目前主流的基于浮柵閃存技術(shù)的非易失性存儲(chǔ)器（NVM）技術(shù)有望成為未來(lái)幾年的參考技術(shù)。但是，閃存本身固有的技術(shù)和物理局限性使其很難再縮小技術(shù)節(jié)點(diǎn)。在這種環(huán)境下，業(yè)界試圖利用新材料和新概念發(fā)明一種更好
2017-12-18 10:02:21
4925 
存儲(chǔ)器(Volatile memory)。于是，存儲(chǔ)器從大類來(lái)分，可以分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器。后來(lái)出現(xiàn)的Flash Memory(快閃存儲(chǔ)，簡(jiǎn)稱閃存)，掉電后數(shù)據(jù)也不容易丟失，所以也屬于
2012-01-06 22:58:43
存儲(chǔ)器，儲(chǔ)存能夠保存更大的數(shù)據(jù)量，每位元組的成本也更低。一般來(lái)說(shuō)，儲(chǔ)存的成本大約比存儲(chǔ)器更低20倍?！ 〔煌?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器的是，儲(chǔ)存裝置還可以進(jìn)一步分類為線上或離線。圖1顯示存儲(chǔ)器與儲(chǔ)存的主要特性
2017-07-20 15:18:57
存儲(chǔ)器映射是什么意思？其映射過(guò)程是怎樣的？
2022-01-21 07:39:51
-----ROM Read Only Memory，顧名思義，它是一種只能讀出事先所存的數(shù)據(jù)的固態(tài)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。ROM中所存數(shù)據(jù)穩(wěn)定，一旦存儲(chǔ)數(shù)據(jù)就再也無(wú)法將之改變或者刪除，斷電后所存數(shù)據(jù)也不會(huì)消失
2021-12-10 06:34:11
存儲(chǔ)器的分類存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)，從不同的角度對(duì)存儲(chǔ)器可以做不同的分類。1、按存儲(chǔ)介質(zhì)分半導(dǎo)體存儲(chǔ)器（又稱易失性存儲(chǔ)器）：體積小，功耗低，存取時(shí)間短，電源消失的時(shí)候，所存的信息也隨之消失。磁表面存儲(chǔ)器（...
2021-07-26 08:30:22
： 這種存儲(chǔ)器的特點(diǎn)是：從原理上看，它們屬于ROM型存儲(chǔ)器，從功能上看，它們又可以隨時(shí)改寫信息，作用又相當(dāng)于RAM。所以，ROM、RAM的定義和劃分已逐漸的失去意義?！ ?、快擦寫存儲(chǔ)器（FLASH
2017-10-24 14:31:49
： 這種存儲(chǔ)器的特點(diǎn)是：從原理上看，它們屬于ROM型存儲(chǔ)器，從功能上看，它們又可以隨時(shí)改寫信息，作用又相當(dāng)于RAM。所以，ROM、RAM的定義和劃分已逐漸的失去意義?！ ?、快擦寫存儲(chǔ)器（FLASH
2017-12-21 17:10:53
問(wèn)題一：位圖都存儲(chǔ)在哪了？都在程序存儲(chǔ)器里嗎問(wèn)題二：能不能將位圖存儲(chǔ)到外部?jī)?nèi)存中？問(wèn)題三：F429的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器有多大？
2020-05-20 04:37:13
概念理解：FLASH存儲(chǔ)器又成為閃存，它與EEPROM都是掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲(chǔ)器，但是FLASH得存儲(chǔ)容量都普遍的大于EEPROM，，在存儲(chǔ)控制上，最主要的區(qū)別是FLASH芯片只能一大片一大片
2022-03-02 07:20:19
存儲(chǔ)器相同的通道進(jìn)行訪問(wèn)，從而較之前的架構(gòu)實(shí)現(xiàn)了顯著的增強(qiáng)。該通道的寬度是之前器件的兩倍，而速度則為一半，從而大幅降低了到達(dá)外部 DDR3 存儲(chǔ)器控制器（通過(guò) XMC 和 MSMC）的時(shí)延。在此
2011-08-13 15:45:42
的擦除操作，而且寫人時(shí)間也比閃存少幾個(gè)數(shù)量級(jí)。即使是與現(xiàn)有存儲(chǔ)器中性能較高的DRAM(讀取1寫入時(shí)間為30ns~
