三星計(jì)劃NAND閃存價(jià)格談判 欲漲價(jià)15%—20% 三星認(rèn)為NAND Flash價(jià)格過(guò)低；在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計(jì)劃與客戶就NAND閃存價(jià)格重新談判，目標(biāo)價(jià)位是漲價(jià)15%—20%。
2024-03-14 15:35:22
216 你好：
咨詢一個(gè)問(wèn)題：我用STM32H743IIT6芯片，STM32CubeIDE，使用FMC驅(qū)動(dòng)NAND FLASH，NAND FLASH ID讀取正常。但是有幾個(gè)問(wèn)題：
擦除完block后
2024-03-08 06:54:22
據(jù)統(tǒng)計(jì)，鎧俠是全球第二大NAND芯片制造商，市場(chǎng)份額約為15%-20%，緊隨其后的是韓國(guó)的三星。面對(duì)之前NAND報(bào)價(jià)持續(xù)下跌的困境，鎧俠率先采取了減產(chǎn)策略，幅度達(dá)到了三成。
2024-03-05 09:23:51143 前言 NAND Flash 和 NOR Flash是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出 NOR Flash 技術(shù),徹底改變了原先由 EPROM 和 EEPROM 一統(tǒng)天下
2024-03-01 17:08:45158 
NAND Flash的寫(xiě)入速度和擦除速度會(huì)受到多種因素的影響，包括Flash芯片的具體型號(hào)、制造工藝、以及操作環(huán)境等。因此，無(wú)法給出確切的數(shù)值。
2024-02-19 12:41:55697 與NAND Flash相比，NOR Flash具有較低的存儲(chǔ)密度和較高的成本，但具有較快的讀取速度、較低的讀取延遲和較好的隨機(jī)訪問(wèn)性能。
2024-02-19 11:45:24641 
江波龍，作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體存儲(chǔ)企業(yè)，近日再次引發(fā)行業(yè)關(guān)注。繼自研SLC NAND Flash系列產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)之后，江波龍又成功推出了首顆自研32Gb 2D MLC NAND Flash。這一
2024-02-01 15:04:05277 江波龍研發(fā)布局突破藩籬進(jìn)入到集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域，產(chǎn)品及服務(wù)獲得客戶高度認(rèn)可。繼 自研SLC NAND Flash系列產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)規(guī)模化量產(chǎn) 后，首顆 自研32Gb 2D MLC NAND Flash
2024-02-01 09:18:40126 
文章目錄
介紹
創(chuàng)世SD卡
引腳
與NOR Flash存儲(chǔ)比較
介紹
SD NAND FLASH（Secure Digital NAND Flash）是一種安全數(shù)字 NAND
2024-01-24 18:30:00
1月23日消息，據(jù)外媒Tom’s Hardware報(bào)導(dǎo)，有市場(chǎng)人士表示，由4個(gè)或8個(gè)NAND Flash芯片組成的NAND封裝模組已經(jīng)供不應(yīng)求，特別是大容量消費(fèi)級(jí)SSD的價(jià)格或許會(huì)大幅上漲，而且預(yù)計(jì)一季度晚些時(shí)候會(huì)出現(xiàn)。
2024-01-24 17:17:23486 存儲(chǔ)作為半導(dǎo)體領(lǐng)域最大的一個(gè)細(xì)分之一，一直以來(lái)，它是行情晴雨表。2024年電子存儲(chǔ)行情如何呢？
2024-01-23 11:44:21482 在2024年第一季度，NAND Flash及其相關(guān)產(chǎn)品的價(jià)格預(yù)計(jì)將呈現(xiàn)上漲趨勢(shì)。盡管面臨傳統(tǒng)淡季需求下降的情況，采購(gòu)活動(dòng)仍在持續(xù)擴(kuò)大，以建立安全庫(kù)存水位。
2024-01-11 16:42:39633 供應(yīng)商為了盡量減少損失，正在推高NAND Flash價(jià)格。
