瑞薩電子推出面向網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的高速存儲器產(chǎn)品

　　瑞薩電子株式會社(以下簡稱瑞薩電子)于2011年1月18日正式宣布推出5款面向網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的高速存儲器產(chǎn)品576Mb(Mbit)低時延 DRAM，品名分別為μPD48576109、μPD48576118、μPD48576209、μPD48576218、μPD48576236。新產(chǎn)品將于即日起提供樣品。

　　與公司原有288Mb 低時延DRAM“μPD48288236”產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品最大的特點是其存儲容量提升至原有產(chǎn)品的2倍，實現(xiàn)了大容量化。此外，其高速數(shù)據(jù)讀寫隨機周期性能提高了25%，最大工作頻率提高了33%，而功耗卻比原有產(chǎn)品降低了10%。

　　由于新產(chǎn)品的單位存儲器容量功耗低，比公司原有產(chǎn)品大幅度節(jié)省了能源，因此更便于解決網(wǎng)絡(luò)設(shè)備設(shè)計上的散熱問題。

　　目前新產(chǎn)品樣片價格為5,000日元。瑞薩電子計劃于2011年下半年起實現(xiàn)該產(chǎn)品的批量生產(chǎn)，預(yù)計到2012年該5種產(chǎn)品的年產(chǎn)量將共達到200萬顆以上。

　　隨著寬帶網(wǎng)絡(luò)的普及和云計算的推廣，利用網(wǎng)絡(luò)來進行大容量數(shù)據(jù)交換的方式越來越普遍，這導致了網(wǎng)絡(luò)流量的急劇增長。為了使流量處理更順暢，同時降低功耗實現(xiàn)節(jié)能環(huán)保，交換機及路由器等網(wǎng)絡(luò)設(shè)備需要內(nèi)置更大容量、更高速、更低功耗的存儲器。

　　瑞薩電子此次推出的新產(chǎn)品，正是為了滿足網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的上述需求。新產(chǎn)品詳細優(yōu)勢如下：

　　(1)實現(xiàn)了大容量、高速及低功耗

　　新產(chǎn)品充分利用了瑞薩電子在高速存儲器領(lǐng)域長期積累的高速靈敏放大器和低功耗存儲器開發(fā)經(jīng)驗與技術(shù)，采用了操作時將啟動的存儲器陣列保持在最小限度的控制方式，這使其與公司原有產(chǎn)品相比實現(xiàn)了數(shù)據(jù)讀寫的進一步高速化與功耗的大幅降低。新產(chǎn)品的存儲容量為576Mb，是公司原有產(chǎn)品288Mb的2倍;同時，其高速數(shù)據(jù)讀寫隨機周期性能也提高了25%，從20ns縮短到15ns;此外，盡管最高操作頻率從原有的400MHz提高了33%達到533MHz，其功耗卻比原有產(chǎn)品降低了10%以上。

　　(2)采用與原有產(chǎn)品同樣尺寸的封裝，有利于用戶縮短開發(fā)周期

　　雖然存儲器容量擴大了一倍，新產(chǎn)品卻仍采用與原有產(chǎn)品相同的11mm×18.5mm封裝尺寸，該封裝尺寸擁有大量應(yīng)用實績，其高可靠性已得到市場普遍認可。另外，新產(chǎn)品在印刷電路板的設(shè)計上沒有大的變更。通過存儲器的大容量化和高速化，本次的新產(chǎn)品不僅可使系統(tǒng)整體性能得到提高，還能使可靠性與電特性上的風險得到降低。

　　目前瑞薩電子是全球唯一能面向網(wǎng)絡(luò)設(shè)備領(lǐng)域提供QDR SRAM，低時延 DRAM，TCAM(Ternary Content Addressable Memory)等存儲器產(chǎn)品的制造廠商。此前，瑞薩電子已推出了從18Mb到72Mb的QDR SRAM、TCAM、288Mb及1.1Gb(Giga bit)低時延 DRAM等產(chǎn)品。此次，瑞薩電子又通過推出576Mb 低時延 DRAM等系列新產(chǎn)品，進一步擴充了其面向網(wǎng)絡(luò)設(shè)備存儲器的產(chǎn)品陣容。

　　為了應(yīng)對交換機、路由器等網(wǎng)絡(luò)設(shè)備在高性能化與節(jié)能省電方面日益增長的需求，此次的新產(chǎn)品定位為高性能和低功耗產(chǎn)品，計劃在全球范圍內(nèi)推廣銷售。今后，瑞薩電子將以成為全球產(chǎn)品陣容最豐富最齊全的廠商為目標，不斷開發(fā)應(yīng)用于尖端技術(shù)的網(wǎng)絡(luò)設(shè)備存儲器產(chǎn)品，擴大公司在網(wǎng)絡(luò)存儲器領(lǐng)域的市場份額，力爭將2009年度全球No.1的40%擴大到2012年度的60%。