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      FGA30N65SMD 650 V 30 A 場截止IGBT

      數(shù)據(jù)：

      飛兆半導(dǎo)體的場截止第二代IGBT新系列采用新型場截止IGBT技術(shù)，為太陽能逆變器，UPS，焊機，感應(yīng)加熱，通訊，ESS和PFC等低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗至關(guān)重要的應(yīng)用提供最佳性能。
      特性
      • 最大結(jié)溫：T J = 175 o C
      • 正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)運行
      • 高電流能力
      • 低飽和電壓：V CE（sat） = 1.98 V（典型值）@ I C = 30
      • 快速開關(guān)
      • 緊密的參數(shù)分布
      • 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

      電路圖、引腳圖和封裝圖




      技術(shù)文檔

      數(shù)據(jù)手冊（1） 相關(guān)資料（2）
      元器件購買 FGA30N65SMD 相關(guān)庫存