我有一個(gè) CYUSB3KIT-003。 我需要集成一個(gè) NOR 閃存，我可以從中將固件讀取到 RAM，然后 NOR 閃存的一部分內(nèi)存應(yīng)該EVAL_2K4W_ACT_BRD_S7作為大容量存儲(chǔ)設(shè)備。
我應(yīng)該采取什么方法？
2024-03-05 07:23:50
存儲(chǔ)器解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠株式會(huì)社宣布，該公司已開始提供業(yè)界首款面向車載應(yīng)用的通用閃存(UFS)4.0版嵌入式閃存設(shè)備的樣品。
2024-02-22 16:21:51
612 RISC-V 的芯片都出來(lái)很久了，現(xiàn)在RISC-V 都有哪家公司再推?。恳院笫遣皇且环N趨勢(shì)呀？
沁恒的產(chǎn)品如何？
2024-02-05 22:30:29
NAND閃存作為如今各種電子設(shè)備中常見的非易失性存儲(chǔ)器，存在于固態(tài)硬盤（SSD）、USB閃存驅(qū)動(dòng)器和智能手機(jī)存儲(chǔ)等器件。而隨著電腦終端、企業(yè)存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)中心、甚至汽車配件等應(yīng)用場(chǎng)景要求的多樣化
2024-02-05 18:01:17418 
，當(dāng)閃存盤或者容量盤出現(xiàn)故障的時(shí)候，數(shù)據(jù)會(huì)向其他節(jié)點(diǎn)轉(zhuǎn)移，在轉(zhuǎn)移過程中有可能出現(xiàn)故障。
VSAN數(shù)據(jù)恢復(fù)環(huán)境&故障：
4臺(tái)服務(wù)器節(jié)點(diǎn)組建的VSAN集群，每臺(tái)服務(wù)器節(jié)點(diǎn)上有兩個(gè)磁盤組，每個(gè)磁盤
2024-01-25 13:26:15138 ; 沒有這樣的文件或目錄\"。
似乎串行閃存庫(kù)尚未設(shè)置。在庫(kù)管理器1.0下，而我使用的是庫(kù)管理器2.0，在管理器2.0下找不到串行閃存庫(kù)。
在此先謝謝。
2024-01-24 07:09:52
你好，
我通過 vsCode 使用 ModustoolBox。 我已經(jīng)成功地在 CYPROTO-063-BLE 套件上測(cè)試了我的程序。 為此，我必須調(diào)整那里的閃存。 現(xiàn)在我想在 CY8C6245 上
2024-01-22 06:42:24
IDC數(shù)據(jù)表明，傳統(tǒng)企業(yè)存儲(chǔ)系統(tǒng)中的全閃陣列同比下降5.5%，用戶更加青睞端到端NVMe 全閃、分布式全閃等高端全閃存儲(chǔ)。
2024-01-03 10:43:18282 
推出了金士頓XS1000移動(dòng)固態(tài)硬盤。相比普通移動(dòng)固態(tài)硬盤產(chǎn)品，這款SSD要小不少，長(zhǎng)度不到7cm，比一些高性能閃存盤還要短，寬度不到3.3cm，但容量卻能達(dá)到2TB，非常便于攜帶，畢竟一些容量達(dá)到TB級(jí)的高端閃存盤長(zhǎng)度往往都要超過7cm。那么在性能上，它能否滿足用戶的需求呢？
2023-12-28 10:53:20285 單相電機(jī)啟動(dòng)時(shí)如果電容壞了，用手推一下電機(jī)，電機(jī)會(huì)不會(huì)轉(zhuǎn)起來(lái)？
2023-12-18 07:33:49
FLASH閃存是一種非易失性內(nèi)存，閃存在沒有電流供應(yīng)的條件下也能夠長(zhǎng)久地保持?jǐn)?shù)據(jù)，其存儲(chǔ)特性相當(dāng)于硬盤，這項(xiàng)特性正是閃存得以成為各類便攜型數(shù)字設(shè)備的存儲(chǔ)介質(zhì)的基礎(chǔ)。
2023-12-15 14:06:27419 使用攝像頭進(jìn)行網(wǎng)絡(luò)推流
2023-11-09 00:10:30
三星采取此舉的目的很明確，希望通過此舉逆轉(zhuǎn)整個(gè)閃存市場(chǎng)，穩(wěn)定NAND閃存價(jià)格，并實(shí)現(xiàn)明年上半年逆轉(zhuǎn)市場(chǎng)等目標(biāo)。
2023-11-03 17:21:111214 8gu盤閃存顆粒壞了 可以自己換16g或者更大的閃存顆粒嗎
