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?電子發(fā)燒友網(wǎng)訊：受到全球經(jīng)濟景氣不佳影響，2012年半導體行業(yè)市場需求整體顯現(xiàn)疲軟。半導體銷售方面，半導體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)業(yè)3Q僅小幅增長，增幅趨于平穩(wěn)，低于去年同期水平。先進奈米制程技術(shù)及IC設(shè)計產(chǎn)業(yè)成行業(yè)重要增長動能。展望明年消費終端市場逐步回暖，半導體產(chǎn)業(yè)鏈晶圓代工、封測、制造業(yè)營收比重將進一步加大… 更多精彩內(nèi)容，請持續(xù)關(guān)注《電子發(fā)燒友網(wǎng)半導體行業(yè)周報》。
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本周熱點資訊：
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1? 第十四屆高新技術(shù)成果交易會交會電子展（ELEXCON2012）即將開幕
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11月16-21日，第十四屆高新技術(shù)成果交易會交會電子展，將在深圳會展中心2號館召開。本屆高交會電子展將以“與ELEXCON一起，共同引領(lǐng)電子行業(yè)智能化、服務(wù)化趨勢！”為主題，匯集近三百家參展商重點展示各種新型元器件、材料與設(shè)備，及其產(chǎn)品與技術(shù)在智能家居、環(huán)境與能源、智慧地球、柔性制造系統(tǒng)以及跨界融合等熱點市場中的應用。
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詳情了解：http://elecfans.com/zhanhui/redian/20121105296442.html
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2? ?南昌高新區(qū)晶能光電成功入選“全球半導體照明2012年度新聞”
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??? 11月5日，國際半導體照明聯(lián)盟（ISA）在廣州舉行年度成員大會，并正式發(fā)布了“全球半導體照明2012年度新聞”評選結(jié)果。南昌高新區(qū)晶能光電作為“全球首家量產(chǎn)硅基大功率LED芯片的公司”，成功入選“全球半導體照明2012年度新聞”。
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3? 日本NGK Insulators研發(fā)出氮化鎵（GaN）晶圓? 實現(xiàn)綠光LED光效翻倍
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??? 日本名古屋的NGK Insulators研發(fā)出一種氮化鎵（GaN）晶圓，據(jù)稱可以將原來的綠光LED 的光效翻倍。NGK采用自主專利的液相外延技術(shù)法，在單晶體生長階段降低缺陷密度。據(jù)悉，公司所有的2寸直徑GaN晶圓的缺陷密度都很低，并且是無色透明的。
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根據(jù)該公司和名古屋大學合作的聯(lián)合研究表明，NGK GaN晶圓上的綠光LED 芯片獲得60%的內(nèi)量子效率（每平方厘米的注入電流密度約200安培）。這個效率大約是當前市面上的綠光LED 芯片的兩倍。
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4? RFMD公司宣布簽署擬4750萬美元收購Amalfi半導體最終協(xié)議
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RFMD公司周一宣布已經(jīng)簽署最終協(xié)議，將以4750萬美元現(xiàn)金來收購RF和混合信號的芯片公司Amalfi半導體。
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Amalfi半導體公司（加州Los Gatos）專注為入門級智能手機市場提供RF和混合信號芯片。RFMD表示Amalfi的芯片RF CMOS和混合信號專業(yè)技術(shù)，整合到RFMD的客戶關(guān)系、產(chǎn)品組合、生產(chǎn)制造和全球供應鏈后，會有助于加速推廣Amalfi的芯片到市場中。
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5? 拿什么來拯救摩爾定律？IBM 9nm工藝碳納米晶體管！
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隨著集成電路晶體管尺寸越來越小，CPU內(nèi)存等芯片的發(fā)展勢必與摩爾定律有些出入。要想繼續(xù)按照摩爾定律發(fā)展，尋求新材料就成為一種必然。
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自上周IBM傳出消息稱，碳納米材料研究已取得重大技術(shù)突破，IBM實現(xiàn)了再單芯片上集成上萬個碳納米晶體管首次突破！雖然比起現(xiàn)今硅晶體管密度還有差距，但這是新材料取代硅晶體管的重要一步。
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另外，在尋求新材料上，3D芯片結(jié)構(gòu)也是一個研究方向。目前，三星、IBM、英特爾等公司正致力于新材料3D芯片研究。
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詳情了解：http://elecfans.com/article/90/156/2012/1108296843.html
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6? McGill University物理學家發(fā)現(xiàn)未來奈米晶片設(shè)計大障礙
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??? 日前，來自加拿大麥基爾大學?(McGill University)物理學家們證實，當導線是由兩種不同的金屬組成時，電流有可能會大幅度降低；這意味著未來的半導體設(shè)計可能遇到障礙。
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由麥基爾大學研究團隊與來自GM研發(fā)中心科學家Yue Qi合作完成的合金觸點的原子結(jié)構(gòu)機械模型，證實了兩種金屬之間電子結(jié)構(gòu)的相異性會導致電流降低四倍，就算兩種材料達成完美介面也是一樣。
