2D NAND和3D NAND都是非易失性存儲(chǔ)技術(shù)(NVM Non-VolatileMemory),屬于Memory(存儲(chǔ)器)的一種。
2024-03-17 15:31:39268 三星計(jì)劃NAND閃存價(jià)格談判 欲漲價(jià)15%—20% 三星認(rèn)為NAND Flash價(jià)格過低;在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計(jì)劃與客戶就NAND閃存價(jià)格重新談判,目標(biāo)價(jià)位是漲價(jià)15%—20%。
2024-03-14 15:35:22216 潘建成表示,群聯(lián)當(dāng)前正面臨供應(yīng)短缺問題,若NAND閃存制造商以合理價(jià)格提供穩(wěn)定的供應(yīng),將有助于緩解群聯(lián)的困境。他認(rèn)為,原廠擴(kuò)大產(chǎn)能,有利于維護(hù)NAND市場(chǎng)秩序,使價(jià)格合理回歸,否則過高的漲勢(shì)會(huì)打壓下游廠商需求。
2024-03-05 14:05:0481 據(jù)統(tǒng)計(jì),鎧俠是全球第二大NAND芯片制造商,市場(chǎng)份額約為15%-20%,緊隨其后的是韓國(guó)的三星。面對(duì)之前NAND報(bào)價(jià)持續(xù)下跌的困境,鎧俠率先采取了減產(chǎn)策略,幅度達(dá)到了三成。
2024-03-05 09:23:51143 前言 NAND Flash 和 NOR Flash是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出 NOR Flash 技術(shù),徹底改變了原先由 EPROM 和 EEPROM 一統(tǒng)天下
2024-03-01 17:08:45158 需求管理工具。DOORS可以將項(xiàng)目開發(fā)過程中產(chǎn)生的各級(jí)需求和與需求相關(guān)的文件、網(wǎng)址URL進(jìn)行鏈接管理,同時(shí)能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">需求進(jìn)行影響分析。 &nbs
2024-02-29 15:48:51
AppleID作為蘋果生態(tài)系統(tǒng)的重要組成部分,已有超過十年歷史,它讓消費(fèi)者可以便捷地獲取iCloud、AppStore等各項(xiàng)功能。消費(fèi)者使用AppleID便能購(gòu)買應(yīng)用程序、音樂,同步各種設(shè)備數(shù)據(jù)至iCloud,以及暢游蘋果線上商城。
2024-02-29 13:52:50395 蘋果手機(jī)id密碼在哪里找 蘋果手機(jī)id密碼忘記了怎么辦? 蘋果手機(jī)id密碼在哪里找,若蘋果手機(jī)id密碼忘記了,可以通過以下幾種方法來(lái)解決這個(gè)問題。 1. 使用Apple ID找回密碼功能:蘋果官方
2024-02-18 13:42:11600 蘋果最新發(fā)布的VisionPro頭顯已正式開售,但根據(jù)蘋果日前發(fā)布的支持文件,這款頭顯目前存在一些功能上的限制。最值得注意的是,用戶無(wú)法在iCloud網(wǎng)站或“查找”應(yīng)用中確定VisionPro頭顯的位置。這意味著,如果頭顯丟失或被盜,用戶將難以追蹤其位置。
2024-02-04 14:21:32602 MINI品牌ZVA-403GX+:卓越性能,引領(lǐng)未來(lái) ZVA-403GX+的技術(shù)參數(shù)如下:封裝形式:AV2578增益:11噪聲系數(shù):4.5功率輸出:11接頭形式:2.92mm工作頻率范圍
2024-01-31 11:26:04
閃存技術(shù),通常用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù),并且具有一些額外的安全特性。這種技術(shù)結(jié)合了 NAND 閃存的高密度存儲(chǔ)能力和安全性能。它通常用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù),如圖像、視頻、音頻、文檔等,同時(shí)具備保護(hù)數(shù)據(jù)免受未經(jīng)授權(quán)訪問或篡改
2024-01-24 18:30:00
引領(lǐng)未來(lái)的ADL8106CHIPS華灃恒霖電子,作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片貿(mào)易商,致力于將最尖端的技術(shù)和產(chǎn)品帶給每一位尊貴的客戶。今天,我們要為您重磅推薦一款顛覆性的產(chǎn)品:ADL8106CHIPS
2024-01-14 22:57:37
在2024年第一季度,NAND Flash及其相關(guān)產(chǎn)品的價(jià)格預(yù)計(jì)將呈現(xiàn)上漲趨勢(shì)。盡管面臨傳統(tǒng)淡季需求下降的情況,采購(gòu)活動(dòng)仍在持續(xù)擴(kuò)大,以建立安全庫(kù)存水位。
2024-01-11 16:42:39633 什么是SD NAND?它俗稱貼片式T卡,貼片式TF卡,貼片式SD卡,貼片式內(nèi)存卡,貼片式閃存卡,貼片式卡...等等。雖然SD NAND 和TF卡稱呼上有些類似,但是SD NAND和TF卡有著本質(zhì)上的區(qū)別。
2024-01-06 14:35:57861 卡有著本質(zhì)上的區(qū)別。
SD NAND 與 TF卡的區(qū)別:(看圖表)
SD和TF區(qū)別
LGA-8封裝
什么是LGA-8封裝?
