電力晶體管（Giant Transistor——GTR），是一種耐高電壓、大電流的雙極結型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT），所以有時也稱為Power BJT。但其驅動電路復雜，驅動功率大。
2024-03-07 17:06:38
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串接NPN型晶體管的情況。晶體管基極要求注入電流，產生電流的電壓必須高于（Vo+Vbe），約為（Vo+1）。若基極串接一個電阻，則電阻輸入端電壓必須高于（Vo+1）以使電流流過。而最經濟易行的方法
2024-03-06 20:49:11
，GaNC4H27W400AVYC4H27W400AVY 功率氮化鎵晶體管400 W GaN 封裝非對稱 Doherty 功率晶體管，適用于頻率為 2300 MHz 至 2700 MHz 的基站
2024-02-29 14:00:41
達林頓晶體管（Darlington Transistor）也稱為達林頓對（Darlington Pair），是由兩個或更多個雙極性晶體管（或其他類似的集成電路或分立元件）組成的復合結構。通過這種結構，第一個雙極性晶體管放大的電流可以進一步被放大，從而提供比其中任意一個雙極性晶體管高得多的電流增益。
2024-02-27 15:50:53512 
雙極性晶體管是利用兩種離子導電，空穴和自由電子，但是對于一個實際存在的系統(tǒng)，其整體上是呈現(xiàn)電中性的，當其中的電子或者空穴移動形成電流時，與之對應的空穴或者電子為什么不會一起隨著移動？
這個問題困擾
2024-02-21 21:39:24
晶體管的偏置是指為了使晶體管正常工作，需要給晶體管的基極或發(fā)射極加上適當?shù)碾妷?，從而?b class="flag-6" style="color: red">晶體管的工作點處于穩(wěn)定的狀態(tài)。
2024-02-05 15:00:43370 
是，最大輸出電流時產生0.2 V壓降。功率場效應管可以無需任何外接元件而直接并聯(lián)，因為其漏極電流具有負溫度系數(shù)。
1、晶體管的Vbe擴散現(xiàn)象是什么原理，在此基礎上為什么要加電阻？
2、場效應管無需任何外接
2024-01-26 23:07:21
我在切換晶體管時遇到了一個問題。我正在嘗試讓 LED 通過晶體管閃爍。當我從評估板（即 MSP-EXP430G2ET）獲取電源 （3.3V） 時，該程序有效。但是當我使用外部電源 （8.33V） 為
2024-01-22 06:00:31
管子多用于集成放大電路中的電流源電路。
請問對于這種多發(fā)射極或多集電極的晶體管時候該如何分析？按照我的理解，在含有多發(fā)射極或多集電極的晶體管電路時，如果多發(fā)射極或多集電極的每一極分別接到獨立的電源回路中
2024-01-21 13:47:56
常用的半導體元件還有利用一個PN結構成的具有負阻特性的器件一單結晶體管，請問這個單結晶體管是什么？能夠實現(xiàn)負阻特性？
2024-01-21 13:25:27
晶體管在基極和集電極之間并聯(lián)電容有什么作用？是為了米勒電容嗎、？但是米勒電容對三極管的開通有害的時候，為什么還要并聯(lián)電容？電容不是越并越大，加大了等效米勒電容？
2024-01-19 22:39:57
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
三極管功率會先上升后下降，因為電壓降在下降而電流在上升。功率最大點在中間位置。
3、當基射極電流增大到一定水平，集射極電壓降低到不能再降的程度時，晶體管進入飽和，此時無論基射極電流如何增大，集射極電流也
2024-01-18 16:34:45
傳統(tǒng)的雙極晶體管是一種電流驅動型放大器，對其信號放大特性的分析以小注入電流為主，即在共發(fā)射極工作狀態(tài)時，輸入很小的基極電流就能控制輸出端的集電極電流而獲得很大的功率增益。
2024-01-15 10:35:03371 
如何去識別IGBT絕緣柵雙極型晶體管呢？ IGBT絕緣柵雙極型晶體管是一種功率半導體器件，結合了雙極型晶體管（BJT）和場效應晶體管（FET）的特點。IGBT通常用于高電壓和高電流應用，例如工業(yè)
2024-01-12 11:18:10350 對于一個含有晶體管，場效應管，運放的電路，該如何求解他的輸入電阻和輸出電阻，舉例而言，在含有晶體管的電路射極跟隨器中，求解輸出電阻時，為什么要考慮基極的電阻和偏置電路的電阻，此時不應該在基極是二極管
