進(jìn)技術(shù)，從基于硅的解決方案轉(zhuǎn)向使用碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等寬帶隙 (WBG) 材料的功率半導(dǎo)體技術(shù)，從而在創(chuàng)新方面邁出下一步。他們尋求用于電動(dòng)汽車 (EV) 的功率密度更高、效率更高的電路。
2023-11-12 11:30:001163 
會(huì)議上，賀利氏電子的芯片粘合及無(wú)壓燒結(jié)材料的全球產(chǎn)品經(jīng)理丹尼斯昂先生做了重要發(fā)言。報(bào)告的主題是“為汽車規(guī)格sic/gan配件需求的革新無(wú)煙焊接材料”。
2023-11-10 14:14:38345 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）今年10月，英飛凌以8.3億美元完成對(duì)功率GaN公司GaN Systems的收購(gòu)，成為了功率GaN領(lǐng)域史上最大規(guī)模的一筆收購(gòu)，這筆收購(gòu)的價(jià)值甚至比2022年整個(gè)功率
2023-11-10 00:24:001758 
GaN材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn)，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料。上次帶大家了解了它的基礎(chǔ)特性：氮化鎵（GAN)具有寬的直接帶隙、強(qiáng)的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、化學(xué)
2023-11-09 11:43:53434 碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，由于其優(yōu)于傳統(tǒng)硅的性能，在電力電子行業(yè)中越來(lái)越受歡迎。
2023-11-08 09:30:28359 GaN的驅(qū)動(dòng)電路有哪些挑戰(zhàn)？怎么在技術(shù)上各個(gè)突破？GaN驅(qū)動(dòng)電路有哪些設(shè)計(jì)技巧？ GaN（氮化鎵）是一種新型的半導(dǎo)體材料，相比傳統(tǒng)的硅材料，具有更高的電子遷移率和能力，因此在功率電子領(lǐng)域有著廣泛
2023-11-07 10:21:44513 GaN為何物？應(yīng)用于新一代電力電子的GaN相比于傳統(tǒng)的Silicon有何優(yōu)勢(shì)？ GaN, 全名氮化鎵（Gallium Nitride），是一種半導(dǎo)體材料，被廣泛用于新一代電力電子設(shè)備中。相比傳統(tǒng)
2023-11-07 10:21:41270 Nexperia與京瓷AVX合作為高頻電源應(yīng)用生產(chǎn)新型碳化硅(SiC)整流器模塊
2023-11-02 09:27:26292 SiC FET（即 SiC JFET 和硅 MOSFET 的常閉共源共柵組合）等寬帶隙半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)推出后，功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品無(wú)疑受益匪淺。
2023-10-19 12:25:58208 
隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步，電力電子設(shè)備的應(yīng)用越來(lái)越廣泛，而氮化鎵（GaN）材料在提高能源效率方面發(fā)揮著重要作用。本文將討論氮化鎵材料的特性，氮化鎵在電力電子設(shè)備中的應(yīng)用，以及氮化鎵解決方案如何實(shí)現(xiàn)更高的能效。
2023-10-13 16:02:05344 
設(shè)計(jì)出色功效的電子應(yīng)用時(shí)，需要考慮使用新型高性能氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）技術(shù)的器件。與電子開(kāi)關(guān)使用的傳統(tǒng)硅解決方案相比，這些新型寬帶隙技術(shù)具有祼片外形尺寸小、導(dǎo)熱和熱管理性能優(yōu)異、開(kāi)關(guān)損耗
