電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）隨著4月2日/3日比亞迪、特斯拉、問界等品牌發(fā)布3月份和第一季度產(chǎn)銷快報(bào)，國內(nèi)新能源汽車市場(chǎng)再度報(bào)捷。不過在市場(chǎng)總體向好的情況下，有些車企自身的情況卻并不樂觀，在特斯拉和燃油車企發(fā)動(dòng)的雙重價(jià)格戰(zhàn)打擊下增長(zhǎng)乏術(shù)，市場(chǎng)洗牌開始加速。 比亞迪繼續(xù)高歌猛進(jìn) 4月2日，比亞迪正式發(fā)布2023年3月產(chǎn)銷快報(bào)。數(shù)據(jù)顯示，3月比亞迪新能源汽車銷量為207080輛，同比增長(zhǎng)97.45%；其中，海外銷售新能源乘用車合計(jì)13312輛。
2023-04-04 02:12:00
2339 
2D NAND和3D NAND都是非易失性存儲(chǔ)技術(shù)（NVM Non-VolatileMemory），屬于Memory（存儲(chǔ)器）的一種。
2024-03-17 15:31:39268 
近日，東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（以下簡(jiǎn)稱“東芝”）宣布，位于日本西部兵庫縣姬路市的半導(dǎo)體工廠已啟動(dòng)新的功率半導(dǎo)體后端生產(chǎn)設(shè)施建設(shè)。這一舉措標(biāo)志著東芝在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的進(jìn)一步擴(kuò)展，以滿足日益增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求。據(jù)悉，新工廠預(yù)計(jì)將于2025年春季開始量產(chǎn)。
2024-03-12 10:23:57247 你好：
咨詢一個(gè)問題：我用STM32H743IIT6芯片，STM32CubeIDE，使用FMC驅(qū)動(dòng)NAND FLASH，NAND FLASH ID讀取正常。但是有幾個(gè)問題：
擦除完block后
2024-03-08 06:54:22
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（東芝）近期宣布，已開始在位于日本西部兵庫縣的姬路運(yùn)營 - 半導(dǎo)體工廠建設(shè)功率半導(dǎo)體后端生產(chǎn)設(shè)施。新工廠將于2025年春季開始量產(chǎn)。
2024-03-07 18:26:21585 3月1日，九家車企紛紛宣布降價(jià)或推出限時(shí)優(yōu)惠，甚至有企業(yè)表示“電動(dòng)車比燃油車更便宜”。分析師指出，在車企競(jìng)相降價(jià)的情況下，中國今年的新能源汽車產(chǎn)業(yè)將迎來激烈競(jìng)爭(zhēng)，尤其是中小型車企將面臨嚴(yán)峻的生存危機(jī)。 據(jù)百能云芯
2024-03-04 17:41:05168 的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了 NAND Flash 結(jié)構(gòu),后者的單元電路尺寸幾乎只是 NOR 器件的一半,可以在給定的芯片尺寸內(nèi)提供更高的容量,也就相應(yīng)地降低了價(jià)格。 1.NAND
2024-03-01 17:08:45158 
歐洲最大光伏組件廠將關(guān)門 據(jù)外媒報(bào)道，歐洲光伏行業(yè)危機(jī)來臨，已經(jīng)有多家歐洲光伏企業(yè)宣布暫停生產(chǎn)、關(guān)閉工廠。包括光伏制造商Solarwatt、奧地利光伏組件制造商Energetica、太陽能組件公司
2024-02-25 16:30:20621 從美晶新材的收入與凈利潤(rùn)狀況可見，其業(yè)績(jī)存在矛盾之處。該公司報(bào)告期內(nèi)的凈利潤(rùn)表現(xiàn)出繁榮跡象，但同時(shí)經(jīng)營現(xiàn)金流卻顯得困頓，呈現(xiàn)出一種需借貸以求生存的局面。收入與經(jīng)營現(xiàn)金流間的巨大差距成為了投資者關(guān)注的重點(diǎn)。
2024-01-24 15:38:42155 羅徹斯特電子繼續(xù)與東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation)深化業(yè)務(wù)合作并新增入庫了大量東芝產(chǎn)品。