2023-11-01 06:47:37
對(duì)閃存的整片擦除有兩種方法，操作閃存控制寄存器（FLASH_CTRL）或者解除訪問保護(hù)。一般情況下使用的方法是操作閃存控制寄存器（FLASH_CTRL）進(jìn)行整片擦除，使用整片擦除函數(shù)
2023-10-20 08:21:03
中芯國(guó)際方面表示：“nand閃存憑借較高的單元密度和存儲(chǔ)器密度、快速使用和刪除速度等優(yōu)點(diǎn)，已成為廣泛使用在閃存上的結(jié)構(gòu)?！蹦壳爸饕糜跀?shù)碼相機(jī)等的閃存卡和mp3播放器。
2023-10-17 09:46:07265 地址和串流密鑰，組合在一起，就是你的推流地址了。
回到開發(fā)板，輸入下面的命令
ffmpeg -f v4l2 -i /dev/video0 -c:v libx264 -preset ultrafast
2023-10-09 23:01:57
首先，內(nèi)存請(qǐng)求與閃存內(nèi)存之間存在顆粒度不匹配。這導(dǎo)致了在閃存上需要存在明顯的流量放大，除了已有的閃存間接性需求[23,33]之外：例如，將64B的緩存行刷新到CXL啟用的閃存，將導(dǎo)致16KiB的閃存內(nèi)存頁(yè)面讀取、64B更新和16KiB的閃存程序?qū)懭氲搅硪粋€(gè)位置（假設(shè)16KiB的頁(yè)面級(jí)映射）。
2023-10-09 16:46:20375 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/周凱揚(yáng)）在近期的閃存峰會(huì)上，一家由英國(guó)蘭卡斯特大學(xué)孵化的初創(chuàng)公司Quinas Technology獲得了創(chuàng)新大獎(jiǎng)。他們展示了ULTRARAM，一個(gè)結(jié)合了DRAM高性能和閃存
2023-10-09 00:10:001310 本編程手冊(cè)介紹了如何燒寫STM32F101xx、STM32F102xx和STM32F103xx微控制器的閃存存儲(chǔ)器。為方便起見，在本文中出特別說(shuō)明外，統(tǒng)稱它們?yōu)镾TM32F10xxx
2023-09-26 06:18:33
采用TCP傳輸碼流的時(shí)候如果碼流服務(wù)器停止推流，ffmpeg阻塞在av_read_frame
2023-09-19 07:22:59
查看 rtsp 服務(wù)是否實(shí)時(shí)推流
2023-09-18 07:36:13
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《QSPI閃存的主機(jī)編程.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-14 11:08:49
0 載體（涉密文件）進(jìn)行統(tǒng)一管理、分析的信息化、智能化、規(guī)范化的系統(tǒng)。 用戶為對(duì)文件資料、存儲(chǔ)介質(zhì)等管理嚴(yán)格的單位，下面簡(jiǎn)稱為XXXX單位，位于XXXX單位的辦公樓內(nèi)部有大量涉密信息，以光盤、閃存盤、移動(dòng)硬盤、筆記本電腦等為載體存儲(chǔ)，如何管理使用好這些信
2023-09-14 11:06:35253 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《將SPI閃存與7系列FPGA結(jié)合使用.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-13 10:00:230 片上閃存特性和系統(tǒng)框圖
? 存儲(chǔ)空間組織架構(gòu)
? 用戶閃存
? 系統(tǒng)閃存
? OTP
? 選項(xiàng)字節(jié)
? 閃存讀接口
? 等待周期
? 指令預(yù)取
? 指令高速緩存
? 數(shù)據(jù)高速緩存
? 擦除和編程操作
? 讀保護(hù)和寫保護(hù)
? STM32F2和STM32F1的閃存特性比較
2023-09-13 07:10:38
閃存特性及參數(shù)一瞥? 多達(dá)64K字節(jié)空間 ，分成64個(gè)頁(yè)或16個(gè)扇區(qū)? 讀寫操作次數(shù)：多達(dá)10K次? 半字（16位）的編程時(shí)間：53.5μs （典型值）? 頁(yè)擦除和全部擦除的時(shí)間：20ms （最小值