LGA-8封裝是一種將芯片引腳通過電路板的層間連接
2024-01-05 17:54:39
綜觀全球儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)市場(chǎng)排名,研調(diào)機(jī)構(gòu)Omdia報(bào)告顯示,三星以34.3%市占率位居龍頭,第二名是日商鎧俠(市占率19.5%),美國(guó)威騰電子居于第三(市占率15.9%),SK海力士排第四(市占率約15.1%)。
2024-01-04 10:35:56151 ;
??對(duì)比兩種型號(hào)SD NAND芯片,發(fā)現(xiàn)CSNP32GCR01-AOW型號(hào)具有更高的讀寫速度;
六、總結(jié)
??本來(lái)打算拿這些樣片去試試信息安全領(lǐng)域是否有所應(yīng)用,但發(fā)現(xiàn)其似乎內(nèi)置了復(fù)位或初始化,導(dǎo)致
2023-12-22 17:43:53
你好。我們現(xiàn)在使用的是 bf537-stamp官方評(píng)估板,板載4M norflash 將4m bank 全部占滿。現(xiàn)在改用spiflash啟動(dòng)。 用其中一個(gè)bank鏈接128Mbit
2023-12-22 07:11:37
SD NAND具有較快的讀寫速度,廣泛兼容性,耐用性好,功耗低等優(yōu)勢(shì),
MK-米客方德是SD NAND行業(yè)的技術(shù)引領(lǐng)者,工業(yè)應(yīng)用的領(lǐng)導(dǎo)品牌;具有更高的可靠性、更好的相容性、更長(zhǎng)的供貨周期、更廣泛的行業(yè)應(yīng)用和更優(yōu)質(zhì)的客制化服務(wù)。
2023-12-20 00:00:00311 他在記者會(huì)上稱,雖然期望2023年上半年能夠全面恢復(fù),但還需耐心等待。部分領(lǐng)域的需求推動(dòng)著市場(chǎng)前行,然而市場(chǎng)并未全面復(fù)蘇。他特別指出,現(xiàn)階段DRAM產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)良好,但NAND卻仍然停滯不前。
2023-12-19 13:54:26190 dram和nand的區(qū)別? DRAM和NAND是兩種不同類型的存儲(chǔ)器。DRAM(Dynamic Random Access Memory)是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,而NAND(Not AND)是一種邏輯
2023-12-08 10:32:003894 價(jià)格上調(diào)公告稱,主力產(chǎn)品hdd和nand閃存將縮短報(bào)價(jià)時(shí)間,定期調(diào)整價(jià)格。其中,hdd產(chǎn)品將每周審查價(jià)格,從明年上半年開始上調(diào)。nand閃存在未來(lái)幾個(gè)季度內(nèi)價(jià)格會(huì)上漲,可能會(huì)比現(xiàn)在上漲55%左右。
2023-12-07 14:18:58226 ,圖片(GUI)、視頻緩存、協(xié)議棧等等。傳統(tǒng)的 E2PROM 和 NOR Flash 就不夠用了。這個(gè)時(shí)候 MCU 可能就需要用到 NAND Flash。
針對(duì) MCU 需要使用大容量的存儲(chǔ)需求
2023-11-30 18:16:56
損壞或設(shè)備故障。而一些可貼片SD卡提供了防水、防塵和抗靜電等功能,以增加物理保護(hù)。
傳統(tǒng)SD卡和可貼片SD卡在功能和性能上并沒有本質(zhì)的區(qū)別,只是封裝形式不同。選擇哪種類型的SD卡取決于具體的應(yīng)用需求
2023-11-23 17:25:18
張丹表示:“過去的二十年間,F(xiàn)lash行業(yè)是從PB到EB的增長(zhǎng),千倍甚至萬(wàn)倍的增長(zhǎng),這個(gè)過程中產(chǎn)生了大量的消費(fèi)級(jí)和企業(yè)級(jí)的應(yīng)用場(chǎng)景,由此促進(jìn)了
