功率器件

T型三電平雙脈沖測(cè)試及拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

雙脈沖測(cè)試系統(tǒng)：該系統(tǒng)用于產(chǎn)生所需的雙脈沖信號(hào)，以模擬實(shí)際工作中的開關(guān)動(dòng)作。它能夠精確地控制脈沖的寬度、幅度和頻率，以滿足測(cè)試需求。

2024-03-11 標(biāo)簽：測(cè)試系統(tǒng)IGBT功率器件 2747 0

雙脈沖測(cè)試（DPT）的方法解析

雙脈沖測(cè)試是電力變壓器和互感器的一種常見測(cè)試方法，其主要目的是評(píng)估設(shè)備的性能和準(zhǔn)確性，確保其符合設(shè)計(jì)要求和運(yùn)行標(biāo)準(zhǔn)。

2024-03-11 標(biāo)簽：電力變壓器IGBT功率器件 2844 0

碳化硅（SiC）功率器件核心優(yōu)勢(shì)及技術(shù)挑戰(zhàn)

SiC器件的核心優(yōu)勢(shì)在于其寬禁帶、高熱導(dǎo)率、以及高擊穿電壓。具體來(lái)說(shuō)，SiC的禁帶寬度是硅的近3倍，這意味著在高溫下仍可保持良好的電性能；其熱導(dǎo)率是硅的...

2024-03-08 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 1148 0

一文解析SiC功率器件互連技術(shù)

和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開關(guān)頻率高等諸多優(yōu)點(diǎn),因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優(yōu)點(diǎn)同時(shí)也給SiC功率器件的互連封裝帶...

2024-03-07 標(biāo)簽：MOSFET功率器件互連技術(shù) 1210 0

IGBT導(dǎo)熱機(jī)理及導(dǎo)熱材料的作用

根據(jù) IGBT 熱傳導(dǎo)示意圖所示，芯片內(nèi)損耗產(chǎn)生的熱能通過芯片傳到外殼底座，再由外殼將少量的熱量直接傳到環(huán)境中去（以對(duì)流和輻射的形式），而大部分熱量通過...

2024-03-06 標(biāo)簽：散熱器散熱片IGBT 955 0

百億美元的BLDC電機(jī)市場(chǎng)，其驅(qū)動(dòng)電路可使用170N1F4A場(chǎng)效應(yīng)管代換！

依據(jù)數(shù)據(jù)分析，在2022年BLDC的市場(chǎng)規(guī)模是189億美元，預(yù)計(jì)2025年的市場(chǎng)規(guī)?？蛇_(dá)223億美元。

2024-03-05 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管電機(jī)驅(qū)動(dòng)BLDC 801 0

SiC功率器件先進(jìn)互連工藝研究

共讀好書 杜隆純 何勇 劉洪偉 劉曉鵬 （湖南國(guó)芯半導(dǎo)體科技有限公司 湖南省功率半導(dǎo)體創(chuàng)新中心） 摘要： 針對(duì)SiC功率器件封裝的高性能和高可靠性要求，...

2024-03-05 標(biāo)簽：功率器件SiCAMB 486 0

半導(dǎo)體設(shè)計(jì)面臨高電壓挑戰(zhàn) 高壓功率器件設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)如何破？

基于開關(guān)電力電子器件的轉(zhuǎn)換器和逆變器是可再生能源發(fā)電廠和電動(dòng)汽車的關(guān)鍵組件。雖然MOSFET和IGBT都可以用在相關(guān)系統(tǒng)中，但前者的柵極驅(qū)動(dòng)功率較低、開...

2024-03-01 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車MOSFET逆變器 340 0

淺析碳化硅功率器件：原理、應(yīng)用與未來(lái)發(fā)展前景

隨著能源效率和環(huán)保要求的日益提高，電力電子系統(tǒng)正在向著更高效、更緊湊的方向發(fā)展。

2024-02-28 標(biāo)簽：晶體管硅二極管功率器件 833 0

繼電器光耦的工作原理與應(yīng)用探討

繼電器光耦主要由發(fā)光二極管（LED）和光敏三極管（或光敏電阻）兩部分組成。發(fā)光二極管作為輸入端，當(dāng)輸入電流通過時(shí)，會(huì)發(fā)出特定波長(zhǎng)的光。

2024-02-27 標(biāo)簽：繼電器發(fā)光二極管光耦 532 0

MOSFET雪崩擊穿圖解 MOSFET避免雪崩失效的方法

當(dāng)功率器件承受的雪崩耐量超過極限后，芯片最終會(huì)損壞，然而單脈沖雪崩與重復(fù)雪崩的失效機(jī)理并不相同。

2024-02-25 標(biāo)簽：MOSFET雪崩擊穿功率器件 3918 0

碳化硅功率器件的工作原理和性能優(yōu)勢(shì)

隨著全球能源結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變和可再生能源的普及，電力電子技術(shù)在現(xiàn)代社會(huì)中的作用日益凸顯。作為電力電子技術(shù)的關(guān)鍵元件，功率器件的性能直接影響著能源轉(zhuǎn)換和使用的效...

2024-02-25 標(biāo)簽：晶體管功率器件碳化硅 902 0

外延層在半導(dǎo)體器件中的重要性

只有體單晶材料難以滿足日益發(fā)展的各種半導(dǎo)體器件制作的需要。因此，1959年末開發(fā)了薄層單晶材料生長(zhǎng)技外延生長(zhǎng)。那外延技術(shù)到底對(duì)材料的進(jìn)步有了什么具體的幫助呢？

2024-02-23 標(biāo)簽：光電器件功率器件電阻率 1122 0

西門子邏輯指令輕松辨別

梯形圖由多個(gè)梯級(jí)組成，每個(gè)線圈可構(gòu)成一個(gè)梯級(jí)，每個(gè)梯級(jí)有多條支路，每個(gè)梯級(jí)代表一個(gè)邏輯方程；

2024-02-20 標(biāo)簽：繼電器plc存儲(chǔ)器 615 0

全碳化硅直流充電設(shè)備技術(shù)研究案例

圍繞碳化硅功率器件高頻率、高耐壓、耐高溫的性能,提出一套適用于新能源汽車直流充電設(shè)備的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)方案,

2024-02-20 標(biāo)簽：新能源汽車功率器件碳化硅 534 0