2022-02-11 07:23:03
的擦除操作，而且寫人時(shí)間也比閃存少幾個(gè)數(shù)量級(jí)。即使是與現(xiàn)有存儲(chǔ)器中性能較高的DRAM(讀取1寫入時(shí)間為30ns~50ns)相比，自旋注入MRAM的高性能仍然很突出。此外可擦寫次數(shù)超過(guò)1015次,和DRAM
2023-04-07 16:41:05
大家好，我用的是PIC18LF420控制器。我需要知道任何ESD/EMI是否會(huì)損壞閃存或ERAM存儲(chǔ)器。也就是說(shuō)，在控制器工作期間，可以改變配置字。謝謝。 以上來(lái)自于百度翻譯 以下為原文
2018-11-07 15:37:41
當(dāng)系統(tǒng)運(yùn)行了一個(gè)嵌入式實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)時(shí)（RTOS），操作系統(tǒng)通常都是使用非易失的
存儲(chǔ)器來(lái)運(yùn)行軟件以及采集數(shù)據(jù)。
存儲(chǔ)器的選擇面很廣闊，其中包括電池供電的SRAM（靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)儲(chǔ)存
器），各種各樣的
閃存以及串口EEPROM（電可擦的，可編程的只讀
存儲(chǔ)器）?！ ?/div>
2019-06-28 08:29:29
控制信號(hào)有些不同的地方。 深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機(jī)記憶體產(chǎn)品及方案提供商，十年來(lái)專業(yè)致力代理分銷存儲(chǔ)器芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM
2017-06-02 10:45:40
系統(tǒng)架構(gòu)
? 多層AHB總線矩陣
? 存儲(chǔ)空間
? 存儲(chǔ)器映射
? 片上SRAM
? 位帶操作
? 片上閃存
? 自適應(yīng)閃存加速器（STM32F2新增）
? 啟動(dòng)模式
? 代碼空間的動(dòng)態(tài)重映射（STM32F2新增）
? 內(nèi)嵌bootloader
2023-09-13 06:20:58
STM32 F7 概述? STM32總線架構(gòu)和存儲(chǔ)器映射? 總線架構(gòu)? 存儲(chǔ)器映射? Cache? STM32F7性能? Boot模式? 片上閃存(Flash)? 系統(tǒng)配置控制器(SYSCFG)? 復(fù)位和時(shí)鐘控制(RCC)? 電源管理(PWR)
2023-09-08 06:53:32
為什么有的電子設(shè)備用eMMC存儲(chǔ)器 ？而有的用DDR存儲(chǔ)器呢？這兩者有什么區(qū)別嗎？
2021-06-18 06:13:25
題目是一個(gè)停車場(chǎng)計(jì)時(shí)系統(tǒng)，用74系列之類的芯片。我們用6116存儲(chǔ)器來(lái)存地址信號(hào)，通過(guò)刷卡產(chǎn)生脈沖，經(jīng)過(guò)延時(shí)出現(xiàn)兩個(gè)相鄰的脈沖分別代表讀和寫信號(hào)，用來(lái)讀取存儲(chǔ)器中對(duì)應(yīng)車的狀態(tài)（在不在車庫(kù)內(nèi)），再將
2016-07-23 00:01:59
的一種常見方法。寫入并非寫入相同的閃存位置，而是均勻地分布在整個(gè)閃存半導(dǎo)體存儲(chǔ)器陣列上，確保寫入內(nèi)容在閃存矩陣中均勻分布。通過(guò)磨損均衡，當(dāng)微控制器寫入物理存儲(chǔ)器中的單個(gè)位置時(shí)，閃存控制器可以將該
2019-07-30 11:19:18
啟動(dòng)模式講完了，我們知道是主閃存存儲(chǔ)器啟動(dòng)的。主閃存存儲(chǔ)器被映射到啟動(dòng)空間(0x0000 0000)，但仍然能夠在它原有的地址(0x0800 0000)訪問(wèn)它。 接下來(lái)，再看一下它的啟動(dòng)流程是怎樣
2021-08-20 07:29:53
什么是EEPROM存儲(chǔ)器？
2021-11-01 07:24:44