2024-01-09 09:05:00176 什么是SD NAND？它俗稱貼片式T卡，貼片式TF卡，貼片式SD卡，貼片式內(nèi)存卡，貼片式閃存卡，貼片式卡...等等。雖然SD NAND 和TF卡稱呼上有些類似，但是SD NAND和TF卡有著本質(zhì)上的區(qū)別。
2024-01-06 14:35:57861 
前言
大家好，我們一般在STM32項(xiàng)目開發(fā)中或者在其他嵌入式開發(fā)中，經(jīng)常會(huì)用到存儲(chǔ)芯片存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。今天我和大家來介紹一款存儲(chǔ)芯片，我這里采用（雷龍） CS創(chuàng)世 SD NAND 。
SD
2024-01-05 17:54:39
1月4日消息，據(jù)外媒報(bào)道，日本的7.6級(jí)地震迫使石川縣的芯片和電子公司暫時(shí)關(guān)門，受影響的公司包括東芝、環(huán)球晶圓（GlobalWafers）、Murata等。
2024-01-05 09:51:57189 東芝的退市是在經(jīng)過近3年的重組危機(jī)后做出的決定。為了擺脫困境，東芝已接受日本產(chǎn)業(yè)合作伙伴牽頭的要約收購方案，收購價(jià)約20000億日元，約合人民幣近千億元。
2023-12-20 16:34:11368 日本東芝正式退市 140多年的歷史巨頭 這家140多年的歷史巨頭日本東芝公司將于12月20日正式從東京證券交易所退市。 東芝自1875年創(chuàng)立；真正的百年企業(yè)，在1949年上市，至今已有74年上市歷史
2023-12-20 16:20:57644 這是一個(gè)自動(dòng)關(guān)閉電源電路。該電路用于自動(dòng)關(guān)閉電源。該電路使用 MAX931，該器件具有高電流輸出、內(nèi)部基準(zhǔn)、2.5μA 電源電流和遲滯等主要特性。
2023-12-19 18:24:45530 
默認(rèn)開啟FatFS.
支持多種類型的存儲(chǔ)設(shè)備，如 SD Card、SPI Flash、Nand Flash 等。
在 RT-Thread 中，我們要訪問存儲(chǔ)設(shè)備中的文件，必須將文件所在的分區(qū)
2023-12-15 17:29:43
此前，群創(chuàng)的面板后段模組工廠遍布全國各地，如寧波、佛山、上海、南京等地。然而近年來，尤其今年以來，群創(chuàng)的后段面板模組產(chǎn)能利用率一直偏低。近期更是有消息傳出，該公司計(jì)劃逐步關(guān)閉上述兩座城市的模組工廠，而這兩座工廠的選址將考慮出售
2023-12-15 09:34:091129 日本東芝公司和羅姆公司將展開合作，共同開發(fā)電力半導(dǎo)體，以此加強(qiáng)其在電動(dòng)車高需求元件領(lǐng)域的地位。日本的工業(yè)和貿(mào)易部將對(duì)這兩家公司計(jì)劃投入的3800億日元（約合83億美元）的項(xiàng)目提供高達(dá)1200億日元的補(bǔ)貼。羅姆和東芝將在正在石川和宮崎兩縣建設(shè)的各自的工廠進(jìn)行生產(chǎn)。
2023-12-09 11:30:00862 
東芝正在石川縣能美市建設(shè)新工廠，羅馬正在宮崎縣宮崎市建設(shè)新工廠，兩個(gè)工廠將分別進(jìn)行生產(chǎn)。另外，羅姆將于明年在宮崎縣國富町開業(yè)，東芝將在石川縣野見市建設(shè)的新工廠中共享半導(dǎo)體生產(chǎn)。兩家公司目前在海外采購的半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)也將從日本開始。
2023-12-08 13:56:45251 dram和nand的區(qū)別? DRAM和NAND是兩種不同類型的存儲(chǔ)器。DRAM（Dynamic Random Access Memory）是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，而NAND（Not AND）是一種邏輯
2023-12-08 10:32:003894 NAND 中成功建立 LOG 目錄。
LOG分析
飛機(jī)通電，翻滾機(jī)身，記錄飛機(jī)的姿態(tài)角。
下載日志，加載到 Mission Planner 軟件。選中 ATT 字段
中的 Roll 和 Pitch?？梢?/div>
2023-11-30 18:16:56
NAND Flash和NOR Flash是兩種常見的閃存類型。
