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TTElectronics/Semelab D2225UK 高性能硅DMOS射頻場(chǎng)效應(yīng)管(RFFET)

型號(hào): D2225UK
品牌: TT Electronics(TT)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 最大工作電壓 12.5V
  • 最大工作電流 4A
  • 工作頻率 1MHz到1GHz
  • 最大功率 5W
  • 增益 最小增益為10dB

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

描述

D2225UK是Semelab plc生產(chǎn)的一款金層化多功能硅DMOS射頻場(chǎng)效應(yīng)管(RF FET),專為5W功率范圍內(nèi)的應(yīng)用設(shè)計(jì),適用于12.5V以下的電壓,并且能夠處理高達(dá)1GHz的頻率。這款產(chǎn)品以其高增益和低噪聲特性,非常適合用于HF/VHF/UHF通信領(lǐng)域。

 

特性

  • 簡(jiǎn)化的放大器設(shè)計(jì):D2225UK的設(shè)計(jì)允許簡(jiǎn)化放大器的電路設(shè)計(jì),減少組件數(shù)量和復(fù)雜性。
  • 寬帶應(yīng)用:適用于1MHz到1GHz的HF/VHF/UHF通信。
  • 極低Crss:極低的交叉電容有助于減少信號(hào)失真,提高放大器的性能。
  • 簡(jiǎn)單的偏置電路:簡(jiǎn)化的偏置設(shè)計(jì)使得產(chǎn)品更容易集成到現(xiàn)有電路中。
  • 低噪聲:低噪聲特性使其非常適合高保真度的通信系統(tǒng)。
  • 高增益:至少10dB的最小增益,確保信號(hào)的有效放大。
  • SO8封裝:使用標(biāo)準(zhǔn)SO8封裝,便于集成和自動(dòng)化裝配。
  • 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn):產(chǎn)品符合歐盟關(guān)于限制有害物質(zhì)使用的法規(guī)。

 

應(yīng)用

D2225UK的應(yīng)用領(lǐng)域廣泛,主要包括:

  • HF/VHF/UHF通信:在1MHz到1GHz的頻率范圍內(nèi),適用于各種通信系統(tǒng)。
  • 金屬柵射頻硅場(chǎng)效應(yīng)管:采用先進(jìn)的金屬柵技術(shù),提供更好的性能和可靠性。
  • TetraFET技術(shù):利用TetraFET技術(shù),提供更高的功率處理能力和更優(yōu)的熱性能。

 

電氣特性

  • 最大漏極電流:4A
  • 漏源擊穿電壓:40V
  • 柵源擊穿電壓:±20V
  • 存儲(chǔ)溫度:-65°C至150°C
  • 最大工作結(jié)溫:200°C

 

機(jī)械數(shù)據(jù)

  • 封裝類型:SO8表面貼裝封裝
  • 引腳配置:包括源極、漏極和柵極等

 

危險(xiǎn)物質(zhì)警告

D2225UK的陶瓷部分含有氧化鈹,氧化鈹粉塵具有高毒性。在處理和安裝時(shí)必須小心,避免損壞該區(qū)域。

 

總結(jié)

D2225UK是一款高性能的射頻場(chǎng)效應(yīng)管,適用于需要高增益、寬帶寬和低噪聲的應(yīng)用。其簡(jiǎn)化的設(shè)計(jì)和符合環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)的特性使其成為通信和相關(guān)領(lǐng)域的理想選擇。

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