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是指通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲(chǔ)保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。與磁盤和光盤裝置等相比，具有數(shù)據(jù)讀寫快存儲(chǔ)密度高耗電量少耐震等特點(diǎn)。關(guān)閉電源后存儲(chǔ)內(nèi)容會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱作易失
2019-04-21 22:57:08
作者：李建勛 樊曉光 禚真福來(lái)源：什么是基于閃存平臺(tái)的存儲(chǔ)管理策略？在嵌入式系統(tǒng)中，由于閃存成本低、容量大、非易失、訪問(wèn)速度高和機(jī)械故障少的優(yōu)勢(shì)已逐漸成為最流行的存儲(chǔ)大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器。然而，閃存常見
2019-07-31 08:17:49
V3的全閃存方案，在大于1000桌面以上就有超過(guò)30%的成本優(yōu)勢(shì)。 ?。?運(yùn)維效率高 典型2000個(gè)桌面部署速度相對(duì)傳統(tǒng)存儲(chǔ)提升2倍（20小時(shí)縮減為8小時(shí)），啟動(dòng)風(fēng)暴時(shí)間縮減75%（60分鐘
2018-11-29 11:41:44
中寫入數(shù)據(jù)或要從存儲(chǔ)器中讀出數(shù)據(jù)再讓開關(guān)切換到相應(yīng)的位置就行了這組開關(guān) 由三根引線選擇讀控制端寫控制端和片選端要將數(shù)據(jù)寫入先由控制器選中該片然后發(fā)出相應(yīng)的寫信號(hào)開關(guān)切換到相應(yīng)的位置并將傳過(guò)來(lái)的數(shù)據(jù)電荷
2012-03-07 15:38:33
?！ ?、硬盤存儲(chǔ)器 信息可以長(zhǎng)期保存，可以讀寫，容量大，但是不方便攜帶。 3、移動(dòng)存儲(chǔ)器 主要包括閃存盤（優(yōu)盤）、移動(dòng)硬盤、固態(tài)硬盤（SSD）。 4、閃存盤（優(yōu)盤） 采用Flash存儲(chǔ)器（閃存
2019-06-05 23:54:02
?。?）雙極型存儲(chǔ)器特點(diǎn)：運(yùn)算速度比磁芯存儲(chǔ)器速度約快 3個(gè)數(shù)量級(jí)，而且與雙極型邏輯電路型式相同，使接口大為簡(jiǎn)化。 ?。?）MOS晶體管存儲(chǔ)器特點(diǎn)：集成度高、容量大、體積小、存取速度快、功耗低
2020-12-25 14:50:34
據(jù)新華社7月2日?qǐng)?bào)道，相變存儲(chǔ)器，具有功耗低、寫入速度快、斷電后保存數(shù)據(jù)不丟失等優(yōu)點(diǎn)，被業(yè)界稱為下一代存儲(chǔ)技術(shù)的最佳解決方案之一。記者近日從中科院上海微系統(tǒng)所獲悉，由該所研發(fā)的國(guó)際領(lǐng)先的嵌入式相變存儲(chǔ)器現(xiàn)已成功應(yīng)用在打印機(jī)領(lǐng)域，并實(shí)現(xiàn)千萬(wàn)量級(jí)市場(chǎng)化銷售，未來(lái)中國(guó)在該領(lǐng)域有望實(shí)現(xiàn)“彎道超車”。
2019-07-16 06:44:43
1. 嵌入式的外部存儲(chǔ)器嵌入式系統(tǒng)中，外部的存儲(chǔ)器一般是Nand flash和Nor flash，都稱為非易失存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器的物理構(gòu)成包含頁(yè)內(nèi)地址，頁(yè)（Page），塊（Block）?？梢缘贸?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器
2021-12-10 08:26:49
你好，我在應(yīng)用中使用了PIC24FJ128GC06。我想用一頁(yè)的閃存（512字，1536字節(jié)）作為非易失性存儲(chǔ)區(qū)來(lái)存儲(chǔ)設(shè)置、配置和校準(zhǔn)數(shù)據(jù)。我知道如何使用TBLPTRS讀取和寫入訪問(wèn)內(nèi)存，以及
2018-10-19 16:08:12
