描述
D1014UK是一款由Semelab plc生產(chǎn)的高性能硅DMOS射頻場(chǎng)效應(yīng)管（RF FET），專為40W輸出功率、28V供電電壓、500MHz頻率范圍內(nèi)的單端應(yīng)用設(shè)計(jì)。這款產(chǎn)品采用了金屬化多用途硅DMOS技術(shù)，具備出色的射頻性能和可靠性，是高頻/甚高頻/超高頻通信系統(tǒng)中的理想選擇。
特性
- 簡(jiǎn)化的放大器設(shè)計(jì)：簡(jiǎn)化了射頻放大器的設(shè)計(jì)流程，便于工程師快速實(shí)施。
- 寬帶應(yīng)用適用：適用于寬帶應(yīng)用，覆蓋從1MHz到500MHz的頻率范圍。
- 低Crss（反向傳輸電容）：低Crss有助于減少放大器的寄生反饋，提高穩(wěn)定性。
- 1GHz下的有用功率輸出（PO）：在1GHz頻率下仍能保持有效的功率輸出。
- 低噪聲：低噪聲特性使其在接收機(jī)和低噪聲放大器應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。
- 高增益：最小增益為12dB，確保了信號(hào)的有效放大。
應(yīng)用
- HF/VHF/UHF通信：適用于1MHz至500MHz的通信系統(tǒng)，包括無(wú)線電廣播、無(wú)線通信和衛(wèi)星通信。
- 金屬柵射頻硅場(chǎng)效應(yīng)管（MetaFET）：采用先進(jìn)的金屬柵技術(shù)，提供卓越的射頻性能。
電氣特性
- 最大耗散功率：87.5W
- 漏源擊穿電壓：70V，±20V
- 漏極電流：在最大耗散功率條件下為10A
- 存儲(chǔ)溫度：-65°C至150°C
- 最大工作結(jié)溫：200°C
機(jī)械數(shù)據(jù)
- 封裝：提供詳細(xì)的機(jī)械尺寸和公差，以確保與現(xiàn)有系統(tǒng)的兼容性。
熱數(shù)據(jù)
- 結(jié)殼熱阻：最大2.0°C/W，確保有效的熱管理。
危險(xiǎn)物質(zhì)警告
- 鈹氧化物：設(shè)備引腳和金屬法蘭之間的陶瓷部分含有鈹氧化物，其粉塵具有高毒性。在處理和安裝過(guò)程中需小心，避免損壞此區(qū)域。
環(huán)保合規(guī)
- RoHS合規(guī)：產(chǎn)品符合歐盟限制有害物質(zhì)使用的指令。