2024-01-10 10:02:27255 
標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)代碼，省去了驅(qū)動(dòng)代碼編程環(huán)節(jié)。支持TF卡啟動(dòng)的SOC都可以用SD NAND，提供STM32參考例程及原廠技術(shù)支持，主流容量：128MB/512MB/2GB/4GB/8GB，比TF卡穩(wěn)定，比
2024-01-05 17:54:39
針對(duì)NAND Flash產(chǎn)品的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，特別是SPI NAND Flash這一產(chǎn)品，東芯股份強(qiáng)調(diào)其具有電壓選擇靈活（包括3.3V和1.8V）及豐富封裝形式，如WSON、BGA等。另外，公司實(shí)施的單顆集成技術(shù)，使得存儲(chǔ)陣列、ECC模塊以及接口模塊得以整合于同一芯片之中
2023-12-26 10:53:13343 Nor Flash是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和代碼。它是一種閃存存儲(chǔ)器，類似于NAND Flash，但具有不同的特性和應(yīng)用場(chǎng)景。
2023-12-05 13:57:37837 ，圖片（GUI）、視頻緩存、協(xié)議棧等等。傳統(tǒng)的 E2PROM 和 NOR Flash 就不夠用了。這個(gè)時(shí)候 MCU 可能就需要用到 NAND Flash。
針對(duì) MCU 需要使用大容量的存儲(chǔ)需求
2023-11-30 18:16:56
NAND Flash和NOR Flash是兩種常見(jiàn)的閃存類型。
2023-11-30 13:53:20734 
預(yù)計(jì)2023年第4季度移動(dòng)DRAM的合約價(jià)格將上漲13-18%，而eMMC和UFS NAND Flash的合約價(jià)格將上漲約10-15%。這種上漲趨勢(shì)預(yù)計(jì)將持續(xù)至2024年第1季度。
2023-11-24 18:24:31671 和斷開(kāi)的風(fēng)險(xiǎn)，提高了存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的可靠性和穩(wěn)定性。
實(shí)際使用
前主流的存儲(chǔ)芯片大致可以分為NOR Flash和NAND Flash。NOR Flash容量比較小，所以一般項(xiàng)目對(duì)于容量有一定要求的話（512M
2023-11-23 17:25:18
NAND FLASH，嵌入式sd卡，工業(yè)級(jí)sd卡，單片機(jī) nand flash，貼片式TF卡
2023-11-15 18:09:47219 
Nand Flash因其具有容量大、成本低、壽命長(zhǎng)的特點(diǎn)，被廣泛的用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的解決方案。然而NandFlash的讀寫(xiě)控制較為復(fù)雜，Nand Flash的接口控制器大多是基于PC機(jī)或ARM處理器為架構(gòu)進(jìn)行開(kāi)發(fā)的，存在操作不方便的問(wèn)題。
2023-11-10 09:40:482676 
顯示器（MNT）面板方面，范博毓表示，主流尺寸面板價(jià)格10月轉(zhuǎn)向持平，僅部分高階機(jī)種如高更新率規(guī)格稍有跌價(jià)空間。
2023-11-07 11:46:55122 值得注意的是，信達(dá)證券此前援引行業(yè)消息稱，近日三星向客戶公布Q4官價(jià)，MobileDRAM合約價(jià)環(huán)比漲幅預(yù)估將擴(kuò)大至11%-25%；NAND Flash方面，UFS4.0漲幅約2%左右，eMCP、uMCP漲幅不等，平均漲幅20%以上，最高漲幅高達(dá)66%。
2023-11-03 15:54:34370 四季度手機(jī)DRAM合約價(jià)季度漲幅預(yù)估將擴(kuò)大至13~18%。NAND Flash中，eMMC、UFS四季度合約價(jià)漲幅約10~15%。