大家好， 我的項(xiàng)目有一個(gè)閃存，用于將Xilinx FPGA配置為SPI模式。同時(shí)，我想將閃存用作內(nèi)存。這意味著閃存有兩個(gè)功能：配置FPGA和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。那么，我該怎么辦呢？閃存中的配置引腳是否用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器引腳？謝謝。最好的祝福。
2020-06-08 12:20:31
如何利用Xilinx FPGA和存儲(chǔ)器接口生成器簡(jiǎn)化存儲(chǔ)器接口？
2021-05-06 07:23:59
如何實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)？
2021-10-28 08:08:51
哪些地址用于我的EEPROM存儲(chǔ)器，這樣我就可以在這些字節(jié)上排除閃存保護(hù)？ 以上來(lái)自于百度翻譯 以下為原文I am about to complete a Creator project
2019-06-18 09:14:56
，復(fù)位后FPGA將通過(guò)這個(gè)PROM啟動(dòng)。但是在我未來(lái)的項(xiàng)目中，只有JTAG連接可用。因此，我想知道是否可以通過(guò)JTAG和軟件IMPACT用位文件刷新這個(gè)外部PROM。有沒有可用的通用指南如何通過(guò)JTAG和IMPACT（或任何其他工具）閃存任何隨機(jī)并行存儲(chǔ)器？感謝你的付出最好的祝福mitch89
2019-09-18 10:35:14
較之閃存/EEPROM 具有哪些主要優(yōu)勢(shì)？ 1) 速度。 FRAM 具有快速寫入的特性。 寫入到 FRAM 存儲(chǔ)器單元的實(shí)際時(shí)間小于50ns，這超越了所有其他存儲(chǔ)器的類似操作。 這大約比 EEPROM
2018-08-20 09:11:18
影響存儲(chǔ)器訪問(wèn)性能的因素有哪些？DSP核訪問(wèn)內(nèi)部存儲(chǔ)器和外部DDR存儲(chǔ)器的時(shí)延有什么不同？
2021-04-19 08:32:10
STM32的存儲(chǔ)器由哪些組成？怎樣去啟動(dòng)STM32存儲(chǔ)器？
2021-09-24 07:03:23
我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲(chǔ)器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲(chǔ)器，如果可能，我們?nèi)绾问褂?。?qǐng)指導(dǎo)我們實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50
存儲(chǔ)器可分為哪幾類？存儲(chǔ)器有哪些特點(diǎn)？存儲(chǔ)器有哪些功能？
2021-10-20 06:46:21
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別？特點(diǎn)？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
求助：數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器6116和程序存儲(chǔ)器2817怎么搜，在altium designer。貌似不太會(huì)用搜索功能。我總是搜不出來(lái)不知道為什么，求解答。單片機(jī)存儲(chǔ)電路里的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器6116和程序存儲(chǔ)器
2014-07-22 23:10:03
切換期間存儲(chǔ)信息。非易失性存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)可執(zhí)行代碼或常量數(shù)據(jù)、校準(zhǔn)數(shù)據(jù)、安全性能和防護(hù)安全相關(guān)信息等重要數(shù)據(jù)，以作將來(lái)檢索用途。目前市場(chǎng)上主要包含這幾種不同類型的非易失性存儲(chǔ)器，如NOR 閃存
2019-07-23 06:15:10
我用的labview幫助中的計(jì)數(shù)器輸入案例vi來(lái)采集頻率的，但是采集的頻率比正常大百倍，并且變化幅度也較大，求大佬解答
