日前，英特爾 FPGA Vision線上直播中發(fā)布，將英特爾編程解決方案事業(yè)部 (PSG) 作為獨立的FPGA公司——Altera。
2024-03-18 14:11:26
108 供應(yīng)方面，3月份硅片生產(chǎn)預(yù)期達到了預(yù)期的70GW，較上個月環(huán)比上漲了約9.4%。據(jù)了解，各廠商并未做出任何減產(chǎn)計劃以應(yīng)對市場壓力。硅片總庫存已超出正常水平，供應(yīng)鏈銷售壓力激增，市場競爭愈發(fā)激烈。
2024-03-10 14:49:371386 FreePDK 45nm 的一個 Flip-Flop 的面積是多少μm^2有償（50米）
2024-03-05 19:48:46
來源于英特爾的可編程芯片分部于今年初獨立運營，隨后確定名為“Altera，英特爾旗下公司”的正式名號。英特爾計劃在未來兩年內(nèi)為Altera融資上市。
2024-03-04 09:59:22150 工業(yè)RFID，即無線射頻識別技術(shù)，它通過無線電信號識別特定目標(biāo)并讀取相關(guān)數(shù)據(jù)。與傳統(tǒng)的條形碼識別相比，RFID技術(shù)具有更高的識別速度、更遠的識別距離以及更強的抗干擾能力。這些特性使得它在光伏硅片生產(chǎn)的復(fù)雜環(huán)境中表現(xiàn)出色，為晶圓盒的識別與溯源提供了強有力的技術(shù)支持。
2024-02-23 14:05:5590 硅片生產(chǎn)是光伏產(chǎn)業(yè)鏈上游的核心環(huán)節(jié)，為后續(xù)制造更高發(fā)電效率的光伏組件提供有力保障。隨著市場對硅片品質(zhì)的要求不斷提高，硅片生產(chǎn)過程中的檢測維度需更加精細(xì)，涵蓋外觀缺陷、尺寸、數(shù)量、平整度、距離和定位
2024-02-23 08:23:46125 
投影融合系統(tǒng)是一種先進的投影技術(shù)，它將多臺投影儀投射出的畫面進行邊緣重疊，并通過融合技術(shù)形成一個無縫、高分辨率的整幅畫面。這種技術(shù)廣泛應(yīng)用于商業(yè)展覽、家庭娛樂、教育等領(lǐng)域，為人們帶來了更加沉浸
2024-02-01 14:50:34172 例如，盡管iPhone 15 Pro已發(fā)布四個月，A17 Pro仍在使用臺積電專有的3nm工藝。根據(jù)MacRumors的報告，這一趨勢似乎仍將延續(xù)至2nm工藝。
2024-01-26 09:48:34202 臺積電的2nm技術(shù)是3nm技術(shù)的延續(xù)。一直以來，臺積電堅定地遵循著每一步一個工藝節(jié)點的演進策略，穩(wěn)扎穩(wěn)打，不斷突破。
2024-01-25 14:14:16100 該公司的首席開發(fā)官Sandeep Bharathi透露，其實施2nm相關(guān)的投資計劃已啟動。雖無法公布準(zhǔn)確的工藝和技術(shù)細(xì)節(jié)，但已明確表示，2至5nm制程的項目投入正在進行。公司專家，尤其是來自印度的專業(yè)人才，涵蓋了從數(shù)字設(shè)計到電路驗證等各個層面。
2024-01-24 10:24:26173 三網(wǎng)融合是指將電信網(wǎng)、廣播電視網(wǎng)和互聯(lián)網(wǎng)三個獨立的信息網(wǎng)絡(luò)進行整合和融合，形成統(tǒng)一的信息傳輸平臺，實現(xiàn)信息交流和資源共享的目標(biāo)。三網(wǎng)融合是信息化發(fā)展的趨勢，具有重要的意義和廣泛的影響。 三網(wǎng)融合帶來
2024-01-23 16:46:03576 逆變器如何匹配182/210硅片尺寸的超高功率組件呢？ 匹配逆變器與182/210硅片尺寸的超高功率組件是光伏發(fā)電系統(tǒng)設(shè)計的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一。逆變器是將光伏組件產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換為交流電的電子設(shè)備
2024-01-23 15:28:51196 高度潔凈的硅片是光伏電池與集成電路生產(chǎn)過程中的基本要求，其潔凈度直接影響產(chǎn)品的最終性能、效率以及穩(wěn)定性。硅片是由硅棒上切割所得，其表面的多層晶格處于被破壞的狀態(tài)，布滿了不飽和的懸掛鍵，而懸掛鍵的活性
2024-01-11 11:29:04348 
算法的溫室環(huán)境檢測研究[J].現(xiàn)代電子技術(shù),2023,46(20):178-182.DOI:10.16652/j.issn.1004-373x.2023.20.033.
