瑞薩電子推出新型高壓功率MOSFET產(chǎn)品RJK60S5DPK

　　瑞薩電子株式會社(以下簡稱瑞薩電子)推出用于電源器件的新型高壓、N通道功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)產(chǎn)品。新產(chǎn)品名為RJK60S5DPK，具有極高的效率，能顯著降低PC服務(wù)器、通信基站以及太陽能發(fā)電系統(tǒng)等的功耗。

　　作為瑞薩電子高壓功率MOSFET系列的首款產(chǎn)品，本次的RJK60S5DPK非常適用于將交流電(AC)轉(zhuǎn)換為直流電(DC)的電源主開關(guān)電路應(yīng)用。其所采用的高精度超級連接結(jié)構(gòu)，使其實現(xiàn)了高于瑞薩電子現(xiàn)有產(chǎn)品約90%的性能系數(shù)(FOM，功率MOSFET產(chǎn)品的重要性能指標(biāo))。

　　近年來，為降低能源消耗，電源電路的高效化需求正在不斷增長。尤其是平板電視、通信基站、PC服務(wù)器、以及太陽能發(fā)電系統(tǒng)等高輸出功率的電源開關(guān)系統(tǒng)，更是對電力轉(zhuǎn)換效率的改善與省電性能提出了更高的要求。因此，功率MOSFET產(chǎn)品也面臨著更低的導(dǎo)通電阻性能需求。然而，功率MOSFET的傳統(tǒng)平面結(jié)構(gòu)卻限制了產(chǎn)品的完善空間。面對上述課題，本次瑞薩電子嘗試將其長期累積的功率器件技術(shù)用于功率MOSFET，利用深槽工藝，成功地開發(fā)出了高精度超級連接結(jié)構(gòu)，使MOSFET器件的單位面積導(dǎo)通電阻得到了顯著的降低。

　　新型RJK60S5DPK功率MOSFET具有以下主要優(yōu)勢：

　　(1)領(lǐng)先業(yè)界的低導(dǎo)通電阻

　　新型的RJK60S5DPK導(dǎo)通電阻僅為150mΩ(在ID=10A，VGSS=10V情況下的標(biāo)準(zhǔn)值)，比瑞薩電子現(xiàn)有同類產(chǎn)品低了約52%，有效改善電源轉(zhuǎn)換時的電力損失。

　　(2) 高速開關(guān)

　　影響開關(guān)速度的首要、也是最主要的原因是功率MOSFET的驅(qū)動器電容。新RJK60S5DPK的驅(qū)動器電容(柵電荷Qgd)比瑞薩電子現(xiàn)有產(chǎn)品降低了約80%，成功實現(xiàn)了6nC(在ID= 10，VGSS=10伏情況下的標(biāo)準(zhǔn)值)的開關(guān)速度，實現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換效率的顯著提升。

　　此外，RJK60S5DPK功率MOSFET不但采用了與TO-3P相同外形的標(biāo)準(zhǔn)封裝，同時還采用了符合業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的引腳配置。這意味著它將非常易于安裝在采用傳統(tǒng)平面MOSFET器件并備受業(yè)內(nèi)好評的開關(guān)電源電路板上。

　　相比瑞薩電子原有的平面結(jié)構(gòu)系列產(chǎn)品，采用高精密超級連接結(jié)構(gòu)的功率MOSFET系列產(chǎn)品的單位面積導(dǎo)通電阻降低了約80%。因此，在導(dǎo)通電阻相同的情況下，新產(chǎn)品可幫助芯片產(chǎn)品實現(xiàn)面積的縮小。例如，原先采用TO-3P(15.6mm×19.9mm)封裝的產(chǎn)品如采用本次的新功率MOSFET，將可使其封裝縮小到TO-220FL(10mm×15mm)。這對今后瑞薩電子推廣小型封裝產(chǎn)品起到至關(guān)重要的作用。

　　瑞薩電子計劃面向平板電視、通信基站、PC服務(wù)器等的開關(guān)電源應(yīng)用，積極推廣本次的新產(chǎn)品，以此推動終端產(chǎn)品的節(jié)能化發(fā)展。今后，瑞薩電子還將繼續(xù)推出超低導(dǎo)通電阻MOSFET的后續(xù)產(chǎn)品，以擴充系列產(chǎn)品線，并積極展開相應(yīng)的業(yè)務(wù)擴展。

　　定價和供貨情況

　　新型RJK60S5DPK功率MOSFET的樣品現(xiàn)已上市，建議零售價為每個US$5。 瑞薩電子計劃于2011年4月開始實現(xiàn)該產(chǎn)品的量產(chǎn)，并計劃到2011年10月實現(xiàn)月產(chǎn)50萬個的目標(biāo).