2021-05-08 13:17:06
方便移動(dòng)設(shè)備應(yīng)用.存儲(chǔ)器系統(tǒng)設(shè)計(jì)必須支持增長(zhǎng)的帶寬需求及更少的功耗.非易失性固態(tài)存儲(chǔ)器與傳統(tǒng)的NOR閃存相比，被證實(shí)可以減少功耗。存儲(chǔ)器子系統(tǒng)架構(gòu)存儲(chǔ)器子系統(tǒng)架構(gòu)是嵌入式設(shè)計(jì)者面臨的主要挑戰(zhàn).存儲(chǔ)器參數(shù)
2018-05-17 09:45:35
單片機(jī)中數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器片內(nèi)的地址是00--7FH，程序存儲(chǔ)器的片內(nèi)地址是0000H--0FFFH，請(qǐng)問(wèn)這兩部分是不是有重疊？請(qǐng)具體詳解！~{:1:}
2013-01-15 09:01:22
計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器分為兩大類：內(nèi)存存儲(chǔ)器和外部存儲(chǔ)器（簡(jiǎn)稱內(nèi)存或內(nèi)存條和外存）。內(nèi)存:是暫時(shí)存儲(chǔ)進(jìn)程以及數(shù)據(jù)的地方，又稱主存，是CPU能直接尋址的存儲(chǔ)空間，由半導(dǎo)體器件制成。特點(diǎn)是內(nèi)存容量小，存取速度快
2021-07-22 09:48:45
PIC24設(shè)備，它不能像某些PIC32那樣跳轉(zhuǎn)到數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器（RAM）開始從那里執(zhí)行。具有擴(kuò)展程序存儲(chǔ)器接口，所以我們可以把功能代碼轉(zhuǎn)移到擴(kuò)展存儲(chǔ)器，然后跳轉(zhuǎn)到PC，這個(gè)選項(xiàng)在PIC24設(shè)備中不可用。然而
2020-03-09 08:46:16
和閃存）結(jié)合起來(lái)。鐵電存儲(chǔ)器是一種特殊工藝的非易失性的存儲(chǔ)器，是采用人工合成的鉛鋯鈦(PZT) 材料形成存儲(chǔ)器結(jié)晶體。 FRAM的結(jié)構(gòu)FRAM記憶元件使用了鐵電膜（Ferroelectric film
2020-05-07 15:56:37
。正如你所猜想的一樣，被稱為只讀存儲(chǔ)器的東西肯定不容易進(jìn)行寫入操作，而事實(shí)上是根本不能寫入。所有由ROM技術(shù)研發(fā)出的存儲(chǔ)器則都具有寫入信息困難的特點(diǎn)。這些技術(shù)包括有EPROM(幾乎已經(jīng)廢止
2011-11-19 11:53:09
。正如你所猜想的一樣，被稱為只讀存儲(chǔ)器的東西肯定不容易進(jìn)行寫入操作，而事實(shí)上是根本不能寫入。所有由ROM技術(shù)研發(fā)出的存儲(chǔ)器則都具有寫入信息困難的特點(diǎn)。這些技術(shù)包括有EPROM(幾乎已經(jīng)廢止
2011-11-21 10:49:57
集成鐵電存儲(chǔ)器的MCU，由于在MCU上集成了鐵電存儲(chǔ)器，該產(chǎn)品數(shù)據(jù)寫入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它還可在所有的電源模式中提供數(shù)據(jù)保存功能、支持超過(guò)100萬(wàn)億次
2021-11-10 08:28:08
存儲(chǔ)設(shè)備，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無(wú)需持續(xù)供電，即使關(guān)閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
S25FS128SDSNFI100，MirrorBit?閃存非易失性存儲(chǔ)器 1.8 V帶CMOS I/O的單電源 具有多I/O的串行外圍接口
2023-02-07 14:23:17
摘 要： 本文簡(jiǎn)單介紹了鐵電存儲(chǔ)器、磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器和相變存儲(chǔ)器這三種比較有發(fā)展?jié)摿?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器的原理、研究進(jìn)展及存在的問(wèn)題等。引言 更高密度、更大帶寬、更