2023-10-12 16:18:561871 
新型電力系統(tǒng)構(gòu)建應(yīng)遵循歷史邏輯、現(xiàn)實(shí)邏輯、發(fā)展邏輯等三大邏輯，在夯實(shí)新型電力系統(tǒng)構(gòu)建的優(yōu)勢(shì)基礎(chǔ)上，解決當(dāng)前重大理論和實(shí)踐問(wèn)題，從而實(shí)現(xiàn)服務(wù)新型能源體系建設(shè)和我國(guó)社會(huì)主義現(xiàn)代化強(qiáng)國(guó)建設(shè)的宏觀愿景。
2023-10-10 10:30:18153 碳化硅是一種高性能的半導(dǎo)體材料。KeepTops的SiC肖特基二極管具有高能效、高功率密度、小尺寸和高可靠性，可在電力電子技術(shù)領(lǐng)域突破硅的極限，成為新能源。以及用于電力電子裝置的優(yōu)選裝置。
2023-10-09 16:12:36156 SiC 和 GaN 被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝，WBG 設(shè)備顯示出以下優(yōu)點(diǎn)：
2023-10-09 14:24:361332 
在元件層面，硅 IGBT 比 SiC 同類產(chǎn)品便宜得多，并且不會(huì)很快從電力應(yīng)用中消失。但一級(jí)制造商和原始設(shè)備制造商表示，將高功率密度碳化硅應(yīng)用到逆變器設(shè)計(jì)中，可以降低系統(tǒng)級(jí)成本，因?yàn)樾枰俚慕M件，從而節(jié)省了空間和重量。
2023-10-08 15:24:59595 
長(zhǎng)電科技在功率器件封裝領(lǐng)域積累了數(shù)十年的技術(shù)經(jīng)驗(yàn)，具備全面的功率產(chǎn)品封裝外形，覆蓋IGBT、SiC、GaN等熱門產(chǎn)品的封裝和測(cè)試。
2023-10-07 17:41:32398 GaN技術(shù)正在電力電子領(lǐng)域嶄露頭角，受到了廣泛的關(guān)注和投資。這一前沿技術(shù)在汽車、消費(fèi)電子和航空航天等領(lǐng)域，特別是在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中，展現(xiàn)了巨大的潛力。這將有助于滿足全球減排壓力，推動(dòng)更高效的電力轉(zhuǎn)換和電氣化，為未來(lái)的電子器件設(shè)計(jì)師提供了全新的可能性。
2023-10-07 11:34:58457 
實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)和穩(wěn)定銷售，主要應(yīng)用于新能源汽車、充電樁、工業(yè)電源、光伏逆變、通訊電源等大功率、高頻、高效率領(lǐng)域。
附：華潤(rùn)微電子SiC SBD產(chǎn)品列表
附：華潤(rùn)微電子SiC SBD料號(hào)列舉
650V SiC
2023-10-07 10:12:26
隨著對(duì)電動(dòng)汽車（EV）需求的持續(xù)增長(zhǎng)，制造商正在比較兩種半導(dǎo)體技術(shù)，即碳化硅和硅，用于電力電子應(yīng)用。碳化硅（SiC）具有耐高溫、低功耗、剛性，并支持EV電力電子設(shè)備所需的更小、更薄的設(shè)計(jì)。SiC當(dāng)前
2023-09-27 09:48:18325 下，消費(fèi)者對(duì)電動(dòng)汽車的接受度也在不斷提高。 本文討論了在電動(dòng)汽車電力電子系統(tǒng)中快速采用碳化硅（SiC）和寬帶隙半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的好處，以及晶圓級(jí)襯底制造的價(jià)值?；?b class="flag-6" style="color: red">SiC的電力電子設(shè)備使電動(dòng)汽車能夠?qū)崿F(xiàn)更長(zhǎng)的行駛里程、更快的充電速度和更低的系
2023-09-18 09:05:48279 ?
