NLAS324 雙通道SPST模擬開(kāi)關(guān) 單電源

數(shù)據(jù)：數(shù)據(jù)表：雙SPDT模擬開(kāi)關(guān)，低電壓，單電源

NLAS324是雙SPST（單刀單擲）開(kāi)關(guān)，類(lèi)似于1/2標(biāo)準(zhǔn)4066.該設(shè)備允許獨(dú)立選擇2個(gè)模擬/數(shù)字信號(hào)。封裝是超小型的8.

與先前的高壓技術(shù)相比，采用先進(jìn)的0.6 5 CMOS工藝，大大提高了R _ON電阻。

特性
導(dǎo)通電阻為20Ω典型值，5.0 V
匹配<各段之間的1Ω
2 - 6 V工作范圍
超低<5 pC電荷注入
超低泄漏<1 nA，5.0 V，25°C
寬帶寬> 200 MHz，-3 dB
兼容CMOS / TTL
2000 V ESD（HBM）
R _on平面度+/-6Ω5.0V
US8 Package
獨(dú)立，正面啟用
無(wú)鉛封裝可用