2006-03-24 13:32:182411 
旺宏電子推出全球首顆256Mbit序列快閃存儲(chǔ)器
全球最大的序列式快閃存儲(chǔ)器(Serial Flash)生產(chǎn)制造公司宣布，領(lǐng)先業(yè)界推出全球第一顆256Mbit序列快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)品─MX25L25635E
2009-11-02 15:30:01677 相變存儲(chǔ)器：能實(shí)現(xiàn)全新存儲(chǔ)器使用模型的新型存儲(chǔ)器
從下面的幾個(gè)重要特性看，相變存儲(chǔ)器（PCM）技術(shù)均符合當(dāng)前電子系統(tǒng)對(duì)存儲(chǔ)器子系統(tǒng)的需求：
容量
2009-12-31 10:09:301115 高性能20納米級(jí)NAND閃存存儲(chǔ)器
SAMSUNG電子有限公司推出業(yè)界首個(gè)20納米級(jí)(nm) NAND芯片，用于安全數(shù)字(SD)存儲(chǔ)器卡和嵌入式存儲(chǔ)解決方案中。32
2010-05-17 12:15:021091 英國(guó)研究人員最近報(bào)告說(shuō)，他們研發(fā)出一種基于“電阻性記憶體”的新型存儲(chǔ)設(shè)備，與現(xiàn)在廣泛使用的閃存相比，耗電量更低，而存取速度要快上一百倍。
2012-05-21 08:45:53468 英國(guó)研究人員最近報(bào)告說(shuō)，他們研發(fā)出一種基于“電阻性記憶體”的新型存儲(chǔ)設(shè)備，與現(xiàn)在廣泛使用的閃存相比，耗電量更低，而存取速度要快上一百倍。電阻性記憶體的基礎(chǔ)是憶阻材
2012-05-21 10:49:43626 FLASH存儲(chǔ)器又稱閃存 ，是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存
2017-10-11 14:11:3722155 FLASH存儲(chǔ)器（也就是閃存）就 是非易失隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器（NVRAM），特點(diǎn)是斷電后數(shù)據(jù)不消失，因此可以作為外部存儲(chǔ)器使用。而所謂的內(nèi)存是揮發(fā)性存儲(chǔ)器，分為DRAM和SRAM兩大類，其中常說(shuō)的內(nèi)存
2017-10-11 14:39:468295 閃存存儲(chǔ)器是寄存器嗎？ 很明顯不是 ，一個(gè)屬于儲(chǔ)存器，一個(gè)是寄存器。那么寄存器和存儲(chǔ)器有什么區(qū)別呢？ 1、從范圍來(lái)看 寄存器在CPU的內(nèi)部，它的訪問(wèn)速度快，但容量?。?086微處理器只有14個(gè)16
2017-10-11 17:12:2111741 存儲(chǔ)器芯片價(jià)格還在上漲的同時(shí)，質(zhì)量就決定勝負(fù)的重要關(guān)鍵，對(duì)旺宏而言，2017年的業(yè)績(jī)大幅成長(zhǎng)，完整產(chǎn)品組合，提供一站式的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器專業(yè)供應(yīng)商低容量快閃存儲(chǔ)器重現(xiàn)商機(jī)。
2017-12-18 13:09:16990 速率的8 I/O高功能OctaFlash Serial NOR快閃存儲(chǔ)器系列產(chǎn)品，資料傳輸速度更一舉突破250MHz而拔得頭籌。
2018-01-02 10:06:391443 旺宏昨日召開財(cái)報(bào)會(huì)表示，2017年在NOR型快閃存儲(chǔ)器的市占率約30%，為全球霸主。另外，小于75納米制程產(chǎn)品占2017年第四季NOR營(yíng)收60%，旺宏并預(yù)計(jì)NOR型快閃存儲(chǔ)器2018年成長(zhǎng)動(dòng)力將來(lái)
2018-02-01 05:34:011107 