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研究發(fā)現(xiàn)，結(jié)合兩種金屬材料而產(chǎn)生的晶體缺陷——正常排列的原子發(fā)生錯位，是造成電流下降的進一步原因。未來需要更多的研究來克服這樣的問題，而解決辦法可能是材料選擇或者其他處理技術(shù)。
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7? 三星電子明年電腦存儲芯片投資將減半
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鑒于個人電腦用存儲芯片需求疲軟，三星電子考慮明年將電腦存儲芯片投入減半，這是三星繼2009年三星在半導體業(yè)務(wù)上投資后，再一次壓縮其半導體投資規(guī)模。
目前，三星的首要任務(wù)是清理庫存。通過縮減傳統(tǒng)半導體產(chǎn)品投資，集中關(guān)注于非內(nèi)存業(yè)務(wù)，并使其現(xiàn)有設(shè)施升級到更為先進的工藝技術(shù)。該領(lǐng)域可為三星獲取更加豐厚的利潤。
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據(jù)悉，隨著投資計劃的縮減，2014年三星中國閃芯基地投產(chǎn)最初產(chǎn)能將縮減至每月3萬片。另外，三星正投資70億美元，在中國西安興建其大陸首家芯片基地。
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8? 低發(fā)散角半導體激光器芯片技術(shù)獲得突破性進展
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近日，中科院知識創(chuàng)新工程領(lǐng)域前沿項目“大功率高亮度光子晶體激光器及列陣”取得階段性進展?？蒲腥藛T通過布拉格反射波導結(jié)構(gòu)，成功將半導體激光快軸（垂直）發(fā)散角從40o降低到7.5o，慢軸（水平）發(fā)散角7.2o，實現(xiàn)近圓形光束出光。
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一直以來，半導體激光器最大缺點是較大的發(fā)散角及橢圓形出光光斑，導致較差光束質(zhì)量。而研究小組采用雙邊橫向布拉格反射波導結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)通過光子禁帶原理進行光學導波，所限制模式為光學缺陷模式，可以有效壓縮激光的遠場發(fā)散角。
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據(jù)悉，該類器件結(jié)構(gòu)不僅可以用于量子阱激光器，還可以拓展到不同波長、不同增益介質(zhì)的半導體激光器，如量子點、量子級聯(lián)激光器等。這可以從芯片結(jié)構(gòu)角度徹底改變半導體激光器發(fā)散角大而不對稱的缺點。
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市場觀察：
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1? 2012上半年中國半導體產(chǎn)業(yè)同比增長7.5%?? 產(chǎn)值增長動能趨緩
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據(jù)Digitimes Research分析，2012年上半中國大陸半導體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值為人民幣852.8億元，較2011年上半793.2億元增長7.5%，表現(xiàn)相對平穩(wěn)，不若2011年全年增長率15%，更不若2011年上半年增長率19%，增長動能有趨緩的現(xiàn)象。
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詳情了解：http://elecfans.com/news/report/20121109297001.html
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小編總結(jié)：縱觀半導體上下游產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)值變化，無論IC設(shè)計、IC制造，乃至封裝測試，產(chǎn)值皆呈現(xiàn)增長態(tài)勢，增幅相對平穩(wěn)。而以IC設(shè)計產(chǎn)業(yè)成長尤為突出，成為中國半導體產(chǎn)業(yè)增長重要動能。反觀全球景氣趨于保守，2013年IC設(shè)計增長可能會受到限制。
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2? 半導體芯片市場觀察：2012年芯片銷售下降5%
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半導體行業(yè)協(xié)會（SIA）貿(mào)易小組發(fā)布數(shù)據(jù)顯示，今年9月全球半導體銷售額為248億美元，相比8月上升2%。但與去年9月相比有4%的下降。第三季度芯片銷售額是744億美元，與第二季相比上升2%。但與2011年前9個月相比，銷售額仍然下降了5%左右。
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小編總結(jié)：全球半導體銷售在8~9月及第二季至第三季均有小幅度提升，增長保持相對穩(wěn)定，但受到全球經(jīng)濟低迷影響，全行業(yè)銷售依然低于去年同期水平。
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3? 2012年第三季NAND Flash品牌廠商營收排行，三星穩(wěn)居龍頭
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2012年第三季初期，NAND Flash市場需求，受全球復蘇緩慢影響呈現(xiàn)疲弱不振。但隨著第三季后期系統(tǒng)產(chǎn)品OEM客戶的備貨需求開始回溫，NAND Flash市況轉(zhuǎn)為供貨偏緊，9月份NAND Flash合約價格也轉(zhuǎn)為止跌回升的狀況。
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綜觀第三季NAND Flash品牌廠商季營收，三星以營收18億2千1百萬美元，市占率為39.3%，仍維持第一位。緊隨其后的是東芝和美光，英特爾intel排名第五。