2024-01-06 12:18:08
高精度網(wǎng)同步設(shè)備時頻融合平臺是一款支持IEEE1588的電信級高精度網(wǎng)同步設(shè)備/時頻融合平臺，采用數(shù)字鎖相環(huán)技術(shù)和基于FPGA（現(xiàn)場可編程邏輯門陣列）的自主守時算法，提供高精度、高可靠性的時間頻率
2024-01-04 21:42:18
.基于改進多傳感器數(shù)據(jù)融合算法的溫室環(huán)境檢測研究[J].現(xiàn)代電子技術(shù),2023,46(20):178-182.DOI:10.16652/j.issn.1004-373x.2023.20.033.[3
2023-12-26 20:59:02
這次晨控智能與某光伏大廠合作，為光伏硅片生產(chǎn)帶來透明化與可追溯性，確保光伏硅片的質(zhì)量和追溯性。
2023-12-26 13:59:37161 ，分析分布式融合存儲的場景應(yīng)用方案和技術(shù)價值， 旨在引導(dǎo)分布式融合存儲發(fā)展方向 。 20+家一線產(chǎn)、學(xué)、研、用優(yōu)質(zhì)資源單位共同參與 60+位技術(shù)專家參與編制 院士、業(yè)界專家參與指導(dǎo) 原文標(biāo)題：一圖讀懂《分布式融合存儲研究報告（2023）》 文章出處：
2023-12-21 18:05:01265 
英特爾的Intel 20A和Intel 18A工藝已經(jīng)開始流片，意味著量產(chǎn)階段已經(jīng)不遠。而2nm工藝和1.8nm工藝的先進程度無疑已經(jīng)超過了三星和臺積電的3nm工藝。
2023-12-20 17:28:52799 的FinFET結(jié)構(gòu)，我們比較容易理解晶體管尺寸縮小的原理。如下圖所示：那么從20nm開始到3nm，晶體管的結(jié)構(gòu)都是FinFET的。結(jié)構(gòu)沒有變化的條件下，晶體管尺寸
2023-12-19 16:29:01239 
請問如何通過AD2S1210的A,B和NM信號來計算轉(zhuǎn)速
2023-12-15 07:54:43
過去數(shù)十年里，芯片設(shè)計團隊始終專注于小型化。減小晶體管體積，能降低功耗并提升處理性能。如今，2nm及3nm已取代實際物理尺寸，成為描述新一代芯片的關(guān)鍵指標(biāo)。
2023-12-12 09:57:10198 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《集成電源解決方案-Altera FPGA應(yīng)用介紹.pdf》資料免費下載
2023-11-28 09:21:50
0 、土工布、硅片等各種材料的厚度精確測量。技術(shù)參數(shù)測量范圍 0~2mm(標(biāo)準(zhǔn))，0~6mm，0~12mm(可選)分 辨 率 0.1μm ( 1μm可選)測試速
2023-11-27 14:51:47
DRAM制造技術(shù)進入10nm世代（不到20nm世代）已經(jīng)過去五年了。過去五年，DRAM技術(shù)和產(chǎn)品格局發(fā)生了巨大變化。因此，本文總結(jié)和更新了DRAM的產(chǎn)品、發(fā)展和技術(shù)趨勢。
2023-11-25 14:30:15536 
首先看南韓三星電子，他們近期矢言要在2027年推出1.4納米芯片制造，超越臺積電和英特爾代工服務(wù)，也對按計劃在2025年生產(chǎn)2納米芯片充滿信心。知名電子媒體EDN報導(dǎo)，三星承諾量產(chǎn)1.4nm芯片大約需要4年時間，在此期間可能會發(fā)生很多事情。
2023-11-23 16:04:59272 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《了解并延續(xù)∑-ΔADC的安全運行.pdf》資料免費下載
2023-11-23 14:37:310 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《工業(yè)4.0：讓承諾切實可行.pdf》資料免費下載
