CSD88537ND 60-V Dual N-Channel NexFET Power MOSFET, CSD88537ND

數(shù)據(jù)： CSD88537ND 雙路 60V N 通道 NexFET 功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 數(shù)據(jù)表 (Rev. A)

描述

這款雙路小外形尺寸（SO）-8,60V，12.5mΩNexFET功率MOSFET用途低電流電機(jī)控制應(yīng)用中的半橋。

頂視圖

要了解所有可用封裝，請(qǐng)見數(shù)據(jù)表末尾的可訂購(gòu)產(chǎn)品附錄.R _θJA = 60°C /W，這是在一個(gè)厚度0.06英寸環(huán)氧樹脂（FR4）印刷電路板（PCB）上的1英寸²，2盎司的銅焊盤上測(cè)得的典型值
。最大R _θJL = 20°C /W，脈沖持續(xù)時(shí)間≤100μs，占空比≤1％

特性

超低Q _g和Q _gd
雪崩額定值
無(wú)鉛
符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)
無(wú)鹵素

應(yīng)用范圍

用于電機(jī)控制的半橋
同步降壓轉(zhuǎn)換器

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?N 通道 MOSFET

?
VDS (V)
Logic Level
RDS(on) Typ at VGS=10V (Typ) (mOhm)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
QG Typ (nC)
Configuration
Package (mm)
Operating Temperature Range (C)
QGS Typ (nC)
QGD Typ (nC)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
?

CSD88537ND	CSD88539ND
60 ? ?	60 ? ?
No ? ?	No ? ?
12.5 ? ?	23 ? ?
15 ? ?	28 ? ?
62 ? ?	46 ? ?
16 ? ?	11.7 ? ?
14 ? ?	14 ? ?
Dual ? ?	Dual ? ?
SO-8 ? ?	SO-8 ? ?
-55 to 150 ? ?	-55 to 150 ? ?
4.6 ? ?	4.6 ? ?
2.3 ? ?	2.3 ? ?
20 ? ?	20 ? ?
3 ? ?	3 ? ?