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詳情了解：http://elecfans.com/news/report/20121105296380.html
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小編總結(jié)：受到全球經(jīng)濟低迷復蘇緩慢影響，NAND Flash市場供應整體顯現(xiàn)疲態(tài)。受惠于智慧型手機及平板電腦新品上市，OEM客戶備貨需求回溫，NAND廠商第三季元出貨量均有小幅增長或較之上季持平。19、20、21nm新制程技術(shù)受市場熱捧，NAND廠商將加持嵌入式、SSD營業(yè)比重，以及先進奈米制程技術(shù)的投入。展望第四季NAND Flash市場價格將逐步回升。
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4? 全球DRAM市場跌價風暴再來襲? 行動式記憶體受影響
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根據(jù)全球市場研究機構(gòu)TrendForce近日表示，由于PC出貨持續(xù)下修，年成長衰退達5%。需求旺季不旺導致供過于求，2GB單顆單價七至九月下滑近兩成，DRAM相關(guān)如伺服器記憶體和行動式記憶體亦受到影響，呈現(xiàn)跌價趨勢。第三季DRAM產(chǎn)值較上季度縮減8.5%，DRAM廠商營收普遍衰退。
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小編總結(jié)：雖然受到DRAM價格下跌影響，但得益于行動式產(chǎn)品智慧型手機及平板電腦出貨暢旺，行動式記憶體市場需求及營收比重將大幅增加，行動式產(chǎn)品占比高廠商將獲得更多市占比，三星半導體、SK海力士表現(xiàn)優(yōu)異。相對受到標準型記憶體跌價沖擊，DRAM部分營業(yè)利益亦呈現(xiàn)小幅下降，伺服器和行動式記憶體出貨比重仍需要進一步提升，以避免受到DRAM市場價格波動影響。
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5? 2012年工業(yè)半導體產(chǎn)業(yè)滑坡? 營收增幅預計較低
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據(jù)IHS iSuppli公司的工業(yè)電子市場追蹤報告，由于主要芯片供應商今年稍早未能實現(xiàn)預期中的增長，2012年面向工業(yè)電子產(chǎn)品的半導體營業(yè)收入增幅預計較低。
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今年該類半導體的營業(yè)收入預計為314億美元。雖然總體營業(yè)收入仍略高于2011年的305億美元，但僅比去年增長3%，增幅遠低于去年的9%。而在剛剛結(jié)束衰退的2010年，更是激增了35%。
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總體來看，由于經(jīng)濟形勢第二季變得更糟糕，影響到幾家主要半導體供應商和工業(yè)電子OEM廠商，芯片營業(yè)收入必須萎縮。其中包括德州儀器、亞德諾半導體、英飛凌、愛特梅爾、富士電機和凌特公司等知名廠商。
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小編總結(jié)：受到全球經(jīng)濟不景氣的沖擊，面向工業(yè)半導體應用領(lǐng)域光伏、醫(yī)療、建筑、制造等產(chǎn)業(yè)均受到影響，芯片營業(yè)收入增幅，較去年同期僅有小幅增長，增幅減緩，銷售低于預期，以至市場下調(diào)以反映形式變化。LED照明、航空電子、通用電氣、運輸?shù)炔糠謪^(qū)域所受影響則相對較少。
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6? 明年***半導體可望蘋果轉(zhuǎn)單效應?? 半導體生產(chǎn)鏈成最大受惠
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日前，工研院舉辦的2013科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢研討會上，預測明年半導體產(chǎn)業(yè)成長率，受到現(xiàn)階段整體供應鏈半導體存貨問題、產(chǎn)能利用率下滑等不利因素影響，導致商用與消費終端市場需求不振。
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然而，受惠于蘋果與三星晶片代工關(guān)系生變，蘋果及三星間針對智慧型手機、平板電腦競爭激烈，預計明年起***半導體生產(chǎn)鏈（晶圓代工、封測業(yè)）可能因蘋果A7轉(zhuǎn)單效應而躍居成為最大的受惠者。
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新品方案：
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?[持續(xù)更新] 近期電子新品方案匯總(11.05-11.11)
?http://elecfans.com/tongxin/119/20121107296721.html
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?【半導體】
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?? Vishay發(fā)布用于太陽能電池的卡扣式功率鋁電容器
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日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布推出新系列卡扣式功率鋁電容器---193 PUR-SI Solar，其在50℃下額定電壓達500V，在105℃下達到450V。193 PUR-SI Solar器件面向在無負載情況下會出現(xiàn)最高電壓的太陽能應用，并具有很長的使用壽命，在+105℃和100Hz下的額定紋波電流達到2.52A。
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詳情了解：http://elecfans.com/xinpian/ic/20121105296387.html
拯救摩爾定律 IBM 9nm工藝碳納米晶體管
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http://elecfans.com/article/90/156/2012/1108296843.html