2023-11-22 16:02:030 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《針對Altera的電源管理快速參考指南.pdf》資料免費下載
2023-11-16 11:26:380 面對美國對中國芯片行業(yè)的制約，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展戰(zhàn)略備受關(guān)注。據(jù)澎湃新聞報道，中芯國際原副總裁、俄羅斯工程院外籍院士李偉在最近的一場半導(dǎo)體行業(yè)中小企業(yè)創(chuàng)新發(fā)展論壇上表示，與其投入大量資金來突破2納米技術(shù)，或許更應(yīng)優(yōu)先發(fā)展國產(chǎn)化的20納米到90納米芯片技術(shù)。
2023-11-13 14:45:29524 
全套的西門子控制系統(tǒng)，電機也是西門子的變頻電機（非貝得，2920rpm,48nm）。
因為設(shè)備本身裝有扭矩，轉(zhuǎn)速傳感器。電機工作轉(zhuǎn)速2000轉(zhuǎn)，輸出扭矩到20nm左右時，大概有50轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)速下降。當(dāng)
2023-11-09 07:33:19
硅片是大多數(shù)芯片的載體。但是一塊硅片中卻隱藏了很多不為人知的細(xì)節(jié)，比如：硅片有哪幾種晶向？有幾種定位邊？定位邊是如何定位的？定位邊與定位槽有什么區(qū)別？等等。今天就來詳細(xì)講解一下。
2023-10-29 10:33:303747 
一、太陽能電池硅片測厚儀概述太陽能電池硅片測厚儀是一種專門用于測量太陽能電池硅片厚度的設(shè)備。在太陽能電池的生產(chǎn)過程中，硅片厚度的準(zhǔn)確測量對于提高電池效率和使用壽命具有重要意義。機械接觸式太陽能電池
2023-10-27 16:19:11
EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器
2023-10-24 15:38:16
2023年10月，在IMT-2020(5G)推進組的組織下，華為基于5G-A通感融合技術(shù)，首測微形變和海洋輪船感知監(jiān)測能力，并且驗證了無人機低空場景下的通感增強性能。 通信感知融合技術(shù)是5G-A
2023-10-23 14:59:43478 了臺積電3nm 工藝（N3B），晶體管數(shù)量達到了190 億，比前代 A16 增加了近 20%，CPU 性能提升了約
2023-10-20 12:06:23930 2nm芯片什么時候出 2nm芯片什么時候出這個問題目前沒有相關(guān)官方的報道，因此無法給出準(zhǔn)確的回答。根據(jù)網(wǎng)上的一些消息臺積電于6月16日在2022年度北美技術(shù)論壇上首次宣布，將推出下一代先進工藝制程
2023-10-19 17:06:18799 可以容納更多的晶體管在同樣的芯片面積上，從而提供更高的集成度和處理能力。此外，較小的節(jié)點尺寸還可以降低電路的功耗，提供更高的能效?？梢哉f，2nm芯片代表了制程工藝的最新進展和技術(shù)創(chuàng)新。 2nm芯片什么時候量產(chǎn) 2nm芯片什么時候量產(chǎn)這
2023-10-19 16:59:161958 Altera的FPGA內(nèi)置的乘法器為何是18位的？
2023-10-18 07:01:41
硅片視覺檢測在現(xiàn)代科技領(lǐng)域中具有重要地位，它對于確保硅片質(zhì)量的高標(biāo)準(zhǔn)起著關(guān)鍵作用。在過去的發(fā)展歷程中，從傳統(tǒng)的EL檢測到PL檢測的替代，再到PL檢測方案的引入，硅片視覺檢測的技術(shù)不斷進步與演變
2023-10-17 10:57:42
“第5次產(chǎn)業(yè)革命”——深化人與技術(shù)的融合
2023-10-16 18:15:54328 以下主題概述了Altera的外部內(nèi)存接口解決方案。