NAND Flash行業(yè)的爬坡和
需求。在
未來(lái)兩到三年間,我們堅(jiān)信會(huì)迅速地邁入到ZB時(shí)代,尤其是以邊云為核心的應(yīng)用和場(chǎng)景?!?/div>
2023-11-20 09:07:501646 NAND FLASH,嵌入式sd卡,工業(yè)級(jí)sd卡,單片機(jī) nand flash,貼片式TF卡
2023-11-15 18:09:47219 PCB設(shè)計(jì)了。
采用H616驅(qū)動(dòng)SD NAND的示例代碼
下面是關(guān)于H616驅(qū)動(dòng)SD NAND的示例代碼,這里記錄一下自己當(dāng)初的學(xué)習(xí)過程(注:這個(gè)代碼不能直接拿過來(lái)就用,而是要根據(jù)自己的需求修改
2023-11-15 18:07:57
是否有關(guān)于如何配置 RT106x/RT107x 從(非序列的)NAND 啟動(dòng)的應(yīng)用程序注釋或示例?
我找到了一些信息, 但是還沒有在一個(gè)地方找到所有的信息。 如果它也包含一個(gè)例子, 那將會(huì)是件好事。
2023-11-13 06:32:43
: AND、NAND、OR或NOR。 HMC722LC3C還具有輸出電平控制引腳VR,可用于損耗補(bǔ)償或信號(hào)電平優(yōu)化。HMC722LC3C的所有輸入信號(hào)都通過50 ?電阻片上端
2023-11-06 21:57:24
SD NAND?芯片最好是要靠近host,這樣可以讓走線盡可能的短,減少干擾。
2023-11-04 11:30:40393 萬(wàn)兆光模塊在網(wǎng)絡(luò)傳輸中發(fā)揮著重要的作用,但是隨著未來(lái)網(wǎng)絡(luò)需求的不斷提升,它是否能夠應(yīng)對(duì)越來(lái)越高的需求呢?本文通過對(duì)萬(wàn)兆光模塊與未來(lái)網(wǎng)絡(luò)需求來(lái)分析。
2023-10-30 11:30:16202 看到很多STM32開發(fā)板,無(wú)論是野火還是原子,或者其他的板子,都會(huì)在開發(fā)板上加各種存儲(chǔ),SDRAM,NAND FLASH,SPI FLASH。
開發(fā)板可能是為了讓掌握這幾種存儲(chǔ)的使用;但是實(shí)際工作
2023-10-26 07:06:28
如果單片機(jī)不帶硬件操作nand flash的話,用軟件可以實(shí)現(xiàn)nand flash操作嗎?不要求速度,只要讀寫文件就可以了,請(qǐng)問怎么用單片機(jī)io模擬操作芯片
2023-10-23 06:30:34
總的來(lái)說(shuō),除了這個(gè)原因之外,還有很多其他的原因?qū)⑧]件從Gmail遷移到iCloud。進(jìn)一步,讓我們討論一種有效和快速的方法來(lái)批量遷移Gmail電子郵件到iCloud。
2023-10-10 15:40:28745 目前,NOR FLASH和NAND FLASH是市場(chǎng)上主要的非易失性閃存技術(shù),但是據(jù)我了解,還是有很多工程師分不清NAND FLASH與NOR FLASH。
2023-10-01 14:05:00468 隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求日益增長(zhǎng)。作為一種新型的非易失性存儲(chǔ)器,NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢(shì),在各個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對(duì)NAND Flash存儲(chǔ)器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、性能指標(biāo)及應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行詳細(xì)解析,以期為讀者提供一個(gè)全面的了解。