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我國科學家研制出太赫茲肖特基二極管及電路
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http://elecfans.com/news/hangye/20121104296298.html
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?【通信應用】
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Microsemi推出新型超低功耗sub-GHz無線射頻芯片
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美高森美公司宣布推出用于極為注重功耗的短距無線應用的新型超低功耗（ULP）射頻（RF）收發(fā)器產(chǎn)品ZL70250，該器件在低功耗方面設(shè)立了全新的基準，傳送和接收數(shù)據(jù)所需電流僅為2 mA，實現(xiàn)了極長電池壽命和產(chǎn)品小型化，為能量收集和電池供電無線傳感器網(wǎng)絡(luò)提供非常重要的特性。
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詳情了解：http://elecfans.com/xinpian/ic/20121107296682.html
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恩智浦推出第二代NFC標簽IC產(chǎn)品
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http://elecfans.com/tongxin/rf/20121108296842.html
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奧地利微電子降低微控制器整合高資料速率NFC功能成本
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http://elecfans.com/article/90/151/2012/1106296537.html
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高通主導的“WiPower”無線充電標準正式出臺
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http://elecfans.com/news/power/20121106296526.html
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【模擬數(shù)字】
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TI推出雙通道16位ADC與時鐘抖動清除器
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日前，德州儀器 (TI) 宣布推出兩款支持數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器 JEDEC JESD204B 串行接口標準的器件，其中 ADS42JB69是業(yè)界首款采用 JESD204B 接口、支持250 MSPS 最高速度的雙通道 16 位模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC)，LMK04828是業(yè)界最高性能的時鐘抖動清除器，也是首款支持 JESD204B 時鐘的器件。二者相結(jié)合，可為高速系統(tǒng)實現(xiàn)卓越的系統(tǒng)級性能。針對需要傳統(tǒng)并行接口的設(shè)計，TI 還推出了業(yè)界最快速度并支持 LVDS 接口的 250 MSPS 雙通道16位 ADC ADS42LB69。
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詳情了解：http://elecfans.com/xinpian/ic/ADS42JB69.html
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MAX9234,MAX9236,MAX9238熱插拔、21位、直流平衡、LVDS解串器
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http://elecfans.com/xinpian/ic/MAX9234.html
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TriQuint推出首款用于通道綁定的寬帶回路放大器TAT3814
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http://elecfans.com/xinpian/ic/TAT3814.html
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芯科實驗室推出業(yè)界首款通用時鐘緩沖器Si533xx
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http://elecfans.com/xinpian/ic/Si533xx.html
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【電源管理】
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? 凌力爾特推出高壓降壓型DC/DC控制器LTC3864
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11月8日，凌力爾特公司推出高壓降壓型DC/DC控制器LTC3864，該器件在待機模式中僅吸收 40μA 的靜態(tài)電流，且輸出在突發(fā)模式（Burst Mode）操作中被使能。3.5V至60V輸入電源范圍設(shè)計用于提供針對高電壓瞬變的保護，以在汽車冷車發(fā)動期間正常運作，并且可適合眾多的輸入電源和電池化學組成。
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詳情了解：http://elecfans.com/xinpian/ic/20121109296981.html
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Dialog半導體面向ARM四核應用處理器推出最強大的電源管理芯片