2024-01-10 17:17:56
許多達林頓陣列也可用，其中多個達林頓晶體管對包含在同一個封裝中。通常，它們包含在 IC 封裝中，因為它們通常用于驅動顯示器等。這使得達林頓晶體管對非常易于使用，并可集成到新的電子電路設計中。
2024-01-09 15:30:41243 
事通訊設備產品規(guī)格描述：180瓦；DC-2GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管最低頻率(MHz)：0最高頻率(MHz)：2000最高值輸出功率(W)：200增益值(分貝)：24.0效率（％）：70額定電壓(V)：27類型：封裝分立晶體管封裝類別：法蘭盤、丸狀技術應用：GaN-on-SiC
2024-01-02 12:05:47
電子發(fā)燒友網站提供《BSH201場效應功率晶體管英文資料.pdf》資料免費下載
2023-12-26 10:08:45
0 晶體管的問世，是20世紀的一項重大發(fā)明，是微電子革命的先聲。晶體管出現(xiàn)后，人們就能用一個小巧的、消耗功率低的電子器件，來代替體積大、功率消耗大的電子管了。晶體管的發(fā)明又為后來集成電路的降生吹響了號角。
2023-12-13 16:42:31428 
來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
為什么要功率放大？ 當一個放大電路比如說晶體管放大電路當電壓放大時，由歐姆定律負載上的電流不就變大了嗎？這個我不太理解在功率放大電路中。希望有人給我講一下 謝謝！
2023-11-23 07:36:14
我在進行AD8138ARM的熱仿真，datasheet中只有結到環(huán)境的熱阻JA的數(shù)據，我需要結到外殼的熱阻Jc的數(shù)據，還有AD8138ARM放大器集成的晶體管數(shù)目是多少？
2023-11-21 06:54:43
如何避免晶體管損壞？ 晶體管是半導體器件的一種，應用廣泛，可以在計算機、電視、手機等各種設備中使用。晶體管工作時非常穩(wěn)定，但是如果不注意使用、維護，很容易損壞。下面為您介紹幾種避免晶體管損壞的方法
2023-10-31 10:37:46382 在電源與充電樁等高功率應用中，通常需要專用驅動器來驅動最后一級的功率晶體管？ 電源與充電樁等高功率應用通常需要專用驅動器來驅動最后一級的功率晶體管，主要是出于以下幾個方面的考慮。 首先，最后一級
2023-10-22 14:47:33410 無論是在太空還是在地面，這些基于GaN的晶體管都比硅具有新的優(yōu)勢。
2023-09-28 17:44:221864 
專業(yè)圖書47-《新概念模擬電路》t-I晶體管
2023-09-28 08:04:05
輸出的區(qū)別。 1. 工作原理 晶體管是一種電子元件，它是由晶體管芯片、封裝、管腳等部分組成。晶體管的工作原理是，通過對控制電路施加不同的電壓來控制晶體管的導通和截止，從而控制所接負載的輸出狀態(tài)。晶體管的輸入阻抗較
2023-08-25 15:21:12897 650V硅上GaN增強型功率品體管，采用5mm雙扁平無引線封裝(DFN)X6毫米大小。增強型晶體管-正常關閉電源開關，符合JEDEC標準的工業(yè)應用。
2023-08-16 23:36:51686 
分立晶體管是電子設計中最常見的元器件之一。該產品適用于眾多應用，從簡單的小信號晶體管到大型高功率器件，以及高頻/高功率器件。
2023-08-16 17:08:45171 該晶體管功率放大器電路僅使用準互補放大器配置中的四個晶體管，即可以低成本向 4 歐姆負載提供 90W 的功率。
2023-08-10 15:29:341000 
CHK8101-SYC 是一款無與倫比的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。它為各種射頻功率應用提供通用和寬帶解決方案。它非常適合空間和電信等多用途應用CHK8101-SYC 采用 0.5μm 柵極長度
2023-08-10 10:47:29
650V硅上GaN增強模式功率晶體管，英諾賽科INN650D150A采用雙扁平無引線封裝(DFN),8mmx8mm尺寸，增強型晶體管-正常關閉電源開關
2023-08-07 17:22:17968 