2023-09-12 07:26:04
閃存芯片是非揮發(fā)存儲(chǔ)芯片，廣泛用于電子產(chǎn)品，特別是如數(shù)碼相機(jī)、MP3播放器、手機(jī)、全球定位系統(tǒng)(GPS)、高端筆記本電腦和平板電腦等移動(dòng)電子產(chǎn)品的存儲(chǔ)應(yīng)用。
2023-09-11 09:32:31833 
分析閃存控制器的架構(gòu)，首先得了解SSD。一般來(lái)說(shuō)SSD的存儲(chǔ)介質(zhì)分為兩種，一種是采用閃存（Flash芯片）作為存儲(chǔ)介質(zhì)，另外一種是采用DRAM作為存儲(chǔ)介質(zhì)。我們通常所說(shuō)的SSD就是基于閃存的固態(tài)硬盤
2023-08-29 16:10:09495
應(yīng)用程序 : 本代碼是 FreeRTOS 任務(wù)的基本應(yīng)用程序, 用于創(chuàng)建閃存 LED 任務(wù) 。
BSP 版本: M480系列 BSP CMSIS V3.04.000
硬件
2023-08-22 06:28:14
三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲(chǔ)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)愈加激烈，三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53281 載體（涉密文件）進(jìn)行統(tǒng)一管理、分析的信息化、智能化、規(guī)范化的系統(tǒng)。 用戶為對(duì)文件資料、存儲(chǔ)介質(zhì)等管理嚴(yán)格的單位，下面簡(jiǎn)稱為XXXX單位，位于XXXX單位的辦公樓內(nèi)部有大量涉密信息，以光盤、閃存盤、移動(dòng)硬盤、筆記本電腦等為載體存儲(chǔ)，如何管理使用好這些信
2023-08-21 10:07:13198 、攝像頭、充電器、閃存盤、移動(dòng)硬盤、手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)等幾乎所有的外部設(shè)備。已成功替代串口和并口，并成為個(gè)人電腦、電子設(shè)備的必配接口之一。
2023-08-18 16:18:17764 
AMBA通用閃存總線（GFB）通過在系統(tǒng)和閃存之間提供簡(jiǎn)單的接口，簡(jiǎn)化了子系統(tǒng)中嵌入式閃存控制器的集成。GFB存在于Flash控制器的管理器側(cè)和下級(jí)側(cè)之間的邊界上，如圖1-1所示。Manager端有
2023-08-11 07:55:01
北京2023年8月7日 /美通社/ -- 日前，IDC公布《2023年第一季度中國(guó)企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)市場(chǎng)跟蹤報(bào)告》，報(bào)告顯示，中國(guó)企業(yè)級(jí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)市場(chǎng)銷售額同比增長(zhǎng)3.45%至70.14億元，全閃存儲(chǔ)銷售額
2023-08-08 12:55:47716 在當(dāng)今科技時(shí)代，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求急劇增長(zhǎng)，NAND?閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲(chǔ)解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來(lái)，虛擬 SLC（pSLC）閃存技術(shù)的引入，為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域帶來(lái)了新的創(chuàng)新。本文將探討 pSLC
2023-08-02 15:16:593365 
