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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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TC2181 低噪聲高動(dòng)態(tài)范圍 GaAs FET

型號(hào)： TC2181

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo
  • 型號(hào) TC2181
  • 名稱(chēng) 砷化鎵HEMT
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 Ceramic micro-X

--- 產(chǎn)品詳情 ---

TC2181

型號(hào)簡(jiǎn)介
Sumitomo的TC2181是一種高性能場(chǎng)效應(yīng)晶體管，封裝在帶有TC1101的陶瓷micro-x封裝中PHEMT芯片。TC2181組裝工藝確實(shí)通過(guò)了氣密總密封測(cè)試。它可以用于頻率高達(dá)24GHz或更高的應(yīng)用程序。它具有非常低的噪聲系數(shù)、高的相關(guān)增益和高動(dòng)態(tài)范圍，使該設(shè)備適用于低噪聲放大器。所有設(shè)備均經(jīng)過(guò)100%直流測(cè)試以確保一致的質(zhì)量。


型號(hào)規(guī)格  
廠家                    Sumitomo 
型號(hào)                    TC2181
名稱(chēng)                    砷化鎵HEMT
產(chǎn)地                    日本
封裝                    Ceramic micro-X
 

型號(hào)參數(shù)
0.5 dB 12 GHz時(shí)的典型噪聲系數(shù)
高相關(guān)增益：Ga=12 dB，典型頻率為12 GHz
118.5 dBm 12 GHz時(shí)的典型功率
112 GHz時(shí)的13 dB典型線性功率增益
擊穿電壓：BVDGO≥9V
LLg=0.25μm，Wg=160μm
嚴(yán)密的Vp范圍控制
高射頻輸入功率處理能力
1100%直流測(cè)試
適用于頻率高達(dá)24GHz或更高
MMicro-X金屬陶瓷封裝，通過(guò)氣密總密封測(cè)試


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