2023-09-27 18:26:171437 前言
嵌入式項(xiàng)目中,比較常見的存儲(chǔ)擴(kuò)展方案是使用TF/SD卡或者EMMC或者RAW NAND,各種方案都有其優(yōu)缺點(diǎn),而SD NAND相對(duì)于上述方案具備很多優(yōu)勢(shì),是目前嵌入式項(xiàng)目中存儲(chǔ)擴(kuò)展方案的一個(gè)
2023-09-26 17:40:35
在上一篇文章中為大家介紹了NAND Flash的工作原理和自身的特性(點(diǎn)擊查看 ),本次文章將繼續(xù)為大家?guī)?lái)關(guān)于NAND Flash的內(nèi)容。 一、NAND Flash 的容量結(jié)構(gòu) 從訪問NAND
2023-09-22 18:10:02752 一、核心技術(shù)理念
圖片來(lái)源:OpenHarmony官方網(wǎng)站
二、需求機(jī)遇簡(jiǎn)析
新的萬(wàn)物互聯(lián)智能世界代表著新規(guī)則、新賽道、新切入點(diǎn)、新財(cái)富機(jī)會(huì);各WEB網(wǎng)站、客戶端( 蘋果APP、安卓APK)、微信
2023-09-22 16:12:02
避難是在智能手機(jī)、電腦、數(shù)據(jù)中心等使用儲(chǔ)存裝置“nand閃存”的企業(yè),由于存儲(chǔ)器市場(chǎng)的需求減少,企業(yè)紛紛減產(chǎn),因此預(yù)計(jì)到2024年以后需求才會(huì)恢復(fù)。
2023-09-22 10:13:24683 NAND Flash 和NOR Flash 的差別在哪兒呢?從字面意思上看, NAND = not AND(與非),NOR = not OR(或非),也有可能是NMOS AND/OR。同為非揮發(fā)
2023-09-11 16:59:231901 NAND Flash是一種非易失存儲(chǔ)器,也就是掉電不丟失類型,現(xiàn)在我們常見的存儲(chǔ)設(shè)備基本都是NAND Flash,比如U盤、固態(tài)硬盤,手機(jī)存儲(chǔ)等等,電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2023-09-11 14:48:23553 沒有SPI-Nand, NAND 無(wú)法啟動(dòng)
2023-09-06 06:24:06
Nand Flash存儲(chǔ)器是Flash存儲(chǔ)器的一種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了高性價(jià)比、高性能的解決方案。Nand Flash存儲(chǔ)器具有容量較大、改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)
2023-09-05 18:10:011617 隨著NAND資源供應(yīng)收緊,近期現(xiàn)貨NAND行情持續(xù)回溫,各環(huán)節(jié)陸續(xù)回補(bǔ)庫(kù)存,尤其有實(shí)際需求的終端積極備貨。不過目前行情主要是基于NAND wafer漲價(jià),成本上揚(yáng)帶動(dòng)成品價(jià)格反彈,市場(chǎng)整體傾向于
2023-09-05 16:19:52152 請(qǐng)問,這個(gè)nand是不是會(huì)有壞塊問題?會(huì)不會(huì)出現(xiàn)無(wú)法啟動(dòng)到客戶那邊!因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">nand除了ecc,還有負(fù)載平衡,處理壞塊!文件系統(tǒng)也要求高
另外spi nand能運(yùn)行non-os嗎?可以直接燒寫程序進(jìn)去嗎?