在當(dāng)今科技時(shí)代，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求急劇增長(zhǎng)，NAND閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲(chǔ)解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來(lái)，虛擬SLC（pSLC）閃存技術(shù)的引入，為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域帶來(lái)了新的創(chuàng)新。本文將探討pSLC閃存
2023-08-02 08:15:35790 
在當(dāng)今科技時(shí)代，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求急劇增長(zhǎng)，NAND 閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲(chǔ)解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來(lái)，虛擬 SLC（pSLC）閃存技術(shù)的引入，為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域帶來(lái)了新的創(chuàng)新。本文將探討 pSLC 閃存的原理、優(yōu)勢(shì)以及在不同領(lǐng)域中的應(yīng)用。
2023-08-01 11:15:471559 
蘋果閃存和SSD都基于閃存技術(shù)，但存在一些細(xì)微差別。蘋果閃存是專為蘋果產(chǎn)品而開發(fā)的，使用NAND（非易失性閃存）芯片技術(shù)，而SSD可以是通用的，采用不同類型的閃存芯片，如NAND、MLC（多級(jí)單元）或TLC（三級(jí)單元）。
2023-07-19 15:21:372102 UFS（Universal Flash Storage）是一種用于存儲(chǔ)的閃存標(biāo)準(zhǔn)，而不是內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。它是一種閃存存儲(chǔ)技術(shù)，用于移動(dòng)設(shè)備和其他便攜式電子設(shè)備中的非易失性存儲(chǔ)。
2023-07-18 15:00:0313543 NAND閃存是一種電壓原件，靠其內(nèi)存電壓來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
2023-07-12 09:43:211444 
RH850 - 數(shù)據(jù)閃存庫(kù)
2023-07-05 20:43:480 RH850 - 閃存代碼庫(kù)
2023-07-05 20:43:350 用于 Dialog SoC 產(chǎn)品的 Dialog 閃存
2023-07-03 20:35:200 PG-FP6，瑞薩閃存編程器用戶手冊(cè)附加文檔（連接閃存編程器的推薦電路）
2023-06-30 19:18:433 閃存存儲(chǔ)設(shè)備：NAND芯片作為主要的閃存存儲(chǔ)媒介，被廣泛用于固態(tài)硬盤（SSD）、USB閃存驅(qū)動(dòng)器、內(nèi)存卡（如SD卡、MicroSD卡）和閃存盤等。
2023-06-28 16:25:495198 本文轉(zhuǎn)自公眾號(hào),歡迎關(guān)注 開放NAND閃存接口ONFI介紹 (qq.com) 一.前言 ? ONFI即 Open NAND Flash Interface, 開放NAND閃存接口.是一個(gè)由100多家
2023-06-21 17:36:325865 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用于Arduino閃存的壓縮庫(kù)(PROGMEM).zip》資料免費(fèi)下載
2023-06-19 10:58:290 本應(yīng)用筆記介紹如何使用內(nèi)置實(shí)用程序ROM擦除/寫入MAXQ7665微控制器（μC）中的程序和數(shù)據(jù)閃存。此信息適用于帶可頁(yè)面擦除（PE）閃存的基于MAXQ7665閃存的μC。
2023-06-16 11:37:02712 