2023-10-31 15:51:42107 為什么Nor Flash可以實(shí)現(xiàn)XIP，而Nand flash就不行呢？ Flash存儲(chǔ)器是一種常用的非易失性存儲(chǔ)器，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。它們的價(jià)值在于它們可以快速讀取和寫(xiě)入數(shù)據(jù)，同時(shí)因?yàn)闆](méi)有
2023-10-29 16:32:58646 中，用到SDRAM和NAND FLASH很多嗎。基本看到都是E2PROM和SPI FLASH。
想知道，SDRAM和NAND FLASH，SPI FLASH這些在什么情況下，選擇什么樣的存儲(chǔ)比較合適？
2023-10-26 07:06:28
如果單片機(jī)不帶硬件操作nand flash的話，用軟件可以實(shí)現(xiàn)nand flash操作嗎？不要求速度，只要讀寫(xiě)文件就可以了，請(qǐng)問(wèn)怎么用單片機(jī)io模擬操作芯片
2023-10-23 06:30:34
據(jù)TrendForce集邦咨詢集邦咨詢研究顯示，由于供應(yīng)商嚴(yán)格控制產(chǎn)出，NAND Flash第四季度合約價(jià)全面起漲，漲幅約8~13%。
2023-10-22 13:06:38724 
據(jù)報(bào)告顯示，NAND Flash的第四季度合約價(jià)全面上漲，漲幅約為8~13%。這一漲幅超出了之前的預(yù)期。TrendForce在9月11日的報(bào)告中預(yù)計(jì)，第四季度NAND Flash的均價(jià)有望持平或小幅上漲，環(huán)比漲幅約為0~5%。
2023-10-17 17:49:00981 據(jù)TrendForce的研究顯示，第4季DRAM與NAND Flash均價(jià)將開(kāi)始全面上漲。特別是DRAM，預(yù)計(jì)第4季的合約價(jià)將季漲幅約在3%到8%之間。然而，這波上漲是否能持續(xù)，取決于供應(yīng)商是否堅(jiān)守減產(chǎn)策略以及實(shí)際需求的回升程度，尤其值得關(guān)注的領(lǐng)域是通用型服務(wù)器。
2023-10-16 09:17:18376 NAND_Flash長(zhǎng)時(shí)間讀寫(xiě)后會(huì)導(dǎo)致讀寫(xiě)失敗么
2023-10-16 07:32:50
FMC掛NAND FLASH的CE腳是否可以直接接地？
2023-10-15 06:51:36
外接NAND FLASH應(yīng)該用什么總線
2023-10-12 06:39:00
三星內(nèi)部認(rèn)為當(dāng)前NAND Flash供應(yīng)價(jià)格過(guò)低，計(jì)劃從今年四季度開(kāi)始調(diào)漲NAND Flash產(chǎn)品的合約價(jià)格，漲幅預(yù)計(jì)在10%以上。
2023-10-10 17:15:37818 目前，NOR FLASH和NAND FLASH是市場(chǎng)上主要的非易失性閃存技術(shù)，但是據(jù)我了解，還是有很多工程師分不清NAND FLASH與NOR FLASH。
2023-10-01 14:05:00468 
隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求日益增長(zhǎng)。作為一種新型的非易失性存儲(chǔ)器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢(shì)，在各個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對(duì)NAND Flash存儲(chǔ)器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、性能指標(biāo)及應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行詳細(xì)解析，以期為讀者提供一個(gè)全面的了解。
2023-09-27 18:26:171437 摘要：本文主要對(duì)兩種常見(jiàn)的非易失性存儲(chǔ)器——NAND Flash和NOR Flash進(jìn)行了詳細(xì)的比較分析。從存儲(chǔ)容量、性能、成本等方面進(jìn)行了深入探討，以幫助讀者更好地理解這兩種存儲(chǔ)器的特性和應(yīng)用。
2023-09-27 17:46:06490 武平縣大禾鎮(zhèn)人民政府的消息，目前佳顯達(dá)背光及生產(chǎn)項(xiàng)目已正式進(jìn)入裝修階段，11月下旬進(jìn)入正式生產(chǎn)計(jì)劃，這個(gè)項(xiàng)目從動(dòng)工到生產(chǎn)預(yù)計(jì)用時(shí)55天。
