LMG1210 LMG1210 高級(jí) eGaN FET 300V 半橋驅(qū)動(dòng)器

LMG1210是一款200V半橋高性能氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GaN FET）驅(qū)動(dòng)器，專為要求高開關(guān)速度，最短死區(qū)時(shí)間LDA精確控制至5V。

LMG1210 GaN驅(qū)動(dòng)器經(jīng)精心設(shè)計(jì)，應(yīng)用中，并具有可提供超高頻可調(diào)節(jié)死區(qū)時(shí)間功能，極短的傳播延遲以及1.5ns高側(cè)/低側(cè)匹配，以優(yōu)化系統(tǒng)效率。

GaN FET上額外的寄生電容被最小化至小于1pF，以減少額外的開關(guān)損耗。外部自舉二極管用于對(duì)高側(cè)自舉電容器充電，以便提供適用于電路工作條件的最佳選擇。

當(dāng)?shù)蛡?cè)不導(dǎo)通時(shí)，內(nèi)部開關(guān)會(huì)關(guān)閉自舉二極管，以有效防止高側(cè)自舉過度充電，并在將硅二極管用作自舉二極管時(shí)將反向恢復(fù)電荷降至最低。

GaN驅(qū)動(dòng)器可在兩種不同的模式下工作：獨(dú)立輸入模式（IIM）和PWM模式。在IIM中，每個(gè)輸出都由專用輸入獨(dú)立控制。在PWM模式下，兩個(gè)補(bǔ)償輸出信號(hào)由單個(gè)輸入產(chǎn)生，用戶可將每個(gè)沿的死區(qū)時(shí)間從0ns調(diào)節(jié)為20ns.LMG1210可在-40 °C至125°C的寬溫度范圍內(nèi)運(yùn)行，并采用低電感WQFN封裝。