Altera提供最快、最高效、延遲最低的內(nèi)存接口IP核。Altera的外部存儲器接口IP設(shè)計用于方便地與當(dāng)今更高速的存儲器設(shè)備接口。
Altera
2023-09-26 07:38:12
由于無線傳感器網(wǎng)絡(luò)中節(jié)點的能量十分有限，因此在設(shè)計各種網(wǎng)絡(luò)協(xié)議時必須考慮節(jié)能。采用網(wǎng)內(nèi)數(shù)據(jù)處理技術(shù)是降低能耗的重要手段，而數(shù)據(jù)融合與數(shù)據(jù)路由相結(jié)合是實現(xiàn)網(wǎng)內(nèi)數(shù)據(jù)處理的重要方法l-3]。數(shù)據(jù)融合能減
2023-09-21 08:29:44
無線傳感器網(wǎng)絡(luò)(wircless sensor network， wSN)是一種無基礎(chǔ)設(shè)施的無線網(wǎng)絡(luò),最初來源于美國DARPA的研究項目，它綜合了傳感器技術(shù).嵌入式計算技術(shù)、分布式信息處理技術(shù)
2023-09-21 08:18:40
據(jù)路透社報道，蘋果已與Arm就芯片技術(shù)簽署了一項“延續(xù)至2040年以后”的新協(xié)議。Arm作為其計劃IPO的一部分提交的新文件中出現(xiàn)了一項披露，指出了這一安排。
2023-09-08 16:08:14491 LED指示燈 紅 LED_D5.9X8.6MM_TM 643nm 20nm 直插
2023-09-06 16:27:46
如何設(shè)定NM1200為48M CPU Clock
2023-09-06 07:59:15
有無NM1200 Sensorless 弦波FOC參考軟件包?
2023-09-06 06:35:16
你好，NM18101電機應(yīng)用文件包有嗎？
2023-09-05 08:03:29
NM1817NT有沒有datasheet?
2023-09-05 07:11:10
Angus，你好！我們用NM1234D設(shè)計的BLDC電流很大，持續(xù)工作電流超過70A，所以我們在母線上使用的采樣電阻很小只有0.5毫歐。我們原來的方案是在采樣旁邊加運放放大后，進
ADC，現(xiàn)在
2023-09-05 06:49:37
以下為愛立信東北亞副總裁吳立東于服貿(mào)會專題論壇——2023中國智能產(chǎn)業(yè)論壇演講實錄： 通信技術(shù)的本質(zhì)在于創(chuàng)造連接，而連接為融合打開了想象之門。 愛立信作為一家擁有140年歷史的企業(yè)，一直專注于連
2023-09-04 17:55:01295 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《大型機創(chuàng)新的堅實歷史通過存儲和網(wǎng)絡(luò)技術(shù)得以延續(xù).pdf》資料免費下載
2023-08-28 11:33:510 本文回顧了硅片視覺檢測從EL檢測向PL檢測的技術(shù)轉(zhuǎn)變，詳細(xì)介紹了兩款革命性光源的崛起，包括1050nm紅外光源和低成本PL光源。這兩款光源以其低成本和高效率的優(yōu)點，改變了硅片檢測的格局，帶來了全新的發(fā)展機遇。
2023-08-07 14:35:26445 未來，軟件定義存儲（SDS）、分布式存儲和超融合（HCI）將延續(xù)高增長勢頭，成為未來云存儲的重要發(fā)展方向。
2023-08-07 14:33:021088 
Altera FPGA_CPLD設(shè)計 高級篇
2023-08-05 18:38:20
目前三星在4nm工藝方面的良率為75%，稍低于臺積電的80%。然而，通過加強對3nm技術(shù)的發(fā)展，三星有望在未來趕超臺積電。
2023-07-19 16:37:423176 硅片，英文名字為Wafer，也叫晶圓，是高純度結(jié)晶硅的薄片。
2023-07-18 15:44:513714 
