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FAN5026 雙輸出/ DDR PWM控制器

數(shù)據(jù):

FAN5026 PWM控制器為兩個輸出電壓提供高效率的調(diào)節(jié),可調(diào)范圍從0.9v至5.5V,這是高性能計算機,機頂盒以及VGA卡中的電源I / O,芯片組,存儲器庫所必需的。同步整流有利于在較寬的負載范圍內(nèi)獲得高效率。如果使用MOSFETR DS(ON)作為電流感測組件,效率還可進一步提高。斜坡調(diào)制,平均電流模式控制機制以及內(nèi)部反饋補償?shù)裙δ軐崿F(xiàn)了負載瞬態(tài)快速響應。具有180°相位偏移的異相操作減少了輸入電流紋波??刂破骺赏ㄟ^激活專用引腳,轉(zhuǎn)變成完全的DDR存儲器電源解決方案。在DDR模式中,一個通道跟蹤另一通道的輸出電壓并提供輸出灌電流和源功能,這對于DDR芯片正確加電至關(guān)重要。還提供了此類存儲器所需的緩沖參考電壓.FAN5026監(jiān)控這些輸出,并在軟啟動完成并輸出在其設(shè)定點的±10%內(nèi)時生成獨立的PGx(電源正常)信號。壓保護可防止輸出電壓超過其設(shè)定點的120%。過壓條件停止后,會自動恢復正常操作。當輸出在其軟啟動序列完成后降至其設(shè)定值的75%以下時,欠壓保護會閂鎖芯片??烧{(diào)過流功能通過感測較低MOSFET兩端的壓降來監(jiān)控輸出電流。需要精確電流感測時,可使用外部電流感測電阻。
特性
  • 高靈活性,雙同步開關(guān)PWM控制器包括以下模式:
  • 帶同相操作的DDR模式,用于減少通道干擾
  • 90°相位偏移的兩階DDR模式,用于減少輸入紋波
  • 雙獨立調(diào)節(jié)器,180°相位偏移
  • 完整DDR存儲器電源解決方案
  • V TT 跟蹤V DDQ / 2
  • V DDQ / 2 緩沖參考輸出
  • 低端MOSFET上的無損電流感測或者使用感測電阻的精確過流
  • V CC 欠壓閉鎖
  • 寬輸入范圍:3V至16V
  • 卓越動態(tài)響應,使用電壓前饋和平均電流模式控制
  • 電源正常信號
  • 支持DDR-II和HSTL
  • 28引腳薄型小封裝
應用
  • TBA

電路圖、引腳圖和封裝圖




技術(shù)文檔

數(shù)據(jù)手冊(1) 相關(guān)資料(2)
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