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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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FLL357ME L波段中高功率GaAs FET

型號(hào)： FLL357ME

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Device Innov
  • 型號(hào) FLL357ME
  • 名稱 High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 ME

--- 產(chǎn)品詳情 ---

FLL357ME

型號(hào)簡(jiǎn)介
Sumitomo的FLL357ME是一種功率GaAs FET，專門設(shè)計(jì)用于在具有增益、線性和效率優(yōu)于硅器件。中的性能AB級(jí)操作的多音環(huán)境使其非常適合用于基站應(yīng)用。這個(gè)裝置是密封組裝的金屬/陶瓷封裝。Eudyna嚴(yán)格的質(zhì)量保證計(jì)劃確保最高可靠性和一致的性能。


型號(hào)規(guī)格  
廠家                    Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型號(hào)                    FLL357ME
名稱                    High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管
產(chǎn)地                    日本
封裝                    ME
 

型號(hào)參數(shù)
高輸出功率：P1dB=35.5dBm（典型）
高增益：G1dB=11.5dB（典型值）
高PAE：ηadd=46%（典型值）
經(jīng)驗(yàn)證的可靠性
密封包裝


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