內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲(chǔ)單元是bit，用戶可以隨機(jī)訪問任何一個(gè)bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲(chǔ)單元是頁(yè)（Page）（可以看到，NAND型閃存的頁(yè)就類似硬盤的扇區(qū)，硬盤的一個(gè)扇區(qū)也為512
2023-06-10 17:21:001982 SK海力士收購(gòu)Intel NAND閃存業(yè)務(wù)重組而來(lái)的Solidigm，就發(fā)布了一款QLC閃存的企業(yè)級(jí)產(chǎn)品P5-D5430，可以說(shuō)是QLC SSD的一個(gè)代表作。
2023-06-09 10:41:43489 
目前需要使用1126 rtsp推流，有沒有什么方向能夠減少直播過程中的延時(shí)
2023-06-08 16:40:51
在發(fā)布會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，思朗科技對(duì)外展示了幾套開發(fā)板設(shè)計(jì)，其中最引人注目的是一塊基于UCP4008的一體化開發(fā)板。這塊板卡僅僅使用一個(gè)UCP4008芯片，就可以支持2個(gè)100M的4天線5G小區(qū)，是一個(gè)集成化程度相當(dāng)高，兼具低成本、低功耗特點(diǎn)的一體化基站解決方案。
2023-06-07 15:44:01450 
ESP8285 芯片（Soc）是否帶有內(nèi)置閃存？如果是，我們可以使用帶有內(nèi)置閃存的 ESP8285 芯片（Soc）通過 ESP8285 芯片（Soc）的 UART 配置使其作為 WiFi 連接
2023-06-05 08:31:11
行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力。 深圳市朗科科技股份有限公司設(shè)立于 1999 年，是閃存盤的發(fā)明者，全球存儲(chǔ)應(yīng)用領(lǐng)域產(chǎn)品與解決方案提供商。旗下?lián)碛?6 家全資子公司及 1 家合資公司，總部設(shè)在深圳市。自成立以來(lái)，公司通過核心技術(shù)及自主創(chuàng)新能力實(shí)現(xiàn)了多元化和有序擴(kuò)張。
2023-06-02 10:57:18843 
你好
我們想將 Winbond QSPI Flash 與 iMXRT685 一起使用。(FlexSPI)
上面的閃存部件 W25X40CLSNIG 是否兼容 iMXRT685 FlexSPI 閃存？
RT685: MIMXRT685SFVKB
SPI-NORFlash：W25X40CLSNIG（華邦）
2023-06-01 09:03:36
我需要為生產(chǎn)目的對(duì) ESP8285 IC 進(jìn)行閃存編程。我正在尋找可以在 3 秒內(nèi)完成此操作的 SPI 閃存編程器，而不是通常需要 24 秒/芯片的串行方法。
有人知道嗎？
2023-05-31 10:11:19
我打算在我的項(xiàng)目中使用帶有 2MB 板載閃存的 ESP-WROOM-S2，但我似乎無(wú)法讓用戶代碼從板載閃存工作。
與其他模塊的不同之處在于，S2 已通過閃存連接到 HSPI（與 SPI 相對(duì)）。
我
2023-05-31 06:38:49
有沒有我可以加載到我的 ESP 中并讓它告訴我真正的閃存大小的程序/草圖？我有幾塊板可以正常工作，但后來(lái)我用相同的程序加載另一塊板，但它失敗了。我懷疑是假的或壞的閃存，但我沒有辦法證明這一點(diǎn)。
2023-05-30 09:16:50
我們?cè)诙ㄖ瓢迳鲜褂?imxrt1064，我們有一個(gè)外部閃存連接 flexspi1。
對(duì)于我們的項(xiàng)目，我們需要在外部閃存上存儲(chǔ) lvgl 圖像和字體，因?yàn)槠?b class="flag-6" style="color: red">閃存 (4MB) 的大小不夠
我們正在使用具有外部存儲(chǔ)選項(xiàng)的 gui guider 1.5.1 我們?nèi)绾问褂盟鼇?lái)讀取和寫入外部閃存中的圖像
2023-05-30 07:50:00
我只是在思考未來(lái)的項(xiàng)目想法，我想知道是否有可能只對(duì)外部閃存 IC 使用正常的 SPI 模式（它只需要兩個(gè)引腳用于數(shù)據(jù)傳輸，而不是像往常一樣的四個(gè) Quad-SPI 閃存 IC )?