現(xiàn)代快閃存儲(chǔ)器控制器中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進(jìn)步，能夠克服快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存介質(zhì)固有的弱點(diǎn)，并幫助發(fā)揮出快閃存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。對(duì)于現(xiàn)代快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器系統(tǒng)而言，控制器的選擇比快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器本身更加重要，借由選擇合適的快閃存儲(chǔ)器控制器進(jìn)行應(yīng)用，可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-07 09:45:021255 代快閃存儲(chǔ)器控制器中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進(jìn)步，能夠克服快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存介質(zhì)固有的弱點(diǎn)，并幫助發(fā)揮出快閃存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。對(duì)于現(xiàn)代快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器系統(tǒng)而言，控制器的選擇比快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器本身更加重要，借由選擇合適的快閃存儲(chǔ)器控制器進(jìn)行應(yīng)用，可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-12 09:14:001396 的修改，您可以在引導(dǎo)閃存中存放例程和常量數(shù)據(jù)；這樣就擴(kuò)展了PlC32 MCU的程序存儲(chǔ)器。例如，帶有128 KB閃存的器件實(shí)際上有140 KB可用。使用引導(dǎo)閃存沒有任何不利，因?yàn)樗挥诳筛咚倬彺娴?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器中。 本文檔說(shuō)明如何把一半引導(dǎo)閃存劃撥給應(yīng)用代
2018-04-20 14:28:34
3 日前，東芝（TOSHIBA）、西數(shù)（WD）等存儲(chǔ)器大廠分別宣布推出 96 層堆棧的 QLC 快閃存儲(chǔ)器，核心容量可達(dá) 1.33TB，單一模塊就可做到 2.66TB 容量。不過(guò)因 QLC 快閃存儲(chǔ)器
2018-07-26 18:01:002026 閃存存儲(chǔ)持續(xù)走強(qiáng)的推動(dòng)下，閃存存儲(chǔ)廠商將會(huì)獲得快速的發(fā)展。這也會(huì)推動(dòng)閃存存儲(chǔ)技術(shù)的研發(fā)與創(chuàng)新，迸發(fā)出驚人的潛力，甚至在不遠(yuǎn)的將來(lái)引領(lǐng)世界閃存存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展。本屆GSS18全球閃存峰會(huì)上匯聚了浪潮
2018-07-20 15:51:484154 盡管ㄧ些新存儲(chǔ)器技術(shù)已經(jīng)研發(fā)出來(lái)，但在這競(jìng)爭(zhēng)激烈的市場(chǎng)，只有極少數(shù)能夠成功。 圖1是ㄧ些新存儲(chǔ)器技術(shù)的列表。然而，無(wú)論哪一個(gè)技術(shù)勝出，這些新型非易失性技術(shù)系統(tǒng)的功耗肯定會(huì)低于現(xiàn)有的嵌入式 NOR 閃存和 SRAM，或是，離散 的 DRAM 和 NAND 閃存的系統(tǒng)。
2018-12-24 11:04:3410846 
業(yè)界普遍認(rèn)為未來(lái)從數(shù)據(jù)中將能挖掘出最大的價(jià)值，但要挖掘數(shù)據(jù)的價(jià)值除了需要很強(qiáng)的計(jì)算能力之外，數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)也非常關(guān)鍵。目前，新型存儲(chǔ)器也是領(lǐng)先的企業(yè)非常關(guān)注的一個(gè)方向，蘭開斯特大學(xué)（Lancaster University）的研究人員最近發(fā)表論文稱其研究的新型存儲(chǔ)器可以兼具穩(wěn)定、高速、超低功耗的優(yōu)點(diǎn)。