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http://elecfans.com/xinpian/ic/20121108296918.html
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凌力爾特發(fā)布具備彈性限流的雙組Hot Swap控制器LTC4226
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http://elecfans.com/xinpian/ic/20121108296823.html
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安捷倫發(fā)表精密型低雜訊電源設(shè)備
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http://elecfans.com/news/power/20121107296691.html
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詳情了解：http://elecfans.com/zhanhui/redian/20121105296442.html
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2? ?南昌高新區(qū)晶能光電成功入選“全球半導體照明2012年度新聞”
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??? 11月5日，國際半導體照明聯(lián)盟（ISA）在廣州舉行年度成員大會，并正式發(fā)布了“全球半導體照明2012年度新聞”評選結(jié)果。南昌高新區(qū)晶能光電作為“全球首家量產(chǎn)硅基大功率LED芯片的公司”，成功入選“全球半導體照明2012年度新聞”。
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3? 日本NGK Insulators研發(fā)出氮化鎵（GaN）晶圓? 實現(xiàn)綠光LED光效翻倍
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??? 日本名古屋的NGK Insulators研發(fā)出一種氮化鎵（GaN）晶圓，據(jù)稱可以將原來的綠光LED 的光效翻倍。NGK采用自主專利的液相外延技術(shù)法，在單晶體生長階段降低缺陷密度。據(jù)悉，公司所有的2寸直徑GaN晶圓的缺陷密度都很低，并且是無色透明的。
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根據(jù)該公司和名古屋大學合作的聯(lián)合研究表明，NGK GaN晶圓上的綠光LED 芯片獲得60%的內(nèi)量子效率（每平方厘米的注入電流密度約200安培）。這個效率大約是當前市面上的綠光LED 芯片的兩倍。
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4? RFMD公司宣布簽署擬4750萬美元收購Amalfi半導體最終協(xié)議
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RFMD公司周一宣布已經(jīng)簽署最終協(xié)議，將以4750萬美元現(xiàn)金來收購RF和混合信號的芯片公司Amalfi半導體。
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Amalfi半導體公司（加州Los Gatos）專注為入門級智能手機市場提供RF和混合信號芯片。RFMD表示Amalfi的芯片RF CMOS和混合信號專業(yè)技術(shù)，整合到RFMD的客戶關(guān)系、產(chǎn)品組合、生產(chǎn)制造和全球供應鏈后，會有助于加速推廣Amalfi的芯片到市場中。
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5? 拿什么來拯救摩爾定律？IBM 9nm工藝碳納米晶體管！
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隨著集成電路晶體管尺寸越來越小，CPU內(nèi)存等芯片的發(fā)展勢必與摩爾定律有些出入。要想繼續(xù)按照摩爾定律發(fā)展，尋求新材料就成為一種必然。
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自上周IBM傳出消息稱，碳納米材料研究已取得重大技術(shù)突破，IBM實現(xiàn)了再單芯片上集成上萬個碳納米晶體管首次突破！雖然比起現(xiàn)今硅晶體管密度還有差距，但這是新材料取代硅晶體管的重要一步。
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另外，在尋求新材料上，3D芯片結(jié)構(gòu)也是一個研究方向。目前，三星、IBM、英特爾等公司正致力于新材料3D芯片研究。
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詳情了解：http://elecfans.com/article/90/156/2012/1108296843.html
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6? McGill University物理學家發(fā)現(xiàn)未來奈米晶片設(shè)計大障礙
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??? 日前，來自加拿大麥基爾大學?(McGill University)物理學家們證實，當導線是由兩種不同的金屬組成時，電流有可能會大幅度降低；這意味著未來的半導體設(shè)計可能遇到障礙。
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由麥基爾大學研究團隊與來自GM研發(fā)中心科學家Yue Qi合作完成的合金觸點的原子結(jié)構(gòu)機械模型，證實了兩種金屬之間電子結(jié)構(gòu)的相異性會導致電流降低四倍，就算兩種材料達成完美介面也是一樣。
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研究發(fā)現(xiàn)，結(jié)合兩種金屬材料而產(chǎn)生的晶體缺陷——正常排列的原子發(fā)生錯位，是造成電流下降的進一步原因。未來需要更多的研究來克服這樣的問題，而解決辦法可能是材料選擇或者其他處理技術(shù)。
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7? 三星電子明年電腦存儲芯片投資將減半
