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TC1201P0912 低噪聲和中等功率GaAs FET

型號： TC1201P0912

--- 產品參數 ---

  • 廠家 Sumitomo
  • 型號 TC1201P0912
  • 名稱 砷化鎵HEMT
  • 產地 日本
  • 封裝 Chip

--- 產品詳情 ---

TC1201P0912

型號簡介
Sumitomo的TC1201是GaAs偽晶高電子遷移率晶體管（PHEMT）芯片，其具有非常低的噪聲系數、高相關增益和高動態(tài)范圍。該設備可用于高達30 GHz的電路，以及適用于低噪聲和中等功率放大器應用。所有設備都經過100%直流測試，以確保質量一致。所有焊盤均鍍金
用于熱壓或熱聲引線接合。


型號規(guī)格  
廠家                    Sumitomo 
型號                    TC1201P0912
名稱                    砷化鎵HEMT
產地                    日本
封裝                    Chip
 

型號參數
低噪聲系數：NF=0.5 dB 12 GHz時的典型值
高相關增益：Ga=12 dB，典型頻率為12 GHz
高動態(tài)范圍：1 dB壓縮功率P-1=21.5 dBm，12 GHz
擊穿電壓：BVDGO≥9 V
Lg=0.25μm，Wg=300μm
全金金屬化，實現高可靠性
嚴密的Vp范圍控制
高射頻輸入功率處理能力
100%直流測試

 

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