2023-11-30 13:53:20734 
預(yù)計(jì)2023年銷售額將適度增長(zhǎng)，超過450億歐元，力爭(zhēng)實(shí)現(xiàn)4.7%至5.2%的調(diào)整后息稅前利潤(rùn)率。將聚焦于變革，通過調(diào)整組織架構(gòu)、加快流程、簡(jiǎn)化決策路徑和堅(jiān)持成本原則，有針對(duì)性地投資具有回報(bào)和前瞻性的技術(shù)。
2023-11-25 14:19:44243 
添加、修改驅(qū)動(dòng)的問題，費(fèi)時(shí)費(fèi)力。
筆者所在項(xiàng)目需要再NAND FLASH中存儲(chǔ)圖片 語音數(shù)據(jù)，經(jīng)常因?yàn)閴膲K問題需要去工廠解決問題，編寫壞塊管理，甚至手動(dòng)編寫平均讀寫算法……非常的麻煩。之前沒有了解到國產(chǎn)有
2023-11-23 17:25:18
為什么嵌入式?jīng)]有35歲危機(jī)? 在當(dāng)今數(shù)字化時(shí)代，IT行業(yè)變化迅速，技術(shù)的更新迭代速度驚人。然而，有一個(gè)技術(shù)領(lǐng)域卻能夠在這個(gè)競(jìng)爭(zhēng)激烈的行業(yè)中穩(wěn)步前行，而且不受35歲危機(jī)所困擾，那就是嵌入式技術(shù)
2023-11-17 10:33:39
NAND FLASH，嵌入式sd卡，工業(yè)級(jí)sd卡，單片機(jī) nand flash，貼片式TF卡
2023-11-15 18:09:47219 
板焊接圖）
博主日前在設(shè)計(jì)基于H616與NB-IOT的嵌入式智能儲(chǔ)物柜的時(shí)候考慮過存儲(chǔ)方面的問題，當(dāng)時(shí)在SD NAND和EMMC與TF卡中徘徊，以下是幾個(gè)存儲(chǔ)類型的對(duì)比。
經(jīng)過多方對(duì)比，本著
2023-11-15 18:07:57
彩虹PDM系統(tǒng)還可以提供豐富的數(shù)據(jù)分析功能，幫助企業(yè)深入了解產(chǎn)品數(shù)據(jù)、市場(chǎng)需求和競(jìng)爭(zhēng)情況等?；谶@些數(shù)據(jù)，企業(yè)可以做出更準(zhǔn)確的決策，優(yōu)化產(chǎn)品設(shè)計(jì)和生產(chǎn)流程，提高企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力和市場(chǎng)占有率...
2023-11-10 17:40:22138 
點(diǎn)擊 “東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！ 以下文章來源于東芝中國 ? ，作者ToshibaChina 以綠色數(shù)字科技 點(diǎn)亮嶄新未來 CIIE 2023 東芝六赴進(jìn)博之約 六赴進(jìn)博 新變化 2023
2023-11-06 12:20:02267 
SD NAND?芯片最好是要靠近host，這樣可以讓走線盡可能的短，減少干擾。
2023-11-04 11:30:40393 
據(jù)業(yè)界2日透露，三星電子計(jì)劃對(duì)中國西安nand閃存工廠進(jìn)行改造，將目前正在生產(chǎn)的128段（v6） nand閃存生產(chǎn)線擴(kuò)大到236段（v8）。三星決定從明年初開始更換設(shè)備，并向業(yè)界通報(bào)了到2025年分階段完成的目標(biāo)。
2023-11-03 11:48:031140 看到很多STM32開發(fā)板，無論是野火還是原子，或者其他的板子，都會(huì)在開發(fā)板上加各種存儲(chǔ)，SDRAM，NAND FLASH，SPI FLASH。
開發(fā)板可能是為了讓掌握這幾種存儲(chǔ)的使用；但是實(shí)際工作中
2023-10-26 07:06:28
如果單片機(jī)不帶硬件操作nand flash的話，用軟件可以實(shí)現(xiàn)nand flash操作嗎？不要求速度，只要讀寫文件就可以了，請(qǐng)問怎么用單片機(jī)io模擬操作芯片
2023-10-23 06:30:34
采取相應(yīng)措施。據(jù) Business Korea 報(bào)道，三星電子高層已決定將其西安 NAND 閃存工廠升級(jí)到 236 層 NAND 工藝，并已開始大規(guī)模擴(kuò)張。 消息人士稱，三星已開始采購最新的半導(dǎo)體設(shè)備，新設(shè)備預(yù)計(jì)將在 2023 年底交付，并于 2024 年在西安工廠陸續(xù)引進(jìn)可生產(chǎn)第