這樣做的好處是可以在軟件中使用兩個(gè)以上的 GPIO。一個(gè)缺點(diǎn)可能是由于與外部閃存的接口較慢而需要引入更多的等待狀態(tài)。
2023-05-30 06:30:10
使用本地計(jì)算機(jī)上的USB設(shè)備，如打印機(jī)、掃描儀、攝像頭等。 數(shù)據(jù)傳輸：在遠(yuǎn)程桌面或虛擬桌面環(huán)境中，需要使用本地計(jì)算機(jī)上的USB存儲(chǔ)設(shè)備，如閃存盤、移動(dòng)硬盤等傳輸數(shù)據(jù)。 軟件許可證：一些軟件需要通過USB設(shè)備來(lái)驗(yàn)證許可證，例如加密狗等，這
2023-05-29 14:44:271221 
在當(dāng)今智能設(shè)備的互聯(lián)世界中，我們希望更快地訪問我們的數(shù)據(jù)，同時(shí)我們希望它得到保護(hù)并免受入侵者的侵害。閃存不僅速度更快，而且安全可靠，其化身為UFS - 通用閃存。此博客深入了解 UFS 設(shè)備的各種安全模式以及如何訪問它們。它還指出了如何使用加密來(lái)進(jìn)一步保護(hù)數(shù)據(jù)。
2023-05-26 15:29:051757 
處理器：MIMXRT1062CVL5
外部閃存：W25Q512JV
我們正在創(chuàng)建一個(gè)使用 LVGL 庫(kù)在監(jiān)視器上顯示 GUI 的項(xiàng)目，因此我們需要一個(gè)外部閃存來(lái)存儲(chǔ)大量數(shù)據(jù)。
特別是，我們
2023-05-24 07:34:02
我使用 RTD 包擦除寫入和讀取內(nèi)部閃存。它在數(shù)據(jù)閃存上是成功的，但是當(dāng)我將地址更改為代碼閃存時(shí)，寫入和讀取都失敗了。
然后我調(diào)試發(fā)現(xiàn)Register MCR->PGM在擦除后已經(jīng)變成了1。但是我找不到它是在哪里改變的。
2023-05-19 08:41:05
我們想同時(shí)使用 M7 和 A53 的 QSPI 閃存，這兩個(gè)內(nèi)核都有自己的內(nèi)存區(qū)域，驅(qū)動(dòng)程序目前支持這種情況嗎？
如果是這樣，我們可以研究任何參考或示例嗎？我們是否需要在應(yīng)用程序中實(shí)現(xiàn)信號(hào)量或其他
2023-05-18 07:47:18
。
除了只有 512K 的閃存外，一切都很好。
正在運(yùn)行的應(yīng)用程序只留下 159K 的可用空間。
我以為我只需要編譯一個(gè)只做 OTA 的小應(yīng)用程序，但沒有用戶代碼的 Arduino 框架本身是 300K
2023-05-17 08:29:00
我正在嘗試將 USB 閃存盤安裝到我的自定義 IMXRT1176 板上。我的目標(biāo)是列出 USB 記憶棒中的所有 .mp3 二進(jìn)制文件，然后嘗試隨機(jī)播放這些文件。
我在 SDK 中只找到一個(gè)名為
2023-05-17 06:26:41
我打算把它放在 Native SDK 部分，但我想只有
人才會(huì)知道這個(gè)？
我正在為 EEPROMClass 編寫一個(gè)替換類，以在閃存扇區(qū)內(nèi)進(jìn)行磨損均衡。我還想編寫類來(lái)檢測(cè)而不是使用壞的 4 字節(jié)區(qū)域
2023-05-12 06:30:50
我如何閃存 ESP 模塊 3 以及有多少內(nèi)存？
2023-05-10 12:48:37
我想了解我的微控制器 (MPC5777C) 的生產(chǎn)日期以及品牌和型號(hào)信息。我在閃存上看到了 UID 信息。我認(rèn)為這些信息（品牌、型號(hào)、生產(chǎn)年份等）我可以從閃存中讀取。是否可以？哪些地址存儲(chǔ)這些信息？
2023-05-05 06:39:19
