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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測(cè)試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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碳化硅器件在車載充電機(jī)（OBC）中的性能優(yōu)勢(shì)
碳化硅作為第三代半導(dǎo)體具有耐高溫、耐高壓、高頻率、抗輻射等優(yōu)異性能采用碳化硅功率器件可使電動(dòng)汽車或混合動(dòng)力汽車功率轉(zhuǎn)化能耗損失降低20%，在OBC產(chǎn)品上...
2024-04-10 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車功率器件碳化硅 577 0
碳化硅具有比硅更高的熱導(dǎo)率、更寬的能帶寬度和更高的電子飽和漂移速度。這些特性使得SiC功率器件在高溫、高頻以及高電壓應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。
如何利用LTspice輕松模擬工程電源與MEMS信號(hào)鏈設(shè)計(jì)
一般的共享電源和數(shù)據(jù)接口經(jīng)過(guò)編碼，可減少信號(hào)直流成分，從而在發(fā)送交流信號(hào)成分時(shí)簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。但是，許多數(shù)字輸出傳感器接口（例如，SPI和I2C）尚未經(jīng)過(guò)...
SiC功率器件市場(chǎng)正處于快速增長(zhǎng)階段，特別是在汽車電動(dòng)化趨勢(shì)的推動(dòng)下，其市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將持續(xù)擴(kuò)大。 根據(jù)Yole Group的報(bào)告，汽車行業(yè)對(duì)SiC功...
電動(dòng)汽車 (EV) 市場(chǎng)的快速增長(zhǎng)推動(dòng)了對(duì)下一代功率半導(dǎo)體的需求，尤其是對(duì)碳化硅 (SiC) 半導(dǎo)體的需求尤為強(qiáng)勁。
2024-04-07 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車半導(dǎo)體功率器件 649 0
隨著全球?qū)δ苄Ш铜h(huán)保的要求日益提高，傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體器件逐漸暴露出其性能瓶頸，特別是在高溫、高壓和高頻應(yīng)用場(chǎng)景中。
SiC市場(chǎng)格局仍由海外巨頭主導(dǎo)，市占率排名依次是：意法半導(dǎo)體、英飛凌、wolfspeed、羅姆、安森美、三菱電機(jī)等。
傳統(tǒng)的GaN異質(zhì)外延主要在藍(lán)寶石襯底、Si襯底或者SiC襯底，在剝離的過(guò)程中，如藍(lán)寶石就特別困難，會(huì)產(chǎn)生較大的材料損耗和額外成本，且剝離技術(shù)也有待進(jìn)一步提高。
碳化硅功率器件的核心在于其能夠在極端條件下高效地控制電力的流動(dòng)。SiC材料的寬帶隙特性意味著它在高溫下仍能維持較高的能量障礙，從而保持穩(wěn)定的半導(dǎo)體特性。
由于IGBT模塊自身有一定的功耗，IGBT模塊本身會(huì)發(fā)熱。在一定外殼散熱條件下，功率器件存在一定的溫升（即殼溫與環(huán)境溫度的差異）。
碳化硅功率器件：革新未來(lái)能源與電力電子技術(shù)的關(guān)鍵材料
隨著全球?qū)Ω咝茉吹牟粩嘧非蠛碗娮蛹夹g(shù)的快速發(fā)展，傳統(tǒng)的硅基功率器件已逐漸達(dá)到其性能邊界。
2024-03-21 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車功率器件SiC 502 0
整流橋就是將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)，分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封在一起。
碳化硅是一種寬帶隙(Wide Bandgap,WBG)半導(dǎo)體材料，與傳統(tǒng)的硅(Si)材料相比，具有更寬的能隙、更高的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度和熱導(dǎo)率。
2024-03-19 標(biāo)簽：功率轉(zhuǎn)換功率器件SiC 542 0
本文采用的DTS（DieTopSystem）技術(shù)結(jié)合了芯片雙面銀燒結(jié)工藝與銅線鍵合工藝，此技術(shù)能夠避免直接在芯片上進(jìn)行銅線鍵合時(shí)造成的芯片損傷。
功率電子產(chǎn)品的應(yīng)用已擴(kuò)展到相當(dāng)多的行業(yè)，如汽車，航空航天和軍事行業(yè)。高功率電子設(shè)備需要能夠適應(yīng)更高的使用溫度（>250°C），這大大增加了對(duì)設(shè)備材...
探討碳化硅功率器件的工作原理、優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用場(chǎng)景
碳化硅功率器件利用SiC半導(dǎo)體材料制成。SiC是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，具有比硅（Si）更高的電子飽和漂移速度和熱導(dǎo)率，以及更高的臨界擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度。
使用帶有地線環(huán)的示波器探頭，將探針直接接觸正輸出的管腳，線環(huán)直接接觸負(fù)輸出的管腳，這是由于使得環(huán)路盡量短，這樣從示波器中讀出的峰值為輸出線上的紋波與噪聲。
同軸分流器在SiC和GaN器件中的測(cè)量應(yīng)用
隨著現(xiàn)代電力電子的高速發(fā)展，SiC/GaN 功率器件的應(yīng)用越來(lái)越廣泛，工程師經(jīng)常要測(cè)量頻率高達(dá)數(shù)百 kHz，電流高達(dá)數(shù)十安培的功率電路。
HIP247和TO247是兩種常見(jiàn)的封裝類型，用于電子元件，特別是功率器件的封裝。盡管它們?cè)诿Q上非常相似，但其實(shí)它們?cè)诔叽?、結(jié)構(gòu)、材料和應(yīng)用方面存在一...
射頻（RF）電路設(shè)計(jì)的常見(jiàn)問(wèn)題
降低高/低功率器件干擾耦合的設(shè)計(jì)原則。在蜂窩電話PCB上，通常可以將低噪音放大器電路放在PCB的某一面，而將高功率放大器放在另一面，并最終通過(guò)雙工器把...
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