2023-10-18 08:35:55194 TB6613FTG，TOSHIBA/東芝，BiCD集成電路硅單片TB6613FTG，TOSHIBA/東芝，BiCD集成電路硅單片 TB6613FTG直流和步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器TB6613FTG
2023-10-17 16:47:03
在NAND閃存市場(chǎng)難以復(fù)蘇的情況下，三星升級(jí)西安工廠是保持全球NAND閃存第一的戰(zhàn)略對(duì)策；去年下半年開始，IT市場(chǎng)放緩和半導(dǎo)體市場(chǎng)疲軟也導(dǎo)致三星電子NAND業(yè)務(wù)下滑。
2023-10-17 15:29:57433 三星決定升級(jí)西安工廠的原因大致有兩個(gè)。第一，在nand閃存市場(chǎng)尚未出現(xiàn)恢復(fù)跡象的情況下，在nand閃存市場(chǎng)保持世界領(lǐng)先地位。受從去年年底開始的it景氣低迷和半導(dǎo)體景氣低迷的影響，三星nand的銷量增加，從而使虧損擴(kuò)大。
2023-10-16 14:36:00832 10月9日，韓國半導(dǎo)體業(yè)傳來好消息，美國將無限期豁免三星電子和SK海力士向其在我國的工廠提供半導(dǎo)體設(shè)備，而且無需其它許可；美方的這一決定即日起生效。 三星電子在我國西安有生產(chǎn)NAND閃存，SK
2023-10-10 11:59:16368 先來回顧一下Redis鍵的生存時(shí)間，過期時(shí)間的設(shè)置；然后會(huì)講到過期鍵刪除策略；然后會(huì)聊其他功能對(duì)過期鍵的處理。 2.鍵的生存時(shí)間 鍵過期時(shí)間設(shè)置通過Expire命令或者Pexpire命令，客戶端可以
2023-10-08 14:55:30188 
平澤p3 晶圓廠是三星最大的生產(chǎn)基地之一。據(jù)報(bào)道，三星原計(jì)劃將p3工廠的生產(chǎn)能力增加到8萬個(gè)dram和3萬個(gè)nand芯片，但目前已將生產(chǎn)能力減少到5萬個(gè)dram和1萬個(gè)nand芯片。
2023-10-08 11:45:57762 目前，NOR FLASH和NAND FLASH是市場(chǎng)上主要的非易失性閃存技術(shù)，但是據(jù)我了解，還是有很多工程師分不清NAND FLASH與NOR FLASH。
2023-10-01 14:05:00468 
前言
嵌入式項(xiàng)目中,比較常見的存儲(chǔ)擴(kuò)展方案是使用TF/SD卡或者EMMC或者RAW NAND,各種方案都有其優(yōu)缺點(diǎn),而SD NAND相對(duì)于上述方案具備很多優(yōu)勢(shì),是目前嵌入式項(xiàng)目中存儲(chǔ)擴(kuò)展方案的一個(gè)
2023-09-26 17:40:35
在上一篇文章中為大家介紹了NAND Flash的工作原理和自身的特性（點(diǎn)擊查看 ），本次文章將繼續(xù)為大家?guī)黻P(guān)于NAND Flash的內(nèi)容。 一、NAND Flash 的容量結(jié)構(gòu) 從訪問NAND
2023-09-22 18:10:02752 
9月21日的消息中，東芝公司宣布， 由私募股權(quán)基金“日本產(chǎn)業(yè)合作伙伴（JIP）”領(lǐng)導(dǎo)的150億美元要約收購已獲得成功， 超過一半的股東參與此次收購，達(dá)到將公司私有化的門檻。這一交易完成后，東芝將不
2023-09-22 17:46:55761 
NAND Flash 和NOR Flash 的差別在哪兒呢？從字面意思上看， NAND = not AND(與非)，NOR = not OR(或非)，也有可能是NMOS AND/OR。同為非揮發(fā)
2023-09-11 16:59:231901 
NAND Flash是一種非易失存儲(chǔ)器，也就是掉電不丟失類型，現(xiàn)在我們常見的存儲(chǔ)設(shè)備基本都是NAND Flash，比如U盤、固態(tài)硬盤，手機(jī)存儲(chǔ)等等，電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2023-09-11 14:48:23553 
沒有SPI-Nand, NAND 無法啟動(dòng)
2023-09-06 06:24:06