無(wú)法使用 Segger J-Flash 工具（使用 J-Link Plus 工具）讀取或?qū)懭?MCU 閃存。
成功可以連接到MCU。
讀取閃存沒有發(fā)生，錯(cuò)誤信息如下所示。
需要您的支持來(lái)解決這個(gè)問題
2023-04-28 06:20:00
這兩種方法都有其優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。高端電流檢測(cè)的優(yōu)點(diǎn)是能夠檢測(cè)與電流相關(guān)的故障，例如可能影響負(fù)載的短路或開路。此外，通過高端電流檢測(cè)，負(fù)載可以直接參考地，我們將在后面探討。高端電流檢測(cè)的主要缺點(diǎn)是共模電壓相對(duì)較高（基于電源電壓），因此需要高共模放大器。
2023-04-23 09:52:242010 
我的項(xiàng)目使用 MC56F83783VLH。 MC56F83xxx 有兩個(gè)閃存數(shù)據(jù)塊，如 RM 所示。 所以我的應(yīng)用程序在主閃存陣列 1 中運(yùn)行，并將主閃存陣列 2 用于我的保存數(shù)據(jù)區(qū)。但我無(wú)法在
2023-04-19 08:54:32
操作系統(tǒng)- Linux開發(fā)板- i.MX RT1170 EVKBIDE-mcuexpresso 我們正在嘗試使用 GUI 閃存工具閃存示例代碼，但在 Linux 中出現(xiàn)“無(wú)法執(zhí)行操作”之類的錯(cuò)誤，并且在控制臺(tái)中打印“未配置閃存”。
2023-04-19 08:00:03
我正在使用 mpc5777c 微控制器。我在 nxp 閃存代碼示例中看到了這些代碼。我不明白為什么他們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">閃存操作后恢復(fù)閃存控制器緩存。據(jù)我了解，RestoreFlashControllerCache
2023-04-17 07:17:57
眾所周知，鎧俠公司發(fā)明了NAND Flash。公司憑借其領(lǐng)先的三維（3D）垂直閃存單元結(jié)構(gòu)BiCS FLASH，讓公司閃存的密度在市場(chǎng)中名列前茅。與此同時(shí)，鎧俠還是第一個(gè)設(shè)想并準(zhǔn)備將SLC技術(shù)成功遷移到MLC、再?gòu)腗LC遷移到TLC、現(xiàn)在又從TLC遷移到QLC的行業(yè)參與者。
2023-04-14 09:17:03796 您好，我們正在使用 iMX RT 1021 MCU 設(shè)計(jì)定制板。由于此 MCU 沒有內(nèi)部閃存，我們通過 MiMX RT1020 EVK 用于外部閃存接口的相同 SPI 接口使用 Microchip
2023-04-14 08:35:18
有什么方法可以添加閃存前和閃存后構(gòu)建步驟嗎？對(duì)于我的系統(tǒng)，我必須向 ESP 發(fā)送一條特殊命令以將其置于引導(dǎo)加載程序模式，然后再發(fā)送一條命令使其真正啟動(dòng)。除了正常的構(gòu)建步驟之外，我似乎無(wú)法在 IDF 中找到任何用于增加構(gòu)建步驟的文檔。誰(shuí)能指出我的好方向？
2023-04-14 08:07:35
，所以只剩下一個(gè)硬件問題：寫入 SPI 閃存時(shí)如何保持 LCD 刷新？在 manuconfig 中，我將所有 SPI、GDMA 和 LCD ISR 標(biāo)記為放置在 IRAM 中，但沒有任何幫助。每次我嘗試
2023-04-12 08:41:21
是否可以使用外部閃存繞過 C3FN4 或 C3FH4 中的內(nèi)部嵌入式閃存？我的意思是作為指令（引導(dǎo)）閃存當(dāng)然，不僅僅是數(shù)據(jù)閃存。