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM的SiC MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管(以下簡(jiǎn)稱“SiC SBD”)已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商Apex?Microtechnology的功率模塊
2023-09-14 19:15:14353 氮化鎵（GaN）是一種由氮和鎵組成的半導(dǎo)體材料，因其禁帶寬度大于2.2eV，故又稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。是微波功率晶體管的優(yōu)良材料，也是在藍(lán)色發(fā)光器件中具有重要應(yīng)用價(jià)值的半導(dǎo)體。。GaN材料的研究和應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn)，是發(fā)展微電子器件和光電子器件的新型半導(dǎo)體材料。
2023-09-07 17:07:551783 
氮化鎵（GaN）- 寬帶隙（WBG）材料? GaN HEMT-高電子遷移率晶體管，代表著電力電子技術(shù)的重大進(jìn)步? 用于更高的工作頻率? 提高效率? 與硅基晶體管相比，功率密度更高
2023-09-07 07:43:51
在消費(fèi)類應(yīng)用領(lǐng)域，由于快速充電器的快速增長(zhǎng)，GaN 技術(shù)在 2020-2021 跨越了鴻溝，目前其他交直流應(yīng)用場(chǎng)景中也采用了GaN? 帶有嵌入式驅(qū)動(dòng)程序 / 控制器（MasterGaN、VIPerGaN）的系統(tǒng)封裝 (SiP) 由于集成簡(jiǎn)單，將有助于更廣泛的使用
2023-09-07 07:20:19
（GaN）和碳化硅（SiC）晶體管等化合物半導(dǎo)體器件限制了高頻條件下的開(kāi)關(guān)損耗，加速了電路越來(lái)越小的趨勢(shì)。事實(shí)上，高頻操作導(dǎo)致電子電路的收縮，這要?dú)w功于減小的磁性器件尺寸和增加的功率密度。這一點(diǎn)對(duì)于
2023-09-06 06:38:52
）。 本次展會(huì)聚焦碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導(dǎo)體，展示其面向工業(yè)設(shè)備和汽車領(lǐng)域的豐富產(chǎn)品陣容及解決方案。同時(shí)， 羅姆工程師還將在明日（8月30日）現(xiàn)場(chǎng)舉辦的“第三代半導(dǎo)體論壇”以及“電力電子應(yīng)用技術(shù)論壇”等同期論壇上發(fā)表演講，分享
2023-08-29 12:10:06294 
隨著眾多新品手機(jī)快充技術(shù)的應(yīng)用，大家對(duì)以 GaN、SiC 為代表的快充充電器增加了更多的關(guān)注。由于 GaN、SiC 等新型半導(dǎo)體的寬禁帶等特性，使得以其為核心的電源具有更高的開(kāi)關(guān)速度、更低的開(kāi)關(guān)損耗和更高的轉(zhuǎn)換效率，使得充電器可以更小巧，更節(jié)能環(huán)保。在電動(dòng)車，便攜電子設(shè)備中得到的愈加廣泛的應(yīng)用。
2023-08-23 16:02:21284 
碳化硅(SiC)是一種新興的新型寬禁帶(WBG)材料，特別適用于具有挑戰(zhàn)性的應(yīng)用。然而，大家對(duì)它的諸多不了解限制了設(shè)計(jì)人員對(duì)它的充分利用。圖1：SiC晶圓圖片有些人認(rèn)為，氮化鎵(GaN
2023-08-18 08:33:05729 
點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 碳化硅 (SiC)是一種新興的新型寬禁帶 (WBG) 材料，特別適用于具有挑戰(zhàn)性的應(yīng)用。然而，大家對(duì)它的諸多不了解限制了設(shè)計(jì)人員對(duì)它的充分利用。 圖 1：SiC 晶圓圖片 有些人
2023-08-14 19:10:01399 
英諾賽科（Innoscience）一直致力于推動(dòng)GaN技術(shù)的發(fā)展，從而推動(dòng)新一代電力電子設(shè)備的快速普及。2023年8月，英諾賽科推出了一款100V的GaN新品，采用FCQFN封裝，再次彰顯了其在GaN領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。
2023-08-14 15:07:06975 SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)，因?yàn)閷⑦@些材料的電子從價(jià)帶炸毀到導(dǎo)帶所需的能量：而在硅的情況下，該能量為1.1eV，SiC（碳化硅）為3.3eV，GaN（氮化鎵）為3.4eV。這導(dǎo)致了更高的適用擊穿電壓，在某些應(yīng)用中可以達(dá)到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:39431 
? 新型電力系統(tǒng) 要在現(xiàn)有電力系統(tǒng)基礎(chǔ)上創(chuàng)新升級(jí) 與傳統(tǒng)電力系統(tǒng)相比，它強(qiáng)調(diào)的是以“新能源”為主體，逐步提升光伏、風(fēng)電等新能源發(fā)電的比例，并通過(guò)電網(wǎng)系統(tǒng)運(yùn)行的變革，實(shí)現(xiàn)新能源高效開(kāi)發(fā)利用和各類負(fù)荷