從市場形勢來看，“硅片雙寡頭”紛紛大舉調(diào)降硅片報價，也在業(yè)界意料之中。畢竟，上游多晶硅價格在5-6月份再次出現(xiàn)大幅下跌，僅6月份的跌幅就超過40%。光伏產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品價格全線下滑，硅片實際上成交均價也低于公示的報價。因此，下調(diào)報價也是情理之中的事情。
2023-07-13 16:15:55315 
面向天文觀測等領(lǐng)域?qū)Ω吖β蕟晤l 589 nm 鈉導(dǎo)星激光器的應(yīng)用需求，通過金剛石拉曼諧振及腔內(nèi)倍頻技術(shù)結(jié)合 1 018 nm 摻鐿光纖激光技術(shù)，實現(xiàn)了最高功率 16.5 W 的連續(xù)波單頻 589
2023-07-13 09:40:52606 
IP_數(shù)據(jù)表(I-20):FPD-Link Transmitter for TSMC 28nm HPC
2023-07-06 20:18:392 NM1330為何沒有資料也沒介紹?
2023-06-28 06:01:43
太陽能硅片又稱為“太陽能芯片”或“光電池”，是一種利用太陽光直接發(fā)電的光電半導(dǎo)體薄片。它只要被光照到，瞬間就可輸出電壓及在有回路的情況下產(chǎn)生電流。
硅片就是大塊兒硅切割成片子太陽能電池片，一般主流的就是硅片做成晶硅太陽能電池片，一般有N型硅片P型硅片。太陽能硅片中的N型和P型有以下區(qū)別：
2023-06-20 16:59:448120 網(wǎng)站上沒有NM1320的資料和頭文件
2023-06-15 10:02:55
跪求新唐NM1200和NM1330詳細(xì)的數(shù)據(jù)手冊
2023-06-15 08:57:31
Novator系列高端影像儀融合閃測技術(shù)，軟件新增的飛拍功能改變影像儀傳統(tǒng)運行方式，提升5~10倍效率。
2023-06-13 17:02:20403 
隨著數(shù)字服務(wù)對于每家公司的運營方式變得越來越重要，并且網(wǎng)絡(luò)的復(fù)雜性和蔓延性不斷增加，許多公司正在轉(zhuǎn)向新技術(shù)工具以重新控制其基礎(chǔ)設(shè)施。目前最受歡迎的解決方案之一是超融合架構(gòu)(HCI)。 超融合架構(gòu)
2023-06-12 17:25:31861 室內(nèi)外融合人員定位是一項先進的技術(shù)，它能夠準(zhǔn)確地確定人員在室內(nèi)和室外的位置。在過去，室內(nèi)定位技術(shù)和室外定位技術(shù)是分別獨立開發(fā)的，它們在特定環(huán)境中具有一定的優(yōu)勢，但無法實現(xiàn)全面的人員定位。然而，隨著室內(nèi)外融合人員定位技術(shù)的出現(xiàn)，這一問題得到了有效解決。
2023-06-05 18:11:411199 mm9z1J638的wafer有多少nm？
2023-05-31 07:34:37
Spartan-7依然延續(xù)了28nm工藝，更加鞏固了Xilinx在28nm的領(lǐng)導(dǎo)地位
2023-05-30 09:02:161651 
PCA2129的wafer有多少nm？
2023-05-29 08:50:39
SPC5644的wafer有多少nm？
2023-05-25 08:46:07
S9S12G128的wafer有多少nm？
2023-05-24 07:38:27
藍牙北斗融合定位是一種新型的定位技術(shù)，它將藍牙技術(shù)和北斗衛(wèi)星技術(shù)有機地結(jié)合起來，實現(xiàn)了高精度定位。藍牙北斗融合定位技術(shù)可以廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域。本文將從以下幾個方面介紹藍牙北斗融合定位技術(shù)的原理、應(yīng)用和發(fā)展趨勢。
2023-05-22 18:13:101575 硅片是一種薄而平整的硅材料，通常以6英寸、8英寸、12英寸等規(guī)格制造而成。
2023-05-18 10:33:472134 