2023-09-27 10:58:58652 非常不錯(cuò)的選擇,正好一個(gè)項(xiàng)目在選擇NAND存儲(chǔ)方案, 恰巧論壇中聯(lián)系到雷龍公司申請(qǐng)到了兩片SD NAND,所以就進(jìn)行一下測(cè)試評(píng)估。
SD NAND是什么? 為什么選擇SD NAND? 其與TF/SD卡
2023-09-26 17:40:35
在上一篇文章中為大家介紹了NAND Flash的工作原理和自身的特性（點(diǎn)擊查看 ），本次文章將繼續(xù)為大家?guī)?lái)關(guān)于NAND Flash的內(nèi)容。 一、NAND Flash 的容量結(jié)構(gòu) 從訪問(wèn)NAND
2023-09-22 18:10:02752 
8月電池級(jí)碳酸鋰月均價(jià)237,043元/噸，環(huán)比下跌20%；上旬鋰鹽廠拋貨意愿強(qiáng)烈，價(jià)格跌幅較大。中下旬由于對(duì)下游9月份排產(chǎn)預(yù)期較樂(lè)觀，鋰鹽廠挺價(jià)惜售，價(jià)格僵持。然下游實(shí)際排產(chǎn)不及預(yù)期，導(dǎo)致碳酸鋰價(jià)格繼續(xù)下行。
2023-09-19 14:10:31411 K510 板子上u-boot 再 nandflash 里面嗎？設(shè)置 硬件 必要 nand flash 嗎（evb 底板上）
2023-09-14 07:51:38
NAND Flash 和NOR Flash 的差別在哪兒呢？從字面意思上看， NAND = not AND(與非)，NOR = not OR(或非)，也有可能是NMOS AND/OR。同為非揮發(fā)
2023-09-11 16:59:231901 
業(yè)內(nèi)人士說(shuō)：“nand閃存價(jià)格將比dram快反彈”，“nand閃存供應(yīng)商們的赤字繼續(xù)擴(kuò)大，因此銷售價(jià)格正在接近生產(chǎn)成本，供應(yīng)商們?yōu)榱司S持運(yùn)營(yíng)，擴(kuò)大減產(chǎn)，價(jià)格停止下跌，反彈率領(lǐng)的”。
2023-09-11 14:56:17508 
NAND Flash是一種非易失存儲(chǔ)器，也就是掉電不丟失類型，現(xiàn)在我們常見(jiàn)的存儲(chǔ)設(shè)備基本都是NAND Flash，比如U盤(pán)、固態(tài)硬盤(pán)，手機(jī)存儲(chǔ)等等，電腦傳統(tǒng)硬盤(pán)除外。
2023-09-11 14:48:23553 
Flash 分為 NAND flash和 NOR flash。均是使用浮柵場(chǎng)效應(yīng)管(FloatingGate FET) 作為基本存儲(chǔ)單元來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的，浮柵場(chǎng)效應(yīng)管共有4個(gè)端電極，分別
2023-09-09 14:27:383589 
Nand Flash存儲(chǔ)器是Flash存儲(chǔ)器的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了高性價(jià)比、高性能的解決方案。Nand Flash存儲(chǔ)器具有容量較大、改寫(xiě)速度快等優(yōu)點(diǎn)
2023-09-05 18:10:011617 不同于一季度的疲軟，可以看到在 二季度存儲(chǔ)市場(chǎng)明顯有所回暖，打破自2022年二季度以來(lái)的連續(xù)下滑，重新恢復(fù)增長(zhǎng)。 據(jù)CFM閃存市場(chǎng)分析， 2023年二季度全球NAND Flash市場(chǎng)規(guī)模環(huán)比增
2023-09-05 16:13:32317 
近期，受晶圓合約價(jià)格成功上漲的推動(dòng)，NAND Flash芯片現(xiàn)貨市場(chǎng)部分產(chǎn)品的詢價(jià)活躍度有所上升。TrendForce報(bào)告稱，這一增長(zhǎng)主要源于8月底 NAND Flash 供應(yīng)商與中國(guó)主要模塊制造商之間的談判。
2023-09-04 10:55:37204 
請(qǐng)問(wèn)N9H20有沒(méi)有同時(shí)使用SD卡和NAND的范例?
