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多晶硅價格還將緩慢下行

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2023-06-08 09:01:57860

晶片濕法刻蝕方法

硅的堿性刻蝕液:氫氧化鉀、氫氧化氨或四甲基羥胺(TMAH)溶液,晶片加工中,會用到強堿作表面腐蝕或減薄,器件生產(chǎn)中,則傾向于弱堿,如SC1清洗晶片或多晶硅表面顆粒,一部分機理是SC1中的NH4OH
2023-06-05 15:10:011596

【周評】組件大幅走跌,光伏市場價格混戰(zhàn)!P-N出現(xiàn)同價!

多晶硅 晶7元/千克,多晶硅致密料主流價格110-123元/千克,多晶硅價格指數(shù)106.23元/千克。 多晶硅價格再度走跌,多晶硅庫存持續(xù)走高目前已經(jīng)逼近13萬大關,硅片價格的走跌一定程度加速
2023-06-05 09:53:13918

SMM硅基光伏晨會紀要(工業(yè)硅、多晶硅、電池片、組件、光伏玻璃)

審核編輯?黃宇
2023-06-05 09:52:18153

SMM硅基光伏晨會紀要(多晶硅、電池片、光伏膠膜、光伏玻璃、逆變器)

審核編輯?黃宇
2023-06-01 09:38:20245

5.5太陽能級多晶硅的物理冶金制備

半導體
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-01 00:07:55

單向可控的如何使用#硬聲創(chuàng)作季

可控
也許吧發(fā)布于 2023-05-31 11:22:21

SMM硅基光伏晨會紀要(硅石、工業(yè)硅、多晶硅、硅片......)

審核編輯?黃宇
2023-05-31 10:04:53149

EPON系統(tǒng)的上行及下行分別采用哪種數(shù)據(jù)傳輸方式?

EPON系統(tǒng)的上行及下行分別采用哪種數(shù)據(jù)傳輸方式?
2023-05-16 14:59:06

半導體工藝設備之單晶爐工藝流程

單晶爐,全自動直拉單晶生長爐,是一種在惰性氣體(氮氣、氦氣為主)環(huán)境中,用石墨加熱器將多晶硅多晶材料熔化,用直拉法生長無錯位單晶的設備。
2023-05-16 09:48:515624

MP3V5050GP測量密閉容器時,輸出ADC一直在緩慢下降是為什么?

密閉容器內(nèi)注入一定壓力(比如20Kpa)的空氣,等待一段時間(比如5秒后)穩(wěn)定下來,檢測容器的壓力。發(fā)現(xiàn)輸出ADC一直在緩慢下降,不穩(wěn)定。
2023-05-16 08:33:06

LTC3524EUF#TRPBF是一款驅動器

LTC?3524 是一款集成 BIAS 和白光 LED 功率轉換器解決方案,以用于中小尺寸的多晶硅薄膜晶體管 (TFT) 液晶 (LCD) 顯示屏。該器件采用單節(jié)鋰離子/鋰聚合物電池或任何 2.5V
2023-05-15 17:04:32

基于89C51單片機的點陣模擬電梯上行下行源程序

基于89C51單片機的點陣模擬電梯上行下行源程序
2023-05-12 17:25:021

LS1046A LSDK 20.04 longrun后IPsec下行數(shù)據(jù)不通問題如何解決?

我們遇到了 IPSec 問題。使用IPSec接收下行報文,一段時間后,核心層收不到報文。 我們正在嘗試調(diào)試這個問題 我進行了以下檢查(問題發(fā)生前后,下行包填充率保持不變) 1. 檢查網(wǎng)絡端口
2023-05-08 07:48:45

如何計算5G下行峰值速率?

呢就是出現(xiàn)在很多LTE資料的的時頻資源圖,下面就結合該圖簡單說一下5G峰值速率計算。   二、圖說NR下行峰值速率計算   頻域可用資源      5G NR中數(shù)據(jù)信道基本調(diào)度單位PRB定義為12個子
2023-05-05 10:05:19

光伏電站的光伏板電壓是多少

光伏電站的光伏板電壓是變化的,因為它受到多個因素的影響。一般來說,標準的單晶或多晶硅太陽能電池板的額定電壓為大約 30 ~ 40 伏特。
2023-04-11 15:28:0422601

定制觸摸屏的價格貴嗎?

隨著科技的不斷發(fā)展和創(chuàng)新,觸摸屏已經(jīng)成為人們?nèi)粘I詈凸ぷ髦斜夭豢缮俚囊徊糠?。與此同時,越來越多的人開始了解和使用定制觸摸屏,以滿足不同場合和需求的個性化需求。那么,定制觸摸屏的價格究竟如何呢?首先
2023-04-11 11:23:35

光耦MOC3063驅動可控

如圖所示:1.單片機給IO口發(fā)送一個高電平后光耦3063會立即導通還是在交流電壓的過零點導通2.如果光耦在輸入電壓的過零點導通,是否可以認為可控兩端的電壓為零,此時可控不導通,那如果是這樣請問這個電路可控是何時導通的,又是和是關斷的 。導通是可控T2和G極之間的電壓為多少,怎么理解
2023-04-10 21:59:00

半導體行業(yè)之刻蝕工藝技術

DRAM柵工藝中,在多晶硅上使用鈣金屬硅化物以減少局部連線的電阻。這種金屬硅化物和多晶硅的堆疊薄膜刻蝕需要增加一道工藝刻蝕W或WSi2,一般先使用氟元素刻蝕鈞金屬硅化合物層,然后再使用氯元素刻蝕多晶硅
2023-04-07 09:48:162195

多晶硅蝕刻工藝講解

下圖顯示了Intel的第6代晶體管(6T)SRAM尺寸縮小時間表,以及多晶硅柵刻蝕技術后從90nm到22nm技術節(jié)點6TSRAM單元的SEM圖像俯視視圖??梢钥闯?,SRAM的布局從65nm節(jié)點已發(fā)生
2023-04-03 09:39:402451

74HC40103D,653

8位同步二進制下行計數(shù)器
2023-03-28 15:04:28

壓電致動器與粘滑原理仿真

,所以滑塊向前運動  急速回零電壓,壓電致動器快速運動超出反應出現(xiàn)粘滑現(xiàn)象,所以滑塊不動,壓電片歸零  向后運動應變片, 緩慢下降電壓,運動范圍速度不足以產(chǎn)生粘滑現(xiàn)象,所以滑塊向后運動 急速上升電壓
2023-03-27 17:25:52

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