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靜電放電（ESD，Electrostatic Discharge）給電子器件環(huán)境會(huì)帶來(lái)破壞性的后果。
它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展，互補(bǔ)金屬氧化物半
導(dǎo)體（CMOS，Complementary Metal-Oxide Semiconductor）的特征尺寸不斷縮小，
金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS, Metal-Oxide Semiconductor)的柵氧厚度越來(lái)越薄，MOS 管
能承受的電流和電壓也越來(lái)越小，因此要進(jìn)一步優(yōu)化電路的抗ESD 性能，需要從全芯片
ESD 保護(hù)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)來(lái)進(jìn)行考慮。
2 ESD 的測(cè)試方法
ESD 模型常見的有三種，人體模型（HBM ，Human Body Model)、充電器件模型
(CDM，Charge Device Model)和機(jī)器模型(MM，Machine Mode)，其中以人體模型最
為通行。一般的商用芯片，要求能夠通過(guò)2kV 靜電電壓的HBM 檢測(cè)。對(duì)于HBM 放電，
其電流可在幾百納秒內(nèi)達(dá)到幾安培，足以損壞芯片內(nèi)部的電路。
它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展，互補(bǔ)金屬氧化物半
導(dǎo)體（CMOS，Complementary Metal-Oxide Semiconductor）的特征尺寸不斷縮小，
金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS, Metal-Oxide Semiconductor)的柵氧厚度越來(lái)越薄，MOS 管
能承受的電流和電壓也越來(lái)越小，因此要進(jìn)一步優(yōu)化電路的抗ESD 性能，需要從全芯片
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為通行。一般的商用芯片，要求能夠通過(guò)2kV 靜電電壓的HBM 檢測(cè)。對(duì)于HBM 放電，
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