2023-08-08 14:20:4112206 
如今，開(kāi)發(fā)電子電力器件的難度不斷飆升，如何在滿足綠色低碳和和持續(xù)發(fā)展的要求下既不斷提升效率和功率性能，同時(shí)又不斷降低成本和縮減尺寸呢？ 我們發(fā)現(xiàn)，氮化鎵（GaN）是一種新型寬帶隙化合物，為功率轉(zhuǎn)換
2023-08-03 14:43:28225 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ST GaN產(chǎn)品創(chuàng)新型快速充電器解決方案.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-31 16:17:57
2 作為電力電子領(lǐng)域的核心技術(shù)之一，基于GaN的電能轉(zhuǎn)換技術(shù)在消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用，這對(duì)提高電能的高效利用及實(shí)現(xiàn)節(jié)能減排起著關(guān)鍵作用。
2023-06-29 10:17:12481 
領(lǐng)域的熱點(diǎn)。
如圖1所示，GaN材料作為第三代半導(dǎo)體材料的核心技術(shù)之一，具有禁帶寬度高、擊穿場(chǎng)強(qiáng)大、電子飽和速度高等優(yōu)勢(shì)。由GaN材料制成的GaN器件具有擊穿電壓高、開(kāi)關(guān)速度快、寄生參數(shù)低等優(yōu)良特性
2023-06-25 15:59:21
用于無(wú)線充電應(yīng)用的高壓GaN功率半導(dǎo)體單級(jí)6.78 MHz功率放大器設(shè)計(jì)
2023-06-21 11:45:06
這種向電氣化的轉(zhuǎn)變?nèi)找鏇Q定了汽車功率半導(dǎo)體的整體市場(chǎng)需求。最初，汽車電源市場(chǎng)由硅 IGBT 和 MOSFET 主導(dǎo)，SiC 和氮化鎵 (GaN) 等寬帶隙半導(dǎo)體的機(jī)會(huì)僅限于特斯拉等早期采用者。
2023-06-20 15:18:19239 
基于SiC器件的電力電子變流器研究
2023-06-20 09:36:23410 
在全球最大的電力電子展 PCIM Europe 2023 上，旨在以類似硅的成本實(shí)現(xiàn)垂直 GaN（氮化鎵）功率晶體管的歐洲財(cái)團(tuán) YESvGaN 介紹了其方案。
2023-06-16 15:19:18386 
隨著全球宏觀環(huán)境的逐步恢復(fù)，SiC/GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)于2023年邁向新的發(fā)展高峰，持續(xù)攪動(dòng)新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、工業(yè)電源、通訊基站等高壓高功率應(yīng)用領(lǐng)域的一池春水。 ? 值此之際
2023-06-16 09:38:26487 
升壓從動(dòng)器PFC通過(guò)調(diào)整來(lái)提高低線效率總線電壓新的SR VCC供電電路簡(jiǎn)化了復(fù)雜性和在高輸出電壓下顯著降低驅(qū)動(dòng)損耗條件新型GaN和GaN半橋功率ic降低開(kāi)關(guān)損耗和循環(huán)能量，提高系統(tǒng)效率顯著提高了
2023-06-16 09:04:37
近年來(lái)，SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）等寬帶隙（WBG）功率半導(dǎo)體的開(kāi)發(fā)和市場(chǎng)導(dǎo)入速度加快，但與硅相比成本較高的問(wèn)題依然存在。
2023-06-15 14:46:47495 
由于GaN和AlGaN材料中擁有較強(qiáng)的極化效應(yīng)，AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)無(wú)需進(jìn)行調(diào)制摻雜就能在界面處形成高濃度的二維電子氣(2DEG)，在此基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)的高電子遷移率晶體管(HEMT)是GaN材料
2023-06-14 14:00:551652 
對(duì)于 GaN，中文名氮化鎵，我們實(shí)在是聽(tīng)得太多了。
2023-06-12 10:17:171813 
三菱電機(jī)集團(tuán)近日（2023年6月1日）宣布，其開(kāi)發(fā)出一種集成SBD的SiC-MOSFET新型結(jié)構(gòu)，并已將其應(yīng)用于3.3kV全SiC功率模塊——FMF800DC-66BEW，適用于鐵路、電力系統(tǒng)等大型
2023-06-09 11:20:09366 
超結(jié)（SJ）硅MOSFET自1990年代后期首次商業(yè)化用于功率器件應(yīng)用領(lǐng)域以來(lái)，在400–900V功率轉(zhuǎn)換電壓范圍內(nèi)取得了巨大成功。參考寬帶隙（WBG）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率器件，我們將在本文中重點(diǎn)介紹其一些性能特性和應(yīng)用空間。