Nand Flash存儲(chǔ)器是Flash存儲(chǔ)器的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了高性價(jià)比、高性能的解決方案。Nand Flash存儲(chǔ)器具有容量較大、改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)
2023-09-05 18:10:011617 燒寫文件到NUC980的SPI NAND中每個(gè)文件的地址是如何確定的？
2023-09-04 08:29:46
請(qǐng)問，這個(gè)nand是不是會(huì)有壞塊問題？會(huì)不會(huì)出現(xiàn)無法啟動(dòng)到客戶那邊！因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">nand除了ecc，還有負(fù)載平衡，處理壞塊！文件系統(tǒng)也要求高
另外spi nand能運(yùn)行non-os嗎？可以直接燒寫程序進(jìn)去嗎？
2023-09-04 07:11:01
的宮田工廠（福岡縣的宮若市）和大發(fā)工業(yè)的京都工廠（京都府大山崎町）等共3條生產(chǎn)線因配件庫存不足，一直停產(chǎn)到深夜。
2023-08-30 09:21:57365 樣本代碼顯示在外部 Winbond W25N02JW SPI NAND Flash 中訪問文件。 文件系統(tǒng)為 FAT32。 用戶可以將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在 SPI NAND Flash 中作為數(shù)據(jù)記錄器
2023-08-29 07:21:07
三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲(chǔ)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)愈加激烈，三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53281 三星已經(jīng)減少了主要nand閃存生產(chǎn)基地的晶圓投入額。這就是韓國的平澤、華城和中國的西安。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，三星的nand閃存產(chǎn)量可能會(huì)減少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1業(yè)績(jī)中，由于市場(chǎng)持續(xù)低迷，三星電子正式公布了存儲(chǔ)器減產(chǎn)計(jì)劃。
2023-08-16 10:23:58422 人工智能工程師的危機(jī)? 作為一名人工智能工程師，我越來越感到危機(jī)的存在。在過去幾年中，人工智能變得越來越流行，隨著技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用的廣泛，人工智能在不同的領(lǐng)域產(chǎn)生了廣泛的影響。人們的工作、生活、娛樂
2023-08-15 16:08:08336 人工智能危機(jī)有哪些? 近年來，隨著人工智能技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用的廣泛，越來越多的人開始關(guān)注人工智能所帶來的危機(jī)。人工智能危機(jī)主要包括技術(shù)危機(jī)、倫理危機(jī)和社會(huì)經(jīng)濟(jì)危機(jī)等方面。本文將從這三個(gè)方面分別進(jìn)行探討
2023-08-15 16:07:111195 由于長(zhǎng)期nand型需求沒有得到恢復(fù)，鎧俠將在日本巖手縣其他場(chǎng)建設(shè)的生產(chǎn)工廠的啟動(dòng)時(shí)間從當(dāng)初的2023年推遲到了2024年以后。另外，成套設(shè)備的交貨也在推遲。
2023-08-14 10:06:52283 引言：隨著嵌入式系統(tǒng)的發(fā)展，有許多具有串行外圍接口（SPI）的應(yīng)用需要更高密度的內(nèi)存解決方案來存儲(chǔ)大型程序系統(tǒng)和文件。對(duì)于這些應(yīng)用需求，基于Nand結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)解決方案提供了Serial Nand系列。
2023-08-11 15:49:011022 
一、什么是pSLC