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鑒于個人電腦用存儲芯片需求疲軟，三星電子考慮明年將電腦存儲芯片投入減半，這是三星繼2009年三星在半導體業(yè)務(wù)上投資后，再一次壓縮其半導體投資規(guī)模。
目前，三星的首要任務(wù)是清理庫存。通過縮減傳統(tǒng)半導體產(chǎn)品投資，集中關(guān)注于非內(nèi)存業(yè)務(wù)，并使其現(xiàn)有設(shè)施升級到更為先進的工藝技術(shù)。該領(lǐng)域可為三星獲取更加豐厚的利潤。
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據(jù)悉，隨著投資計劃的縮減，2014年三星中國閃芯基地投產(chǎn)最初產(chǎn)能將縮減至每月3萬片。另外，三星正投資70億美元，在中國西安興建其大陸首家芯片基地。
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8? 低發(fā)散角半導體激光器芯片技術(shù)獲得突破性進展
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近日，中科院知識創(chuàng)新工程領(lǐng)域前沿項目“大功率高亮度光子晶體激光器及列陣”取得階段性進展?？蒲腥藛T通過布拉格反射波導結(jié)構(gòu)，成功將半導體激光快軸（垂直）發(fā)散角從40o降低到7.5o，慢軸（水平）發(fā)散角7.2o，實現(xiàn)近圓形光束出光。
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一直以來，半導體激光器最大缺點是較大的發(fā)散角及橢圓形出光光斑，導致較差光束質(zhì)量。而研究小組采用雙邊橫向布拉格反射波導結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)通過光子禁帶原理進行光學導波，所限制模式為光學缺陷模式，可以有效壓縮激光的遠場發(fā)散角。
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據(jù)悉，該類器件結(jié)構(gòu)不僅可以用于量子阱激光器，還可以拓展到不同波長、不同增益介質(zhì)的半導體激光器，如量子點、量子級聯(lián)激光器等。這可以從芯片結(jié)構(gòu)角度徹底改變半導體激光器發(fā)散角大而不對稱的缺點。
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市場觀察：
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1? 2012上半年中國半導體產(chǎn)業(yè)同比增長7.5%?? 產(chǎn)值增長動能趨緩
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據(jù)Digitimes Research分析，2012年上半中國大陸半導體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值為人民幣852.8億元，較2011年上半793.2億元增長7.5%，表現(xiàn)相對平穩(wěn)，不若2011年全年增長率15%，更不若2011年上半年增長率19%，增長動能有趨緩的現(xiàn)象。
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詳情了解：http://elecfans.com/news/report/20121109297001.html
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小編總結(jié)：縱觀半導體上下游產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)值變化，無論IC設(shè)計、IC制造，乃至封裝測試，產(chǎn)值皆呈現(xiàn)增長態(tài)勢，增幅相對平穩(wěn)。而以IC設(shè)計產(chǎn)業(yè)成長尤為突出，成為中國半導體產(chǎn)業(yè)增長重要動能。反觀全球景氣趨于保守，2013年IC設(shè)計增長可能會受到限制。
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2? 半導體芯片市場觀察：2012年芯片銷售下降5%
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半導體行業(yè)協(xié)會（SIA）貿(mào)易小組發(fā)布數(shù)據(jù)顯示，今年9月全球半導體銷售額為248億美元，相比8月上升2%。但與去年9月相比有4%的下降。第三季度芯片銷售額是744億美元，與第二季相比上升2%。但與2011年前9個月相比，銷售額仍然下降了5%左右。
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小編總結(jié)：全球半導體銷售在8~9月及第二季至第三季均有小幅度提升，增長保持相對穩(wěn)定，但受到全球經(jīng)濟低迷影響，全行業(yè)銷售依然低于去年同期水平。
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3? 2012年第三季NAND Flash品牌廠商營收排行，三星穩(wěn)居龍頭
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2012年第三季初期，NAND Flash市場需求，受全球復蘇緩慢影響呈現(xiàn)疲弱不振。但隨著第三季后期系統(tǒng)產(chǎn)品OEM客戶的備貨需求開始回溫，NAND Flash市況轉(zhuǎn)為供貨偏緊，9月份NAND Flash合約價格也轉(zhuǎn)為止跌回升的狀況。
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綜觀第三季NAND Flash品牌廠商季營收，三星以營收18億2千1百萬美元，市占率為39.3%，仍維持第一位。緊隨其后的是東芝和美光，英特爾intel排名第五。
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詳情了解：http://elecfans.com/news/report/20121105296380.html
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小編總結(jié)：受到全球經(jīng)濟低迷復蘇緩慢影響，NAND Flash市場供應整體顯現(xiàn)疲態(tài)。受惠于智慧型手機及平板電腦新品上市，OEM客戶備貨需求回溫，NAND廠商第三季元出貨量均有小幅增長或較之上季持平。19、20、21nm新制程技術(shù)受市場熱捧，NAND廠商將加持嵌入式、SSD營業(yè)比重，以及先進奈米制程技術(shù)的投入。展望第四季NAND Flash市場價格將逐步回升。
