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一種抵消曲率系數(shù)的高精度低溫漂CMOS帶隙基準(zhǔn)的設(shè)計(jì):傳統(tǒng)的帶隙基準(zhǔn)使用PTAT電壓對(duì)三極管Vbe的溫度系數(shù)進(jìn)行線性補(bǔ)償來(lái)得到與溫度無(wú)關(guān)的基準(zhǔn)電壓，但由于忽略
了Vbe的曲率系數(shù)γ 的影響，其輸出電壓與溫度仍存在相關(guān)性。本文使用與溫度成冪函數(shù)關(guān)系的電流流過(guò)BE 結(jié)進(jìn)行曲率補(bǔ)償，理論上可以完全抵消掉晶體管的曲率系數(shù)的影響，得到具有高精度、低溫漂的基準(zhǔn)電壓源。在－40～125℃范圍內(nèi)，其溫度系數(shù)低至1.06ppm/℃。由于其對(duì)工藝變化的不敏感，適合于工程化。該電路參數(shù)調(diào)整簡(jiǎn)單，具有很強(qiáng)的模塊通用性。
關(guān)鍵字：曲率補(bǔ)償；曲率系數(shù)；CMOS 帶隙基準(zhǔn)
了Vbe的曲率系數(shù)γ 的影響，其輸出電壓與溫度仍存在相關(guān)性。本文使用與溫度成冪函數(shù)關(guān)系的電流流過(guò)BE 結(jié)進(jìn)行曲率補(bǔ)償，理論上可以完全抵消掉晶體管的曲率系數(shù)的影響，得到具有高精度、低溫漂的基準(zhǔn)電壓源。在－40～125℃范圍內(nèi)，其溫度系數(shù)低至1.06ppm/℃。由于其對(duì)工藝變化的不敏感，適合于工程化。該電路參數(shù)調(diào)整簡(jiǎn)單，具有很強(qiáng)的模塊通用性。
關(guān)鍵字：曲率補(bǔ)償；曲率系數(shù)；CMOS 帶隙基準(zhǔn)
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