在硅基光伏產(chǎn)業(yè)鏈中，硅晶片的制造是最基本的步驟。金剛石切片是主要的硅片切片技術(shù)，采用高速線性摩擦將硅切割成薄片。在硅片切片過程中，由于金剛石線和硅片的反復(fù)摩擦，硅片表面發(fā)生了大量的脆性損傷和塑性損傷。
2023-05-15 10:49:38488 
硅片切割作為硅片加工工藝過程中最關(guān)鍵的工藝點， 其加工質(zhì)量直接影響整個生產(chǎn)全局及后續(xù)電池片工藝制備。 圖1-硅片切割示意圖 圖2-硅片樣品圖 目前各類硅片平均厚度為 75μm~140
2023-05-11 18:58:02862 
1064nm四象限硅光電二極管
TO金屬封裝（TO8S、TO8Si 、TO1032i、TO1081i ）
四象限光電二極管是分立元器件，由小間隙隔開四個有效探測區(qū)域組成。
該系列光電二極管可用于諸多
2023-05-09 17:10:53
808nm 激光二極管 TO56封裝 500mW
XL-808TO56-ZSP-500 、XL-TO18-785-120、XL-9402TO5-ZS-1W、XL-505TO56-ZSP-100
2023-05-09 11:23:07
。全力支持產(chǎn)教融合的落地與應(yīng)用，通過校企合作，通力協(xié)作促進集成電路產(chǎn)業(yè)探索出人才培養(yǎng)和技術(shù)創(chuàng)新的新途徑。
上海復(fù)旦微電子集團副總經(jīng)理沈磊、芯和半導(dǎo)體聯(lián)合創(chuàng)始人&副總裁代文亮、芯
2023-04-28 17:48:10
光刻技術(shù)簡單來講，就是將掩膜版圖形曝光至硅片的過程，是大規(guī)模集成電路的基礎(chǔ)。目前市場上主流技術(shù)是193nm沉浸式光刻技術(shù)，CPU所謂30nm工藝或者22nm工藝指的就是采用該技術(shù)獲得的電路尺寸。
2023-04-25 11:02:322261 
，集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展要以政府引導(dǎo)、市場導(dǎo)向、企業(yè)主體，產(chǎn)學(xué)研融合的?式推進半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，加強核?技術(shù)創(chuàng)新，提升產(chǎn)業(yè)鏈價值，實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)?質(zhì)量發(fā)展。集成電路?業(yè)作為資?密集型、?才密集型、技術(shù)密集型的?新技術(shù)
2023-04-21 10:53:50
僅供參考，我正在使用 imx6q 板并實施安全啟動 HAB 并測試了手冊融合公鑰 SRK_1_2_3=_4_fuse.bin 這工作正常嗎，但我想在 UUU 腳本中使用自動融合。我已經(jīng)在
2023-04-18 11:49:29
臺積電的16nm有多個版本，包括16nm FinFET、16nm FinFET Plus技術(shù)（16FF +）和16nm FinFET Compact技術(shù)（16FFC）。
2023-04-14 10:58:15636 搞定2nm工藝需要至少3方面的突破，一個是技術(shù)，一個是資金，一個是市場，在技術(shù)上日本是指望跟美國的IBM公司合作，后者前兩年就演示過2nm工藝，但IBM的2nm工藝還停留在實驗室級別，距離量產(chǎn)要很遠。
2023-04-14 10:24:55507 的控制顯得十分重要。下面工采網(wǎng)小編和大家一起看看半導(dǎo)體設(shè)備硅片承載區(qū)域氧含量控制方法及控制技術(shù)應(yīng)用方案。 硅片在傳輸過程中、升降舟（進出反應(yīng)室）前后過程中，向晶圓傳送盒傳送時，是在相對密封的硅片承載區(qū)域進行
2023-03-29 11:48:39453
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