資料介紹
在高級(jí)節(jié)點(diǎn),有效的電網(wǎng)分析是確保小尺寸連接器可以處理電流需求,而不會(huì)造成潛在失效模式或信號(hào)完整性問題的關(guān)鍵?,F(xiàn)有的電網(wǎng)分析工具需要按照2.5維和三維設(shè)計(jì)進(jìn)行拓展和增強(qiáng),從而滿足新的需求和使用模式。本文介紹了一些必要的改進(jìn)。
以系統(tǒng)為中心的電網(wǎng)分析
在三維集成電路系統(tǒng)中,幾個(gè)晶粒共享相同的網(wǎng)絡(luò)供電。電網(wǎng)分析 (PGA) 工具必須同時(shí)分析所有晶粒,因?yàn)橐粋€(gè)晶粒的電壓降可能直接與另一個(gè)相關(guān)聯(lián)。此外,電網(wǎng)分析解決方案必須支持各種2.5維/三維晶粒配置 -- 包括布局、定向和堆疊順序 -- 以及晶粒內(nèi)部連接器模型。
一個(gè)系統(tǒng)中的每個(gè)晶??赡芤呀?jīng)按照其應(yīng)用和需求采用了不同的工藝節(jié)點(diǎn)。一個(gè)系統(tǒng)可能包含 40nm 和 28nm 設(shè)計(jì)的晶粒以及 65nm 設(shè)計(jì)的基板夾層(interposer)。增量技術(shù)文件定義和校準(zhǔn)在這個(gè)使用案例中發(fā)揮了重要作用,因?yàn)榻K端用戶只需校準(zhǔn)與2.5維/三維整合相關(guān)的新堆疊定義部分,而不用重新校準(zhǔn)整個(gè)堆疊。
2.5維/三維流程的電網(wǎng)分析工具還必須考慮垂直整合所需的更多“對(duì)象”,如背面凸塊(microbumps)和背面金屬層(圖1)。三維結(jié)構(gòu)中的背面金屬層呈45度角,而不是正面金屬層常用的90度,這將對(duì)功率分析模型產(chǎn)生影響。對(duì)于全三維系統(tǒng),電網(wǎng)分析工具需要給正面和背面金屬之間的硅穿孔(TSV)定義準(zhǔn)確的模型,而對(duì)于2.5維系統(tǒng),電網(wǎng)分析工具必須能夠模擬只包含金屬(下面沒有器件)的鈍化基板夾層(interposer)。
使用模型
考慮到2.5維和三維系統(tǒng)的常規(guī)尺寸以及需要整合第三方晶粒,電網(wǎng)分析解決方案必須能夠以三種不同的模式運(yùn)行。
●基于功率模型的電網(wǎng)分析模式 -- 在基于功率模型的模式中,每個(gè)晶粒表現(xiàn)為緊湊的功率模型,電網(wǎng)分析工具使用這些模型及其連接分析整個(gè)2.5維/三維集成電路系統(tǒng)。這種模式運(yùn)行相當(dāng)快,提供了高水平的系統(tǒng)電網(wǎng)分析,但是它僅限于檢測(cè)晶粒內(nèi)連接問題。由于功率模型是為了特定技術(shù)節(jié)點(diǎn)角而創(chuàng)建,一個(gè)電網(wǎng)分析解決方案必須能夠處理不同條件下的不同緊湊功率模型。例如,1.2V 條件下90nm 晶粒模型和1.0V 條件下 65nm 的晶粒模型組合在一起的情況。
●全2.5維/三維電網(wǎng)分析模式 -- 終端用戶希望分析特定多晶粒網(wǎng)的電壓降,但是算起來代價(jià)十分高昂。為了支持這個(gè)模式,電網(wǎng)分析工具的容量和周轉(zhuǎn)時(shí)間必須比現(xiàn)有工具好幾個(gè)數(shù)量級(jí)。
●混合電網(wǎng)分析模式 -- 混合模式受到分析第三方晶粒整合需求的推動(dòng)。它支持一系列混合的緊湊型功率模型和晶粒,在這種情況下第三方晶粒僅表現(xiàn)為緊湊模型,用于整合進(jìn)系統(tǒng)電網(wǎng)分析。
設(shè)計(jì)流程中的電網(wǎng)分析
為了盡早、高效地檢測(cè)、診斷和糾正電網(wǎng)問題,設(shè)計(jì)人員應(yīng)該在布圖規(guī)劃、時(shí)鐘樹綜合后以及電路實(shí)現(xiàn)后階段進(jìn)行電網(wǎng)分析。為了提供有意義的分析,必須考慮到系統(tǒng)在既定晶粒(如其它晶粒、基板夾層(interposer)、三維集成電路整合對(duì)象等等)上的效果,用戶應(yīng)該能夠輕松分析系統(tǒng)相互作用。一個(gè)既定堆疊內(nèi)的多幀功能和晶粒間瀏覽使用戶能夠高效地審查、診斷和排除電網(wǎng)問題。盡管這些功能需要工具擁有明顯較大的數(shù)據(jù)容量和更快的響應(yīng)時(shí)間,但是它們對(duì)于調(diào)試動(dòng)態(tài)的電網(wǎng)分析運(yùn)行特別重要。