我想把SD卡里面的文件拷貝到NAND里面去。
2023-09-04 06:32:06
應(yīng)用程序: 此樣本代碼顯示訪問(wèn)外部 SPI NAND Flash 的文件 。
BSP 版本: M480 BSP CMSIS V3.03.000
硬件: M483 Nand Flash V1.0
此
2023-08-29 07:21:07
設(shè)備需要有歷史記錄存儲(chǔ)查詢功能，采用8M的nand flash存儲(chǔ)方案，請(qǐng)問(wèn)可以用flashDB嗎？特別需要喜歡按時(shí)間戳一鍵查詢的接口。
2023-08-20 17:28:54
引言：并行Nand Flash是中等容量存儲(chǔ)方案的理想選擇，相比于SPI Nand Flash，性能更優(yōu)，但體積較大，使用并沒(méi)有后者廣泛，多使用在嵌入式，物聯(lián)網(wǎng)，工業(yè)等領(lǐng)域。
2023-08-11 15:50:13841 
引言：隨著嵌入式系統(tǒng)的發(fā)展，有許多具有串行外圍接口（SPI）的應(yīng)用需要更高密度的內(nèi)存解決方案來(lái)存儲(chǔ)大型程序系統(tǒng)和文件。對(duì)于這些應(yīng)用需求，基于Nand結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)解決方案提供了Serial Nand系列。
2023-08-11 15:49:011022 
pSLC模式后，僅保存1bit數(shù)據(jù)。
二、各NAND FLASH的特點(diǎn)
MLC常用制程為15nm，擦寫(xiě)次數(shù)約為3000次，改為pSLC模式后約為2萬(wàn)次。
三、pSLC的優(yōu)缺點(diǎn)
pSLC具有以下優(yōu)點(diǎn)
2023-08-11 10:48:34
NOR Flash的讀取和我們常見(jiàn)的SDRAM的讀取是一樣，即可以根據(jù)地址隨機(jī)讀寫(xiě)，用戶可以直接運(yùn)行裝載在NOR FLASH里面的代碼，這樣可以減少SRAM的容量從而節(jié)約了成本。因?yàn)槠渥x取速度快，多用來(lái)存儲(chǔ)程序、操作系統(tǒng)等重要信息。
2023-08-07 09:47:03763 
申請(qǐng)到雷龍發(fā)展代理的CS創(chuàng)世 貼片 SD Card (SD NAND) 樣品，做出測(cè)試，分享一下。
型號(hào)：CSNP32GCR01-BOW；CSNP4GCR01-BOW
生產(chǎn)方：CS創(chuàng)世半導(dǎo)體
總代理
2023-07-28 16:23:18
Flash（閃存）是一種可擦除的只讀存儲(chǔ)器，按照實(shí)現(xiàn)方式和運(yùn)行特性Flash一般還會(huì)分為NOR和NAND兩種。其中NOR Flash支持隨機(jī)地址的讀取方式，在讀取操作上類似于RAM，比較適合程序
2023-07-24 10:00:281845 
相對(duì)于傳統(tǒng)機(jī)械硬盤(pán)，固態(tài)硬盤(pán)采用了閃存存儲(chǔ)技術(shù)，具有更高的數(shù)據(jù)訪問(wèn)速度、更低的能耗、更小的體積和更好的抗震性能。其中，Nand Flash 技術(shù)的發(fā)展使得固態(tài)硬盤(pán)成為了相對(duì)便宜和可靠的存儲(chǔ)解決方案之一。
2023-07-05 15:37:072129 非易失性存儲(chǔ)元件有很多種，如EPROM、EEPROM、NOR FLASH和NAND FLASH，前兩者已經(jīng)基本被淘汰了，因此我僅關(guān)注后兩者
2023-06-29 09:06:051884 
nuc972做cpu ,在使用新唐廠家的Nu-writer.exe軟件燒錄Linux鏡像到winbond廠家的nand flash時(shí)，從串口讀取中無(wú)效的塊，明明已經(jīng)按照手冊(cè)操作了，但還是不行，有操作過(guò)或了解的仁兄能告知下嗎
2023-06-28 06:27:27