2023-09-04 07:11:01
三星業(yè)績(jī)近期表現(xiàn)非常差,三星為了增強(qiáng)NAND閃存競(jìng)爭(zhēng)力計(jì)劃在2024年升級(jí)其NAND核心設(shè)備供應(yīng)鏈。
2023-08-30 16:10:02192 樣本代碼顯示在外部 Winbond W25N02JW SPI NAND Flash 中訪問文件。 文件系統(tǒng)為 FAT32。 用戶可以將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在 SPI NAND Flash 中作為數(shù)據(jù)記錄器
2023-08-29 07:21:07
三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲(chǔ)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)愈加激烈,三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存,三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53281 設(shè)備需要有歷史記錄存儲(chǔ)查詢功能,采用8M的nand flash存儲(chǔ)方案,請(qǐng)問可以用flashDB嗎?特別需要喜歡按時(shí)間戳一鍵查詢的接口。
2023-08-20 17:28:54
由于長(zhǎng)期nand型需求沒有得到恢復(fù),鎧俠將在日本巖手縣其他場(chǎng)建設(shè)的生產(chǎn)工廠的啟動(dòng)時(shí)間從當(dāng)初的2023年推遲到了2024年以后。另外,成套設(shè)備的交貨也在推遲。
2023-08-14 10:06:52283 引言:并行Nand Flash是中等容量存儲(chǔ)方案的理想選擇,相比于SPI Nand Flash,性能更優(yōu),但體積較大,使用并沒有后者廣泛,多使用在嵌入式,物聯(lián)網(wǎng),工業(yè)等領(lǐng)域。
2023-08-11 15:50:13841 引言:隨著嵌入式系統(tǒng)的發(fā)展,有許多具有串行外圍接口(SPI)的應(yīng)用需要更高密度的內(nèi)存解決方案來(lái)存儲(chǔ)大型程序系統(tǒng)和文件。對(duì)于這些應(yīng)用需求,基于Nand結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)解決方案提供了Serial Nand系列。
2023-08-11 15:49:011022 一、什么是pSLC
pSLC(Pseudo-Single Level Cell)即偽SLC,是一種將MLC/TLC改為SLC的一種技術(shù),現(xiàn)Nand Flash基本支持此功能,可以通過指令控制MLC
2023-08-11 10:48:34
SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存,成為業(yè)界首家開發(fā)出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品,并介紹了開發(fā)進(jìn)展情況。
2023-08-10 16:01:47704 引腳分布外,在引腳功能上SD NAND 和 SD Card 并無(wú)明顯差別。
參考設(shè)計(jì)電路圖
從所給的參考電路來(lái)看,與設(shè)計(jì) SD卡托 所需外圍電路基本一致,不用修改外圍器件或原理圖,只需少量修改 PCB
2023-07-28 16:23:18
對(duì)NAND存儲(chǔ)器的需求不斷增長(zhǎng) 隨著游戲產(chǎn)業(yè)和數(shù)據(jù)中心的蓬勃發(fā)展,全球 NAND 市場(chǎng)正呈擴(kuò)張之勢(shì)。而由于新冠疫情的爆發(fā),人們更多選擇遠(yuǎn)程辦公和在線課程,對(duì)數(shù)據(jù)中心和云服務(wù)器的需求隨之增長(zhǎng),市場(chǎng)
2023-07-24 14:45:03424 隨著游戲產(chǎn)業(yè)和數(shù)據(jù)中心的蓬勃發(fā)展,全球 NAND 市場(chǎng)正呈擴(kuò)張之勢(shì)。而由于新冠疫情的爆發(fā),人們更多選擇遠(yuǎn)程辦公和在線課程,對(duì)數(shù)據(jù)中心和云服務(wù)器的需求隨之增長(zhǎng)
2023-07-24 14:42:48808 蘋果閃存和SSD都基于閃存技術(shù),但存在一些細(xì)微差別。蘋果閃存是專為蘋果產(chǎn)品而開發(fā)的,使用NAND(非易失性閃存)芯片技術(shù),而SSD可以是通用的,采用不同類型的閃存芯片,如NAND、MLC(多級(jí)單元)或TLC(三級(jí)單元)。
2023-07-19 15:21:372101 隨著密度和成本的飛速進(jìn)步,數(shù)字邏輯和 DRAM 的摩爾定律幾乎要失效。但是在NAND 閃存領(lǐng)域并非如此,與半導(dǎo)體行業(yè)的其他產(chǎn)品不同,NAND 的成本逐年大幅下降。
2023-07-18 10:13:351203 NAND閃存是一種電壓原件,靠其內(nèi)存電壓來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