2019-06-25 09:16:232881 英國(guó)蘭卡斯特大學(xué)（Lancaster University )的科學(xué)家發(fā)明了一種可以解決數(shù)字技術(shù)能源危機(jī)的
新型計(jì)算機(jī)
存儲(chǔ)器并獲得了專利。在科學(xué)報(bào)告中發(fā)表的研究報(bào)告中描述了這種電子
存儲(chǔ)設(shè)備，據(jù)說(shuō)它將以超低的能耗改變?nèi)粘Ｉ睢?/div>
2019-09-03 16:19:30456 快閃存儲(chǔ)器的編程時(shí)間有時(shí)會(huì)很長(zhǎng)（對(duì)于大的存儲(chǔ)器或存儲(chǔ)器組可達(dá)1分鐘）。因此，此時(shí)不容許有其它元件的逆驅(qū)動(dòng)，否則快閃存儲(chǔ)器可能會(huì)受到損害。
2019-09-13 12:44:00720 浙江大學(xué)信息與電子工程學(xué)院趙毅教授課題組研發(fā)出一種低成本、低功耗的新型存儲(chǔ)器。這項(xiàng)基于可工業(yè)化生產(chǎn)的半導(dǎo)體集成電路制造工藝的工作，將大幅提高數(shù)據(jù)交換速度，降低網(wǎng)絡(luò)芯片的制造成本，進(jìn)而從理論上為“萬(wàn)物互聯(lián)”打下基礎(chǔ)。
2019-09-20 11:14:32615 業(yè)內(nèi)研究人員表示，中國(guó)目前有三家廠商正在建設(shè)的閃存與存儲(chǔ)器工廠，旨在確保自身能夠在NAND與DRAM方面實(shí)現(xiàn)自給自足。
2019-09-20 16:53:011653 人們需要了解閃存存儲(chǔ)器和固態(tài)硬盤（SSD）正在徹底改變當(dāng)今IT基礎(chǔ)設(shè)施的原因，因?yàn)檫@些超級(jí)快速存儲(chǔ)的設(shè)備可以支持高端應(yīng)用和高性能存儲(chǔ)層。
2019-12-05 09:38:452880 英國(guó)蘭卡斯特大學(xué)（Lancaster University ）的科學(xué)家發(fā)明了一種可以解決數(shù)字技術(shù)能源危機(jī)的
新型計(jì)算機(jī)
存儲(chǔ)器并獲得了專利。在科學(xué)報(bào)告中發(fā)表的研究報(bào)告中描述了這種電子
存儲(chǔ)設(shè)備，據(jù)說(shuō)它將以超低的能耗改變?nèi)粘Ｉ睢?/div>
2019-12-06 11:37:31565 多年來(lái)，存儲(chǔ)器制造商一直試圖在單個(gè)封裝中集成動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（RAM）和閃存（NAND）的共同優(yōu)勢(shì)，但一直收效甚微。
2020-01-17 15:00:24603 目前新型存儲(chǔ)器上受到廣泛關(guān)注的新型存儲(chǔ)器主要有相變存儲(chǔ)器(PCM)，其中有以英特爾與美光聯(lián)合研發(fā)的3D Xpoint為代表;MRAM以美國(guó)Everspin公司推出的STT-MRAM為代表;阻變存儲(chǔ)器
2020-04-25 11:05:572584 
在筆者看來(lái)，市場(chǎng)對(duì)新興存儲(chǔ)器并不友善，盡管人們?nèi)匀幌Ｍ鎯?nèi)計(jì)算（copute in memory）能夠重振基于電阻、相變和其他特性的新型存儲(chǔ)器。
2023-02-14 11:33:401484 
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2023-04-19 17:45:462548 近日，三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲(chǔ)器，這一創(chuàng)新技術(shù)具有高帶寬和低功耗的特性，有望引領(lǐng)未來(lái)內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展。
2024-01-12 14:42:03282 已全部加載完成
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論