制造商: STMicroelectronics
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: Yes
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: DPAK-3 (TO-252-3)
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 60 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 14 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 66 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 110 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo): STMicroelectronics
配置: Single
下降時間: 20 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 20 S
高度: 2.4 mm
長度: 6.6 mm
產(chǎn)品類型: MOSFETs
上升時間: 108 ns
系列: STD60NF06
包裝數(shù)： 2500
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: MOSFET
典型關(guān)閉延遲時間: 43 ns
典型接通延遲時間: 16 ns
寬度: 6.2 mm
單位重量: 330 mg
