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結(jié)合工作在亞閾值區(qū)、飽和區(qū)和線性區(qū)的MOS管，提出一種純MOS結(jié)構(gòu)的基準(zhǔn)電壓源，其結(jié)構(gòu)能有效補(bǔ)償MOS管的載流子遷移率和亞閾值斜率的溫度系數(shù)?；赟MIC0.13μm的CMOS工藝的仿真結(jié)果表明，在溫度為-55~90℃的范圍內(nèi)，輸出電壓的溫度系數(shù)為5ppm/℃。在室溫時(shí)，整個(gè)電路能在低到0.9V的電源電壓下工作并消耗0.68μW的功耗。
- Abstract:
- ?This paper describes a MOSFET-only voltage reference that combines different operating regions of linear,saturation and subthreshold in MOSFETs.The circuit effectively compensates the temperature dependence of carrier mobility and subthreshold slope of MOSFET.The voltage reference is designed based on SMIC0.13μm CMOS process.The simulation results show that the temperature coefficient（TC）of output voltage is5ppm/℃in the range from-55℃to90℃.It dissipates a power of0.68μW at0.9V supply voltage at room temperature.
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