的制造商生產半導體（晶體管是該設備家族的成員），因此有數(shù)千種不同的類型。有低功率、中功率和高功率晶體管，用于高頻和低頻工作，用于非常高電流和/或高電壓工作。本文概述了什么是晶體管、不同類型的晶體管及其應用。
2023-08-02 12:27:481046 
的制造商生產半導體（晶體管是該設備家族的成員），因此有數(shù)千種不同的類型。有低功率、中功率和高功率晶體管，用于高頻和低頻工作，用于非常高電流和/或高電壓工作。本文概述了什么是晶體管、不同類型的晶體管
2023-08-02 12:26:53
該2通道混音器電路基于2n3904晶體管，該晶體管形成2個前置放大器。2通道混音器電路的第一個前置放大器具有高增益，可用于麥克風輸入，第二個前置放大器可用于控制音頻電平的輸入。
這種雙通道
2023-08-01 17:19:21
這是基于功率晶體管TIP33C和TIP34C為主要部分構建的40W功率放大器的電路圖。它采用對稱/雙電源供電。必須使用散熱器來防止晶體管過熱。
2023-07-31 16:19:101136 
MRF427 NPN硅射頻功率晶體管規(guī)格書
2023-07-24 14:27:530 MRF422射頻功率晶體管規(guī)格書
2023-07-24 14:24:070 功率MOS場效應晶體管電參數(shù)指標中規(guī)定的電參數(shù)一般分為三大類：直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)。
2023-07-05 14:57:19336 
產品發(fā)射區(qū)結構設計為梳狀結構。晶體管版圖中發(fā)射區(qū)半寬度選擇為30μm。
2023-07-05 11:23:34360 
TTL晶體管開關電路按驅動能力分為小信號開關電路和功率開關電路。按晶體管連接方式分為發(fā)射極接地（PNP晶體管發(fā)射極接電源）和射手跟隨開關電路。
2023-07-03 10:12:181940 
2SD2686是一款高性能的功率晶體管，適用于多種應用場景。產品參數(shù)：最大功率：150W最大電壓：80V最大電流：15A封裝形式：TO-3PSD2686具有良好的散熱性能。相比之下，競品型號的最大功率
2023-06-19 16:48:010 高效的400-800V充電和轉換與GaNFast功率集成電路和GeneSiC溝槽輔助平面柵場效晶體管
2023-06-16 10:07:03
ZXTP25020CFF 產品簡介DIODES 的 ZXTP25020CFF（PNP, 20V, 4.5A, SOT23F）先進的工藝能力和封裝最大限度地提高了這種小外形晶體管的功率處理
2023-06-12 18:11:45
引言: 在當今科技迅猛發(fā)展的時代，高效能的功率電子器件對于各個領域的應用至關重要。潤新微電子的RX65T125HS1B功率晶體管作為一款先進的產品，憑借其出色的性能和廣泛的應用領域，成為了眾多工程師
2023-06-12 16:48:161017 如果您認為僅使用兩個小晶體管構建一個像樣的功率放大器是不可能的，那么您可能錯了。
2023-06-10 17:32:001408 
微波晶體管按功能分類可分為微波低噪聲晶體管和微波大功率晶體管，低噪聲晶體管和大功率晶體管被用于設計低噪聲放大器和功率放大器。
2023-06-09 10:59:271640 
ZXTN08400BFF 產品簡介DIODES 的 ZXTN08400BFF 該 NPN 晶體管專為需要高電壓阻斷的應用而設計。SOT23F 封裝與行業(yè)標準 SOT23 封裝
2023-06-06 22:36:15
功率模組封裝代工 功率模塊封裝是指其中在一個基板上集成有一個或多個開關元件的功率半導體產品，所述開關元件包括絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、二極管、金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)、晶閘管
2023-05-31 09:32:31288 我正在尋找摩托羅拉收音機 VHF 射頻末級中使用的這些舊射頻晶體管的數(shù)據表，有人可以幫我嗎？
2023-05-30 07:40:02
Nexperia | 為什么使用雙極性晶體管驅動功率LED？
2023-05-24 12:15:48341 
柵型場效應晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件。
2023-05-20 15:19:12583 
