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優(yōu)起辰電子

主要從事半導(dǎo)體、電子元器件、集成電路產(chǎn)品、電子產(chǎn)品、通訊設(shè)備、機(jī)電設(shè)備、計(jì)算機(jī)軟硬件的技術(shù)開發(fā)與銷售;國內(nèi)貿(mào)易;經(jīng)營進(jìn)出口業(yè)務(wù)。

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N溝道貼片場效應(yīng)管STN1HNK60/600V/400mA

型號: STN1HNK60
品牌: ST(意法)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 型號 STN1HNK60
  • 品牌 ST意法
  • 封裝 SOT-223
  • VDS 600V
  • ID 400mA
  • Rds On 8.5 Ohms
  • PD 3.3W

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

制造商:  STMicroelectronics 

產(chǎn)品種類:  MOSFET 

RoHS: Yes  

技術(shù):  Si 

安裝風(fēng)格:  SMD/SMT 

封裝 / 箱體:  SOT-223-4 

晶體管極性:  N-Channel 

通道數(shù)量:  1 Channel 

Vds-漏源極擊穿電壓:  600 V 

Id-連續(xù)漏極電流:  400 mA 

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:  8.5 Ohms 

Vgs - 柵極-源極電壓:  - 25 V, + 25 V 

Vgs th-柵源極閾值電壓:  2.25 V 

Qg-柵極電荷:  7 nC 

最小工作溫度:  - 55 C 

最大工作溫度:  + 150 C 

Pd-功率耗散:  3.3 W 

通道模式:  Enhancement 

商標(biāo)名:  SuperMESH 

商標(biāo):  STMicroelectronics 

配置:  Single 

下降時(shí)間:  25 ns 

高度:  1.8 mm 

長度:  6.5 mm 

產(chǎn)品類型:  MOSFETs 

上升時(shí)間:  5 ns 

系列:  STN1HNK60 

包裝數(shù): 4000 

子類別:  Transistors 

晶體管類型:  1 N-Channel 

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:  19 ns 

典型接通延遲時(shí)間:  6.5 ns 

寬度:  3.5 mm 

單位重量:  250 mg 

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