Flash閃存是一種存儲(chǔ)器,主要用于一般性程序存儲(chǔ)，以及電腦與其他數(shù)字產(chǎn)品間交換傳輸數(shù)據(jù)。根據(jù)內(nèi)部存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)不同,Flash主要有兩種，NOR Flash和NAND Flash。
2023-06-12 17:08:26468 本文以具體型號(hào)為GD5F1GM7xExxG的GD的NAND為例,對(duì)SPI NAND Flash進(jìn)行介紹。不同廠家的不同型號(hào)都大同小異了解一款其他的也就都了解了。
2023-06-08 11:21:226632 
MX6UL_PAD_NAND_DATA04__USDHC2_DATA4 0x170b9
MX6UL_PAD_NAND_DATA05__USDHC2_DATA5 0x170b9
2023-06-08 08:45:07
市場(chǎng)上，DRAM價(jià)格已連續(xù)12個(gè)月下跌，4月份DDR4 8Gb批發(fā)價(jià)為每個(gè)1.48美元左右，環(huán)比下跌1%。
2023-06-01 17:59:111713 不用寫(xiě)驅(qū)動(dòng)程序自帶壞塊管理的NAND Flash（貼片式TF卡），尺寸小巧，簡(jiǎn)單易用，兼容性強(qiáng)，穩(wěn)定可靠，固件可定制，LGA-8封裝，標(biāo)準(zhǔn)SDIO接口，兼容SPI/SD接口，兼容各大MCU平臺(tái)，可
2023-05-28 15:46:27
嗨，我有一個(gè)關(guān)于 IVT 的問(wèn)題，在我的應(yīng)用程序中，我開(kāi)發(fā)了一個(gè)固件引導(dǎo)加載程序，它由 bootrom 從 nand-flash 加載并且始終運(yùn)行良好。
我使用 MCUXpresso 配置工具在
2023-05-24 13:56:04
flash快很多。nand flash內(nèi)部電路更簡(jiǎn)單，因此數(shù)據(jù)密度大，體積小，成本也低。因此大容量的flash都是nand型的。小容量的2～12M的flash多是nor型的。
使用壽命上，nand
2023-05-19 15:59:37
?# 目的
驗(yàn)證基于SD NAND卡在正點(diǎn)原子STM32精英V2開(kāi)發(fā)板上的兼容效果
實(shí)驗(yàn)材料
正點(diǎn)原子STM32精英V2開(kāi)發(fā)板
TF 卡一片
SD NAND卡一片
實(shí)驗(yàn)步驟
1、打開(kāi)例程【正點(diǎn)原子
2023-04-25 17:52:56
目的驗(yàn)證基于SD NAND卡在正點(diǎn)原子STM32精英V2開(kāi)發(fā)板上的兼容效果實(shí)驗(yàn)材料正點(diǎn)原子STM32精英V2開(kāi)發(fā)板TF 卡一片SD NAND卡一片實(shí)驗(yàn)步驟1、打開(kāi)例程【正點(diǎn)原子】精英
2023-04-20 13:28:35
不錯(cuò)的選擇,正好一個(gè)項(xiàng)目在選擇NAND存儲(chǔ)方案, 恰巧論壇中聯(lián)系到雷龍公司申請(qǐng)到了兩片SD NAND,所以就進(jìn)行一下測(cè)試評(píng)估。 SD NAND是什么? 為什么選擇SD NAND? 其與TF/SD卡
2023-04-18 23:03:42
地解釋一下這個(gè)領(lǐng)域嗎？在我的 projetc 突發(fā)長(zhǎng)度是 64，似乎工作，但我想了解為什么。2) 訪問(wèn) AXI 內(nèi)存：witch data width 是最好的選擇？使用 memcpy，訪問(wèn)似乎是
2023-04-04 06:38:32
我的Nand Flash有4個(gè)通道DQ0[0..7], DQ1[0..7], DQ2[0..7], DQ3[0..7],將它連接到 IMX8 的最佳方式是什么？當(dāng)使用 IMX8 的 GPIO 控制
2023-04-04 06:12:17
，區(qū)域 #4 和 #8 用于 NAND。這是否意味著最多只能使用 2x512Mb NAND？還是像 AXI 512Mb 和 IP 接口 512Mb？
2023-03-31 07:47:22
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