UMS的CHKA012bSYA是款前所未有的封裝形式氮化鎵高電子遷移率晶體管。此電源條為其他射頻電源技術應用提供通用型和光纖寬帶解決方案。CHKA012bSYA特別適合雷達探測和電信網絡等多功能
2023-05-19 11:30:19277 這種音頻功率放大器電路由幾個晶體管組成，這些晶體管以這樣的方式排列以形成一個固體音頻放大器電路并合格。該放大器使用四個晶體管，每個晶體管都有自己的功能。
2023-05-16 17:39:491813 
晶體管是什么 晶體管泛指一切以半導體材料為基礎的單一元件，晶體管具有檢波、整流、放大、開關、穩(wěn)壓、信號調制等多種功能，晶體管可用于各種各樣的數(shù)字和模擬功能。 1947年12月16日,威廉·肖克利
2023-05-16 11:06:201133 UMS?CHK8201-SYA是款前所未有的功率棒微波晶體管，CHK8201-SYA集成化2個CHK8101A99F功率棒封裝形式，能夠單獨瀏覽，可以產生45W的搭配輸出功率。CHK
2023-05-09 11:32:02103 單結晶體管隨著電容的充電放電是如何形成自激振蕩脈沖的？
2023-04-26 15:07:51
NPTB00004BGaN 功率晶體管，28 V，5 W DC - 6 GHzNPTB00004B GaN HEMT 是一款針對 DC - 6 GHz 操作優(yōu)化的功率晶體管
2023-04-25 16:42:38
差分放大電路輸入共模信號時
為什么說RE對每個晶體管的共模信號有2RE的負反饋效果
這里說的每個晶體管的共模信號是指什么信號 是指輸入信號 還是指ie1 ie2 uoc ?
另外為什么是負的反饋
2023-04-25 16:15:31
為什么使用雙極性晶體管驅動功率LED？
2023-04-24 09:09:55413 
雙極結晶體管電路輸入振幅變大為什么會導致失真呢？是什么原因呢？
2023-04-21 16:13:13
我正在尋找零件號“PCAL6408ABSHP”中有關工藝節(jié)點和晶體管數(shù)量的信息。NXP 網站上是否有一個位置可以找到 NXP 部件號的此類信息？
2023-04-19 09:27:44
西門子S7-200電源怎么看是繼電器輸出還是晶體管輸出呢？
2023-04-18 10:08:03
西門子CPUSR30可以增加晶體管擴展模塊控制步進電機嗎？
2023-04-17 14:13:13
操作，輸出功率水平高達 25 W。該晶體管采用行業(yè)標準表面貼裝塑料封裝。 特征針對 DC - 4000MHz 的寬帶
2023-04-14 17:29:09
，輸出功率水平高達 45 W。該晶體管采用行業(yè)標準表面貼裝塑料封裝。 特征針對 DC - 4 GHz 的脈沖、WiMAX、W-CDM
2023-04-14 17:26:21
采用晶體管互補對稱輸出時，兩管基極之間有電容相連，為什么？c2有什么用？？
2023-03-31 14:02:55
請問BJT工藝的線性穩(wěn)壓源為什么多是PNP型晶體管呢？
2023-03-31 11:56:49
有沒有負觸發(fā)導通正的晶體管呢？哪位大神知道請賜教。謝謝啦！
2023-03-31 11:47:46
對 Ga2O3外延材料、功率二極管和功率晶體管的國內外最新研究進行了概括總結，展望了Ga2O3在未來的應用與發(fā)展前景。
2023-03-30 11:49:16229 塑料封裝晶體管
2023-03-28 12:55:44
塑料封裝晶體管
2023-03-28 12:55:43
塑料封裝晶體管
2023-03-28 12:55:43
塑料封裝晶體管
2023-03-28 12:55:41
塑料封裝晶體管
2023-03-28 12:54:58
我在設計 PCB 時犯了一個錯誤，我的一些晶體管在原理圖上將集電極和發(fā)射極調換了?！罢！狈绞绞怯?1：基極，2：發(fā)射極，3：集電極，但我需要一個晶體管，1：基極，2：集電極，3：發(fā)射極。引腳號與此圖像相關：你知道有這種封裝的晶體管嗎？我知道我可以將它倒置并旋轉，但我想知道我是否可以正確使用一個。
2023-03-28 06:37:56
塑料封裝晶體管
2023-03-27 11:55:20
例：開關雙極晶體管2SD2673時的波形（100μs/div） ? ? 由于隨后要計算開關時的功率損耗，所以要確認OFF→ON時和
2023-03-23 16:52:27762 
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