2023-06-08 09:33:241389 
? 新型電力系統(tǒng)概念的提出 ： 1、新型電力系統(tǒng)內(nèi)涵： 2021年8月3日，《人民日?qǐng)?bào)》發(fā)表《加快構(gòu)建新型電力系統(tǒng)》一文，提出構(gòu)建以新能源為主體的新型電力系統(tǒng)，需要在電能的產(chǎn)、送、用全鏈條加大投入
2023-05-26 11:15:442721 
GaN HEMT（高電子遷移率晶體管：High Electron Mobility Transistor）是新一代功率半導(dǎo)體，具有低工作電阻和高抗損性，有望應(yīng)用于大功率和高頻電子設(shè)備。
2023-05-25 15:14:061220 
GaN HEMT 為功率放大器設(shè)計(jì)者提供了對(duì) LDMOS、GaAs 和 SiC 技術(shù)的許多改進(jìn)。更有利的特性包括高電壓操作、高擊穿電壓、功率密度高達(dá) 8W/mm、fT 高達(dá) 25 GHz 和低靜態(tài)
2023-05-24 09:40:011374 
本文我們將重點(diǎn)介紹第三代半導(dǎo)體中的碳化硅（SiC），與下文氮化鎵（GaN）的形式統(tǒng)一如何助力軌道交通完成“碳達(dá)峰”目標(biāo)，并為大家推薦貿(mào)澤電子在售的領(lǐng)先的SiC元器件精品。
2023-05-19 10:48:58589 
由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢(shì)，GaN 充電器的運(yùn)行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領(lǐng)域主要優(yōu)勢(shì)在于高效率、低損耗與高頻率，GaN 材料的這一特性令其在充電器行業(yè)大放異彩。
2023-04-25 15:08:212335 
新型電力系統(tǒng)是指基于智能電網(wǎng)、清潔能源、能源互聯(lián)網(wǎng)等技術(shù)和理念，構(gòu)建起來(lái)的高效、安全、可靠、可持續(xù)的電力系統(tǒng)。
2023-04-24 11:50:101996 
年代半導(dǎo)體器件的發(fā)明，其核心是利用各類電子器件實(shí)現(xiàn)電能的變換和控制。電力電子技術(shù)發(fā)展至今已作為一種成熟的電力工程技術(shù)應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域。小到家用電器與設(shè)備電源，大到工業(yè)制造與軍工領(lǐng)域，隨處可見(jiàn)電力電子
2023-04-19 10:53:41
氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料，有望成為下一代功率半導(dǎo)體，日本和海外正在進(jìn)行研究和開(kāi)發(fā)。
2023-04-14 15:42:06363 碳化硅（SiC）器件是一種新興的技術(shù)，具有傳統(tǒng)硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙，允許更高的電壓阻斷，并使其適用于高功率和高電壓應(yīng)用。此外，SiC還具有比Si更低的熱阻，這意味著它可以更有效地散熱，具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:161469 SIC438BEVB-B
2023-04-06 23:31:02
電力電子器件(Power Electronic Device)是指可直接用于處理電能的主電路中，實(shí)現(xiàn)電能的變換或控制的電子器件。廣義上電力電子器件可分為電真空器件和半導(dǎo)體器件兩類，目前往往專指電力
2023-04-04 15:31:433951 
變壓器也可以按其應(yīng)用和用途分類。讓我們首先探討兩大類用例——用于電氣領(lǐng)域的變壓器和用于電子領(lǐng)域的變壓器。 電氣領(lǐng)域使用的變壓器按用途分類如下： 電源 分配 測(cè)量 在電子領(lǐng)域，變壓器按其
2023-03-29 15:57:54
，如何提高它們的效率已成為全球性的社會(huì)問(wèn)題。而功率元器件是提高它們效率的關(guān)鍵，SiC和GaN等新材料在進(jìn)一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。ROHM和ApexMicrotechnology在功率電子和模擬
2023-03-29 15:06:13
GaN和SiC器件比它們正在替代的硅元件性能更好、效率更高。全世界有數(shù)以億計(jì)的此類設(shè)備，其中許多每天運(yùn)行數(shù)小時(shí)，因此節(jié)省的能源將是巨大的。
2023-03-29 14:21:05296 近年來(lái)，以SiC（SiC）、氮化鎵（GaN）等材料為代表的化合物半導(dǎo)體因其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等優(yōu)異的性能而飽受關(guān)注。
2023-03-28 10:00:302031
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