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4? 全球DRAM市場跌價風暴再來襲? 行動式記憶體受影響
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根據(jù)全球市場研究機構(gòu)TrendForce近日表示，由于PC出貨持續(xù)下修，年成長衰退達5%。需求旺季不旺導致供過于求，2GB單顆單價七至九月下滑近兩成，DRAM相關(guān)如伺服器記憶體和行動式記憶體亦受到影響，呈現(xiàn)跌價趨勢。第三季DRAM產(chǎn)值較上季度縮減8.5%，DRAM廠商營收普遍衰退。
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小編總結(jié)：雖然受到DRAM價格下跌影響，但得益于行動式產(chǎn)品智慧型手機及平板電腦出貨暢旺，行動式記憶體市場需求及營收比重將大幅增加，行動式產(chǎn)品占比高廠商將獲得更多市占比，三星半導體、SK海力士表現(xiàn)優(yōu)異。相對受到標準型記憶體跌價沖擊，DRAM部分營業(yè)利益亦呈現(xiàn)小幅下降，伺服器和行動式記憶體出貨比重仍需要進一步提升，以避免受到DRAM市場價格波動影響。
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5? 2012年工業(yè)半導體產(chǎn)業(yè)滑坡? 營收增幅預計較低
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據(jù)IHS iSuppli公司的工業(yè)電子市場追蹤報告，由于主要芯片供應商今年稍早未能實現(xiàn)預期中的增長，2012年面向工業(yè)電子產(chǎn)品的半導體營業(yè)收入增幅預計較低。
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今年該類半導體的營業(yè)收入預計為314億美元。雖然總體營業(yè)收入仍略高于2011年的305億美元，但僅比去年增長3%，增幅遠低于去年的9%。而在剛剛結(jié)束衰退的2010年，更是激增了35%。
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總體來看，由于經(jīng)濟形勢第二季變得更糟糕，影響到幾家主要半導體供應商和工業(yè)電子OEM廠商，芯片營業(yè)收入必須萎縮。其中包括德州儀器、亞德諾半導體、英飛凌、愛特梅爾、富士電機和凌特公司等知名廠商。
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小編總結(jié)：受到全球經(jīng)濟不景氣的沖擊，面向工業(yè)半導體應用領(lǐng)域光伏、醫(yī)療、建筑、制造等產(chǎn)業(yè)均受到影響，芯片營業(yè)收入增幅，較去年同期僅有小幅增長，增幅減緩，銷售低于預期，以至市場下調(diào)以反映形式變化。LED照明、航空電子、通用電氣、運輸?shù)炔糠謪^(qū)域所受影響則相對較少。
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6? 明年***半導體可望蘋果轉(zhuǎn)單效應?? 半導體生產(chǎn)鏈成最大受惠
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日前，工研院舉辦的2013科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢研討會上，預測明年半導體產(chǎn)業(yè)成長率，受到現(xiàn)階段整體供應鏈半導體存貨問題、產(chǎn)能利用率下滑等不利因素影響，導致商用與消費終端市場需求不振。
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然而，受惠于蘋果與三星晶片代工關(guān)系生變，蘋果及三星間針對智慧型手機、平板電腦競爭激烈，預計明年起***半導體生產(chǎn)鏈（晶圓代工、封測業(yè)）可能因蘋果A7轉(zhuǎn)單效應而躍居成為最大的受惠者。
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新品方案：
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?[持續(xù)更新] 近期電子新品方案匯總(11.05-11.11)
?http://elecfans.com/tongxin/119/20121107296721.html
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?【半導體】
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?? Vishay發(fā)布用于太陽能電池的卡扣式功率鋁電容器
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日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布推出新系列卡扣式功率鋁電容器---193 PUR-SI Solar，其在50℃下額定電壓達500V，在105℃下達到450V。193 PUR-SI Solar器件面向在無負載情況下會出現(xiàn)最高電壓的太陽能應用，并具有很長的使用壽命，在+105℃和100Hz下的額定紋波電流達到2.52A。
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詳情了解：http://elecfans.com/xinpian/ic/20121105296387.html
拯救摩爾定律 IBM 9nm工藝碳納米晶體管
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http://elecfans.com/article/90/156/2012/1108296843.html
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我國科學家研制出太赫茲肖特基二極管及電路
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http://elecfans.com/news/hangye/20121104296298.html
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?【通信應用】
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Microsemi推出新型超低功耗sub-GHz無線射頻芯片