以系統(tǒng)為中心的電網(wǎng)分析
在三維集成電路系統(tǒng)中,幾個(gè)晶粒共享相同的網(wǎng)絡(luò)供電。電網(wǎng)分析 (PGA) 工具必須同時(shí)分析所有晶粒,因?yàn)橐粋€(gè)晶粒的電壓降可能直接與另一個(gè)相關(guān)聯(lián)。此外,電網(wǎng)分析解決方案必須支持各種2.5維/三維晶粒配置 -- 包括布局、定向和堆疊順序 -- 以及晶粒內(nèi)部連接器模型。
一個(gè)系統(tǒng)中的每個(gè)晶??赡芤呀?jīng)按照其應(yīng)用和需求采用了不同的工藝節(jié)點(diǎn)。一個(gè)系統(tǒng)可能包含 40nm 和 28nm 設(shè)計(jì)的晶粒以及 65nm 設(shè)計(jì)的基板夾層(interposer)。增量技術(shù)文件定義和校準(zhǔn)在這個(gè)使用案例中發(fā)揮了重要作用,因?yàn)榻K端用戶只需校準(zhǔn)與2.5維/三維整合相關(guān)的新堆疊定義部分,而不用重新校準(zhǔn)整個(gè)堆疊。
2.5維/三維流程的電網(wǎng)分析工具還必須考慮垂直整合所需的更多“對(duì)象”,如背面凸塊(microbumps)和背面金屬層(圖1)。三維結(jié)構(gòu)中的背面金屬層呈45度角,而不是正面金屬層常用的90度,這將對(duì)功率分析模型產(chǎn)生影響。對(duì)于全三維系統(tǒng),電網(wǎng)分析工具需要給正面和背面金屬之間的硅穿孔(TSV)定義準(zhǔn)確的模型,而對(duì)于2.5維系統(tǒng),電網(wǎng)分析工具必須能夠模擬只包含金屬(下面沒有器件)的鈍化基板夾層(interposer)。
使用模型
考慮到2.5維和三維系統(tǒng)的常規(guī)尺寸以及需要整合第三方晶粒,電網(wǎng)分析解決方案必須能夠以三種不同的模式運(yùn)行。
●基于功率模型的電網(wǎng)分析模式 -- 在基于功率模型的模式中,每個(gè)晶粒表現(xiàn)為緊湊的功率模型,電網(wǎng)分析工具使用這些模型及其連接分析整個(gè)2.5維/三維集成電路系統(tǒng)。這種模式運(yùn)行相當(dāng)快,提供了高水平的系統(tǒng)電網(wǎng)分析,但是它僅限于檢測(cè)晶粒內(nèi)連接問題。由于功率模型是為了特定技術(shù)節(jié)點(diǎn)角而創(chuàng)建,一個(gè)電網(wǎng)分析解決方案必須能夠處理不同條件下的不同緊湊功率模型。例如,1.2V 條件下90nm 晶粒模型和1.0V 條件下 65nm 的晶粒模型組合在一起的情況。
●全2.5維/三維電網(wǎng)分析模式 -- 終端用戶希望分析特定多晶粒網(wǎng)的電壓降,但是算起來代價(jià)十分高昂。為了支持這個(gè)模式,電網(wǎng)分析工具的容量和周轉(zhuǎn)時(shí)間必須比現(xiàn)有工具好幾個(gè)數(shù)量級(jí)。
●混合電網(wǎng)分析模式 -- 混合模式受到分析第三方晶粒整合需求的推動(dòng)。它支持一系列混合的緊湊型功率模型和晶粒,在這種情況下第三方晶粒僅表現(xiàn)為緊湊模型,用于整合進(jìn)系統(tǒng)電網(wǎng)分析。
設(shè)計(jì)流程中的電網(wǎng)分析
為了盡早、高效地檢測(cè)、診斷和糾正電網(wǎng)問題,設(shè)計(jì)人員應(yīng)該在布圖規(guī)劃、時(shí)鐘樹綜合后以及電路實(shí)現(xiàn)后階段進(jìn)行電網(wǎng)分析。為了提供有意義的分析,必須考慮到系統(tǒng)在既定晶粒(如其它晶粒、基板夾層(interposer)、三維集成電路整合對(duì)象等等)上的效果,用戶應(yīng)該能夠輕松分析系統(tǒng)相互作用。一個(gè)既定堆疊內(nèi)的多幀功能和晶粒間瀏覽使用戶能夠高效地審查、診斷和排除電網(wǎng)問題。盡管這些功能需要工具擁有明顯較大的數(shù)據(jù)容量和更快的響應(yīng)時(shí)間,但是它們對(duì)于調(diào)試動(dòng)態(tài)的電網(wǎng)分析運(yùn)行特別重要。
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