pSLC（Pseudo-Single Level Cell）即偽SLC，是一種將MLC/TLC改為SLC的一種技術(shù)，現(xiàn)Nand Flash基本支持此功能，可以通過指令控制MLC
2023-08-11 10:48:34
SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存，成為業(yè)界首家開發(fā)出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品，并介紹了開發(fā)進(jìn)展情況。
2023-08-10 16:01:47704 電子的狀態(tài)下（數(shù)據(jù)”0“），閾值電壓高于讀出電壓Vcg(+)，所以電流不流動(dòng)（如圖a）。在電荷存儲(chǔ)膜中沒有電子的狀態(tài)下（數(shù)據(jù)”1“），閾值電壓低于讀出電壓Vcg(+)，因此電流流動(dòng)。
即使是電源關(guān)閉
2023-07-28 16:23:18
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《生存危機(jī)-Arduino角色扮演游戲模擬器.zip》資料免費(fèi)下載
2023-07-06 10:16:11
0 三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開發(fā)計(jì)劃，預(yù)計(jì)在2024年推出第九代3D NAND，其層數(shù)可達(dá)到280層
2023-07-04 17:03:291744 Electronics Corporation）開工新建一家300晶圓功率半導(dǎo)體制造工廠。該功率半導(dǎo)體制造工廠的建造將分兩個(gè)階段進(jìn)行，一期工程計(jì)劃于2024財(cái)年內(nèi)投產(chǎn)。東芝還將在新工廠附近建造一棟辦公樓，以滿足增員需求。 新工廠將具有抗震結(jié)構(gòu)和業(yè)務(wù)連續(xù)性計(jì)劃（BCP）
2023-06-29 17:45:02545 
閃存存儲(chǔ)設(shè)備：NAND芯片作為主要的閃存存儲(chǔ)媒介，被廣泛用于固態(tài)硬盤（SSD）、USB閃存驅(qū)動(dòng)器、內(nèi)存卡（如SD卡、MicroSD卡）和閃存盤等。
2023-06-28 16:25:495198 近日，美光科技公司今天宣布計(jì)劃在印度古吉拉特邦建造一座新的組裝和測(cè)試工廠，新工廠將實(shí)現(xiàn) DRAM 和 NAND 產(chǎn)品的組裝和測(cè)試制造。
2023-06-27 17:06:15226 燒寫文件到NUC980的SPI NAND中每個(gè)文件的地址是如何確定的？
2023-06-26 06:09:54
本文轉(zhuǎn)自公眾號(hào),歡迎關(guān)注 開放NAND閃存接口ONFI介紹 (qq.com) 一.前言 ? ONFI即 Open NAND Flash Interface, 開放NAND閃存接口.是一個(gè)由100多家
2023-06-21 17:36:325865 
燒寫文件到NUC980的SPI NAND中每個(gè)文件的地址是如何確定的？
2023-06-13 07:09:17
我想知道如何關(guān)閉 S32DS 工作區(qū)中的項(xiàng)目，因?yàn)槲乙呀?jīng)關(guān)閉了工作區(qū)中的項(xiàng)目但是當(dāng)我想用 [ctrl+Alt+E] 打開它時(shí)顯示消息“一個(gè)項(xiàng)目已經(jīng)存在于工作區(qū)”已顯示，但我什么也看不到！
2023-06-05 09:02:30
嗨，我有一個(gè)關(guān)于 IVT 的問題，在我的應(yīng)用程序中，我開發(fā)了一個(gè)固件引導(dǎo)加載程序，它由 bootrom 從 nand-flash 加載并且始終運(yùn)行良好。
我使用 MCUXpresso 配置工具在
2023-05-24 13:56:04
NAND門是一個(gè)邏輯門，如果其所有輸入均為真，則產(chǎn)生低輸出（0），否則產(chǎn)生高輸出（1）。因此，NAND門是AND門的反面，其電路是通過將AND門連接到NOT門來創(chuàng)建的。NAND門與 AND 門一樣，可以有任意數(shù)量的輸入探頭，但只能有一個(gè)輸出探頭。
2023-05-23 15:42:408603 
，按頁來讀，norflash沒有頁），NAND FLASH的主要供應(yīng)商是SAMSUNG和東芝。