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美高森美公司宣布推出用于極為注重功耗的短距無線應用的新型超低功耗（ULP）射頻（RF）收發(fā)器產(chǎn)品ZL70250，該器件在低功耗方面設(shè)立了全新的基準，傳送和接收數(shù)據(jù)所需電流僅為2 mA，實現(xiàn)了極長電池壽命和產(chǎn)品小型化，為能量收集和電池供電無線傳感器網(wǎng)絡(luò)提供非常重要的特性。
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詳情了解：http://elecfans.com/xinpian/ic/20121107296682.html
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恩智浦推出第二代NFC標簽IC產(chǎn)品
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http://elecfans.com/tongxin/rf/20121108296842.html
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奧地利微電子降低微控制器整合高資料速率NFC功能成本
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http://elecfans.com/article/90/151/2012/1106296537.html
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高通主導的“WiPower”無線充電標準正式出臺
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http://elecfans.com/news/power/20121106296526.html
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【模擬數(shù)字】
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TI推出雙通道16位ADC與時鐘抖動清除器
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日前，德州儀器 (TI) 宣布推出兩款支持數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器 JEDEC JESD204B 串行接口標準的器件，其中 ADS42JB69是業(yè)界首款采用 JESD204B 接口、支持250 MSPS 最高速度的雙通道 16 位模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC)，LMK04828是業(yè)界最高性能的時鐘抖動清除器，也是首款支持 JESD204B 時鐘的器件。二者相結(jié)合，可為高速系統(tǒng)實現(xiàn)卓越的系統(tǒng)級性能。針對需要傳統(tǒng)并行接口的設(shè)計，TI 還推出了業(yè)界最快速度并支持 LVDS 接口的 250 MSPS 雙通道16位 ADC ADS42LB69。
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詳情了解：http://elecfans.com/xinpian/ic/ADS42JB69.html
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MAX9234,MAX9236,MAX9238熱插拔、21位、直流平衡、LVDS解串器
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http://elecfans.com/xinpian/ic/MAX9234.html
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TriQuint推出首款用于通道綁定的寬帶回路放大器TAT3814
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http://elecfans.com/xinpian/ic/TAT3814.html
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芯科實驗室推出業(yè)界首款通用時鐘緩沖器Si533xx
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http://elecfans.com/xinpian/ic/Si533xx.html
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【電源管理】
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? 凌力爾特推出高壓降壓型DC/DC控制器LTC3864
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11月8日，凌力爾特公司推出高壓降壓型DC/DC控制器LTC3864，該器件在待機模式中僅吸收 40μA 的靜態(tài)電流，且輸出在突發(fā)模式（Burst Mode）操作中被使能。3.5V至60V輸入電源范圍設(shè)計用于提供針對高電壓瞬變的保護，以在汽車冷車發(fā)動期間正常運作，并且可適合眾多的輸入電源和電池化學組成。
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詳情了解：http://elecfans.com/xinpian/ic/20121109296981.html
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Dialog半導體面向ARM四核應用處理器推出最強大的電源管理芯片
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http://elecfans.com/xinpian/ic/20121108296918.html
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凌力爾特發(fā)布具備彈性限流的雙組Hot Swap控制器LTC4226
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http://elecfans.com/xinpian/ic/20121108296823.html
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