2023-07-12 09:43:211444 業(yè)界專家認(rèn)為,隨著最終市場(chǎng)的庫(kù)存下降到適當(dāng)水平,主要綜合需求者們接受了nand價(jià)格的進(jìn)一步下降是有限度的這一點(diǎn)。雖然所有手機(jī)的出貨量在減少,但是板容量的需求卻在持續(xù)增加。
2023-07-11 09:53:10307 本文詳細(xì)介紹了設(shè)計(jì)光學(xué)PoC接收鏈時(shí)需考慮的關(guān)鍵因素,闡釋了集成式光學(xué)前端能滿足這些性能需求的原因及相應(yīng)的關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)——助力構(gòu)建適應(yīng)未來(lái)需求的平臺(tái)。
2023-07-08 11:23:25310 三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開發(fā)計(jì)劃,預(yù)計(jì)在2024年推出第九代3D NAND,其層數(shù)可達(dá)到280層
2023-07-04 17:03:291744 閃存存儲(chǔ)設(shè)備:NAND芯片作為主要的閃存存儲(chǔ)媒介,被廣泛用于固態(tài)硬盤(SSD)、USB閃存驅(qū)動(dòng)器、內(nèi)存卡(如SD卡、MicroSD卡)和閃存盤等。
2023-06-28 16:25:495198 本文轉(zhuǎn)自公眾號(hào),歡迎關(guān)注 開放NAND閃存接口ONFI介紹 (qq.com) 一.前言 ? ONFI即 Open NAND Flash Interface, 開放NAND閃存接口.是一個(gè)由100多家
2023-06-21 17:36:325864 1. 消息稱三星醞釀 NAND 存儲(chǔ)晶圓漲價(jià),報(bào)價(jià)漸趨強(qiáng)硬 ? 據(jù)報(bào)道,三星計(jì)劃提高 NAND 晶圓價(jià)格。此外,如果消費(fèi)電子市場(chǎng)需求在下半年改善,NAND 晶圓合約報(bào)價(jià)或?qū)⒒厣?。?bào)道稱,韓國(guó)
2023-06-09 12:01:041114 NAND門是一個(gè)邏輯門,如果其所有輸入均為真,則產(chǎn)生低輸出(0),否則產(chǎn)生高輸出(1)。因此,NAND門是AND門的反面,其電路是通過將AND門連接到NOT門來(lái)創(chuàng)建的。NAND門與 AND 門一樣,可以有任意數(shù)量的輸入探頭,但只能有一個(gè)輸出探頭。
2023-05-23 15:42:408603 我想知道是否有人在 RT1052 或類似的東西上使用過 NAND FLASH。
因?yàn)槲以噲D將它包含在我的 PCB 中而且我看到 RT1052 支持它但我沒有看到任何關(guān)于它的示例。
2023-05-18 06:53:45
您好,我們目前有一個(gè)場(chǎng)景,當(dāng)我們的 PCA8575 IO 擴(kuò)展器失去 3.3V 電源時(shí)(由于正常的斷電過程),將有兩個(gè) IO 引腳,特別是引腳 13 和引腳 20 將暴露在單獨(dú)的 3.3V 上100 毫秒的順序。這是允許的嗎?我們可以預(yù)期未來(lái)的損壞或退化嗎?
2023-05-16 08:05:36
蘋果Apple ID出現(xiàn)大面積故障 蘋果Apple ID昨天出現(xiàn)了大面積的故障,甚至包括支付都不行;而Apple ID/iCloud賬戶也無(wú)法登錄。 而且從網(wǎng)友的反饋來(lái)看,蘋果Apple ID出現(xiàn)
2023-05-12 11:55:012468 我試圖讓 RT1052 從外部 QSPI NAND 閃存 W25N01GVZEIG 啟動(dòng)。我們選擇了RT1050參考手冊(cè)中提到的這個(gè)NAND flash。我還附上了數(shù)據(jù)表。
我還使用 NXP MCU
2023-05-12 07:55:18
Semiconductor。 ? X-NAND ? 相信去年的閃存峰會(huì)上,除了鎧俠、SK海力士、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、三星等大廠所做的技術(shù)分享外,大家也都注意到了這家名為NEO Semiconductor的初創(chuàng)企業(yè)。這是一家專為NAND閃存和DRAM內(nèi)存開發(fā)創(chuàng)新架構(gòu)的廠商,其去年推出的X-NAND第二代技術(shù),允許3D NAND閃存
2023-05-08 07:09:001982 我查看了 S32DS IDE 中的現(xiàn)有示例 Fls_Example_S32K344,它可以與外部 NOR 閃存MX25L6433FM2I-08G 64Mb通信 。移植 Nand 閃存 ,其讀/寫協(xié)議
2023-04-28 08:29:07
- 我的任務(wù)是找出根本原因并解決基于 imx28 的定制設(shè)計(jì)板中的問題。
- imx28 無(wú)法從 NAND 啟動(dòng)并進(jìn)入 USB 恢復(fù)模式。
- 將 NAND 閃存更改為不同的 NAND 閃存后
2023-04-27 06:50:47
陶瓷電容器市場(chǎng)需求擴(kuò)大:未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)展望
2023-04-26 10:47:09873 \\\\MDK-ARM
2、編譯后下載到開發(fā)板
3、將項(xiàng)目?jī)?nèi)的SD卡文件分別拷入卡內(nèi)
SD NAND的寫入速度:
?