由于nandflash引腳上復(fù)用，因此讀取速度比nor flash慢一點(diǎn)，但是擦除和寫入速度比nor
2023-05-19 15:59:37
4月26日新聞，DigiTimes援引韓國媒體報(bào)道稱，SK海力士正在推遲其位于中國大連的第二個(gè)3D NAND工廠的完工。據(jù)悉，這一決議是為了應(yīng)對(duì)市場(chǎng)需求萎縮以及美國限制向中國出口先進(jìn)晶圓廠工具
2023-05-05 15:22:001636 
- 我的任務(wù)是找出根本原因并解決基于 imx28 的定制設(shè)計(jì)板中的問題。
- imx28 無法從 NAND 啟動(dòng)并進(jìn)入 USB 恢復(fù)模式。
- 將 NAND 閃存更改為不同的 NAND 閃存后
2023-04-27 06:50:47
）但是，目前的情況是u-boot-2020.04。uboot和linux都使用5.10版本。NXP的內(nèi)容中沒有詳細(xì)說明NAND引導(dǎo)引起的修改，所以我就按照我公司的內(nèi)容修改
2023-04-20 07:55:17
前言嵌入式項(xiàng)目中,比較常見的存儲(chǔ)擴(kuò)展方案是使用TF/SD卡或者EMMC或者RAW NAND,各種方案都有其優(yōu)缺點(diǎn),而SD NAND相對(duì)于上述方案具備很多優(yōu)勢(shì),是目前嵌入式項(xiàng)目中存儲(chǔ)擴(kuò)展方案的一個(gè)非常
2023-04-18 23:03:42
SCREEN_OFF_TIMEOUT，則什么也沒有發(fā)生。但是如果我改變 10000，10 秒后屏幕變黑。這是正確的方法嗎？但是然后雙擊屏幕不會(huì)在雙擊時(shí)啟用。 請(qǐng)讓我知道在 Android 中實(shí)現(xiàn)屏幕關(guān)閉超時(shí)的正確方法。
2023-04-14 07:15:01
我在 kicad 中設(shè)計(jì)了一塊帶有 esp32-mini 模塊的電路板，但足跡有錯(cuò)誤的引腳映射到 RXD0 和 TXD0。現(xiàn)在的問題是，我生產(chǎn)了 50 塊無法編程的 PCB，而且我負(fù)擔(dān)不起報(bào)廢這些
2023-04-12 08:34:12
中央處理器：imx6ul我正在嘗試從nand flash中讀取數(shù)據(jù)，發(fā)現(xiàn)有些數(shù)據(jù)總是固定為0xFn或0xnF，如下所示：數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤規(guī)則是每?jī)纱巫x取。第二次讀取數(shù)據(jù)中2018字節(jié)的高quad位固定
2023-04-06 06:15:15
從NAND Flash存儲(chǔ)來看，全球市場(chǎng)也高度集中。據(jù)CFM閃存市場(chǎng)的數(shù)據(jù)，2022年全球NAND Flash市場(chǎng)規(guī)模為601.26億美元，由三星電子、鎧俠、SK海力士、西部數(shù)據(jù)、美光科技五家公司主導(dǎo)，市占率分別為33.8%、18.7%、16.7%、15.8%、10.5%。
2023-03-31 13:57:24371 大家好， 我們計(jì)劃在MIMXRT1062DVL6B部分的SEMC接口上使用NAND Flash。我們可以用于 NAND Flash的最大尺寸是多少？ 根據(jù)手冊(cè)，它表示支持每個(gè)區(qū)域 512Mbit
2023-03-31 07:47:22
我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 大家好， 我正在研究 IMXRT1176，我對(duì)內(nèi)存使用有一些疑問： XIP 是否通過 QSPI 支持 NAND 閃存？如果 IMXRT1170 從 NAND 閃存啟動(dòng)，則加載程序必須將應(yīng)用程序復(fù)制到
2023-03-29 07:06:44
回顧過去幾年，減速器廠商經(jīng)歷了2017年“供不應(yīng)求”的黃金時(shí)代，2018年“供過于求”的白銀時(shí)代，2019年“求生存”的青銅時(shí)代，2020年雖然受到疫情的影響，開局受到消極情緒的主導(dǎo)，但自二季度開始受益于機(jī)器人市場(chǎng)的回暖
2023-03-27 13:57:541659 
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