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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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TC1201V 低噪聲和中等功率GaAs FET

型號： TC1201V

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo
  • 型號 TC1201V
  • 名稱 砷化鎵HEMT
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 Chip

--- 產(chǎn)品詳情 ---

TC1201V 

型號簡介
Sumitomo的TC1201V與TC1201相同，除了源極中的通孔降低了接地電感。這個器件被加工成具有用于高增益應(yīng)用的通孔。它可以在高達30 GHz的電路中使用，并且適合用于低噪聲和中等功率放大器應(yīng)用，應(yīng)用所有設(shè)備都經(jīng)過100%直流測試，以確保質(zhì)量一致。所有焊盤均鍍金熱壓或熱聲引線接合。


型號規(guī)格  
廠家                    Sumitomo 
型號                    TC1201V
名稱                    砷化鎵HEMT
產(chǎn)地                    日本
封裝                    Chip
 

型號參數(shù)
電源接地過孔
低噪聲系數(shù)：NF=0.5 dB 12 GHz時的典型值
高相關(guān)增益：Ga=13 dB，典型頻率為12 GHz
高動態(tài)范圍：1 dB壓縮功率P-1=21.5 dBm，6 V，
40毫安和12千兆赫
擊穿電壓：BVDGO≥9 V
Lg=0.25μm，Wg=300μm
全金金屬化，實現(xiàn)高可靠性
嚴(yán)密的Vp范圍控制
高射頻輸入功率處理能力
100%直流測試


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