2023-04-12 06:15:17
我正在使用 EVK 套件 MIMXRT1024。當(dāng)我嘗試調(diào)試時(shí)出現(xiàn)以下錯(cuò)誤閃存驅(qū)動(dòng)程序 V.2 啟動(dòng)失敗 - rc Ef(34)：初始化閃存超時(shí)。芯片初始化失敗 - Ef(34)：初始化閃存超時(shí)
2023-04-11 06:37:52
我正在使用 LPC54608、LwIP 和 MCUXpresso IDE v11.7.0 SDK2_13。在我的項(xiàng)目中，我需要一個(gè)兩步引導(dǎo)加載，在第一步中，位于@0x000 閃存地址的引導(dǎo)加載程序
2023-04-06 06:49:13
我將在 LPCXPresso 7.9.2 版上運(yùn)行的項(xiàng)目移植到 MCUXpresso 11.6。該項(xiàng)目正常運(yùn)行，但是我在一個(gè)功能上失敗了。在此功能中，有時(shí)我僅在 RAM 中運(yùn)行軟件并完全擦除閃存
2023-04-03 06:03:48
我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來(lái)了，理論上可以無(wú)線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 所謂高端存儲(chǔ)，指的是可以對(duì)世界上最重要的數(shù)據(jù)提供不間斷訪問能力的存儲(chǔ)陣列，高端存儲(chǔ)必須為關(guān)鍵業(yè)務(wù)工作負(fù)載提供一致的高性能和持續(xù)的可用性。
2023-03-29 11:32:121029 大家好， 我正在研究 IMXRT1176，我對(duì)內(nèi)存使用有一些疑問： XIP 是否通過 QSPI 支持 NAND 閃存？如果 IMXRT1170 從 NAND 閃存啟動(dòng)，則加載程序必須將應(yīng)用程序復(fù)制到
2023-03-29 07:06:44
高能高端智能開關(guān)
2023-03-28 15:17:11
我正在使用 S32K148 EVB 測(cè)試閃存中的 EEPROM 仿真。我想使用 EEE Size = 1KB，那么如何在 FlexRAM 中配置這個(gè)大小。是否有任何示例代碼可用于分區(qū) D 閃存
2023-03-28 08:28:20
大家好，我正在從 MPC5744P 移植 MPC5775E 的啟動(dòng)應(yīng)用程序，所以首先我創(chuàng)建了一個(gè)使用 S32DS 閃爍 LED 的項(xiàng)目，我將 linker_flash.ld 中的默認(rèn)閃存地址從
2023-03-24 07:28:05
程序會(huì)通過藍(lán)牙將.sb2文件下載到sdcard，然后booloader會(huì)讀取0xB000地址的AES密鑰，解密sdcard中的文件，最終將程序?qū)懭雈lash 0xA000。我想知道在寫入閃存之前將 AES 密鑰存儲(chǔ)在哪里，我應(yīng)該什么時(shí)候?qū)⑺鼘懭?b class="flag-6" style="color: red">閃存才能使整個(gè)更新過程安全？
2023-03-23 08:47:27
我正在嘗試編寫代碼來(lái)測(cè)試 LPC54s018-EVK 上的串行閃存。我需要首先確認(rèn)逐個(gè)扇區(qū)擦除閃存是可行且有效的，然后繼續(xù)我測(cè)試的其他階段。（我不想一次擦除整個(gè)芯片，因?yàn)槲覀兊闹饕浖枰獜?b class="flag-6" style="color: red">閃存中
2023-03-23 06:06:43
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