編輯
TF卡的寫入速度:
?
編輯
從這樣看,SD NAND卡的寫入速度比TF卡要快很多。
插入卡后
2023-04-25 17:52:56
載到開發(fā)板3、將項(xiàng)目?jī)?nèi)的SD卡文件分別拷入卡內(nèi)SD NAND的寫入速度:TF卡的寫入速度:從這樣看,SD NAND卡的寫入速度比TF卡要快很多。插入卡后,很快的檢測(cè)到了SD卡,訪問速度也是相當(dāng)?shù)目?。這次
2023-04-20 13:28:35
用 Yocto 和 UUU。因?yàn)闆]看懂內(nèi)容。所以我分別下載并構(gòu)建了Buildroot、Uboot和linux。另外,我正在使用 mfgtool 在黑板上書寫。所以我需要一個(gè)修復(fù)指南來(lái)為最新版本或 5.10 配置 NAND 引導(dǎo)。是否有可能得到一些幫助?
2023-04-20 07:55:17
前言嵌入式項(xiàng)目中,比較常見的存儲(chǔ)擴(kuò)展方案是使用TF/SD卡或者EMMC或者RAW NAND,各種方案都有其優(yōu)缺點(diǎn),而SD NAND相對(duì)于上述方案具備很多優(yōu)勢(shì),是目前嵌入式項(xiàng)目中存儲(chǔ)擴(kuò)展方案的一個(gè)非常
2023-04-18 23:03:42
技術(shù)及工藝的先進(jìn)性,還較大程度上依賴進(jìn)口,未來(lái)進(jìn)口替代空間較大。從中長(zhǎng)期看,國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體需求將持續(xù)快速增長(zhǎng)。根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院預(yù)測(cè),到2026年分立器件的市場(chǎng)需求將超過3,700億元。近年來(lái)物聯(lián)網(wǎng)
2023-04-14 13:46:39
中央處理器:imx6ul我正在嘗試從nand flash中讀取數(shù)據(jù),發(fā)現(xiàn)有些數(shù)據(jù)總是固定為0xFn或0xnF,如下所示:數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤規(guī)則是每?jī)纱巫x取。第二次讀取數(shù)據(jù)中2018字節(jié)的高quad位固定
2023-04-06 06:15:15
我的Nand Flash有4個(gè)通道DQ0[0..7], DQ1[0..7], DQ2[0..7], DQ3[0..7],將它連接到 IMX8 的最佳方式是什么?當(dāng)使用 IMX8 的 GPIO 控制
2023-04-04 06:12:17
大家好, 我們計(jì)劃在MIMXRT1062DVL6B部分的SEMC接口上使用NAND Flash。我們可以用于 NAND Flash的最大尺寸是多少? 根據(jù)手冊(cè),它表示支持每個(gè)區(qū)域 512Mbit
2023-03-31 07:47:22
我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來(lái)了,理論上可以無(wú)線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 我正在嘗試將 SEMC NAND 與 MCUBootutility 結(jié)合使用。該項(xiàng)目是 cm_7 blinky SDK我首先必須修改鏈接器文件,如圖所示 我在哪里可以找到這樣的表以及我還需要修改
2023-03-29 07:39:05
外部或內(nèi)部 SDRAM。我們的應(yīng)用程序肯定會(huì)超過OCRAM,所以它會(huì)被復(fù)制到外部SDRAM,那么從NAND falsh復(fù)制到SDRAM的應(yīng)用程序的調(diào)試功能是否正常?是否有任何用于該用途的 SDK 示例
2023-03-29 07:06:44
我們目前正在構(gòu)建一個(gè)帶有 i.MX RT1172 微控制器的定制板,以及一個(gè)通過 FlexSPI 連接的 QSPI NAND 閃存,我們需要知道的是:- BootROM 如何將代碼從外部 NAND
2023-03-27 07:06:34
評(píng)論
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