基極電流

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　　基極電流是載流子在基區(qū)擴(kuò)散與復(fù)合形成的復(fù)合電流，在發(fā)射極是IE，為了保證基極電流流過(guò)Re，產(chǎn)生的電壓降與IE流過(guò)時(shí)一樣，所以要將Re乘以（1+β），基區(qū)是雙極型晶體管（BJT）結(jié)構(gòu)中的一個(gè)重要區(qū)域。

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基極電流技術(shù)

基極電流是什么運(yùn)動(dòng)形成的

基極電流是電子學(xué)和半導(dǎo)體物理學(xué)中的一個(gè)重要概念，它是指在晶體管中，從基極流向發(fā)射極的電流。晶體管是一種半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電子電路中，其工作原理基于P...

2024-07-18 標(biāo)簽：晶體管 pnp 半導(dǎo)體器件 643 0

基極電流的組成部分有哪些

雙極型晶體管（BJT）是一種半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電子電路中。它由三個(gè)主要部分組成：發(fā)射極（Emitter）、基極（Base）和集電極（Collecto...

2024-07-18 標(biāo)簽：晶體管電子電路半導(dǎo)體器件 395 0

基極電流和集電極電流有什么關(guān)系

在實(shí)際應(yīng)用中，基極電流和集電極電流之間的關(guān)系可能會(huì)受到動(dòng)態(tài)因素的影響。在電子學(xué)和半導(dǎo)體物理學(xué)中，基極電流（Ib）和集電極電流（Ic）是雙極型晶體管（BJ...

2024-07-18 標(biāo)簽：PN結(jié)半導(dǎo)體器件集電極電流 1202 0

IGBT/三極管/MOS管這三種元器件之間有什么區(qū)別？

三極管的結(jié)構(gòu)是給一塊純硅進(jìn)行三層摻雜，其中較窄區(qū)域高濃度N型摻雜，含有大量自由電子，中間極窄區(qū)域普通濃度P型摻雜，含有少數(shù)空穴，上邊較寬區(qū)域普通濃度N型...

2024-04-09 標(biāo)簽：三極管 MOS管發(fā)射機(jī) 1.0萬(wàn) 0

NPN三極管驅(qū)動(dòng)繼電器電路原理圖

當(dāng)NPN三極管的基極接收到高電平信號(hào)時(shí)，三極管導(dǎo)通，允許電流從其集電極流向發(fā)射極。這個(gè)電流通過(guò)繼電器線(xiàn)圈，使繼電器吸合，其觸點(diǎn)狀態(tài)發(fā)生改變（常開(kāi)觸點(diǎn)閉合...

2024-03-15 標(biāo)簽：三極管繼電器負(fù)載電路 5565 0

電力晶體管GTR的工作原理及開(kāi)關(guān)特性詳解

電力晶體管（Giant Transistor—GTR），是一種耐高電壓、大電流的雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Junction Transistor—...

2024-03-07 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)電路 BJT GTR 4642 0

基本放大電路中直流電流放大系數(shù)解析

在基本放大電路中,基極端連接著開(kāi)關(guān)S,只要打開(kāi)S,則集電極發(fā)射極之間幾乎沒(méi)有電流流通,蜂鳴器不發(fā)聲。如果閉合s,則基極發(fā)射極之間電流導(dǎo)通,同時(shí)集電極發(fā)射...

2024-02-05 標(biāo)簽：放大電路直流電流基極電流 1531 0

基于運(yùn)放和三極管組成的恒流源電路圖

此電路看似簡(jiǎn)單，實(shí)際原理是當(dāng)采樣電阻R4的電壓變化時(shí)，直接反饋到運(yùn)放的反相輸入端，它與同相輸入端電壓的差值被運(yùn)放放大，輸出控制三極管的基極電流，改變?nèi)龢O...

2023-12-26 標(biāo)簽：三極管電流負(fù)載電流 3383 1

芯片設(shè)計(jì)都不可避免的考慮要素—閂鎖效應(yīng)latch up

閂鎖效應(yīng)，latch up，是個(gè)非常重要的問(wèn)題。現(xiàn)在的芯片設(shè)計(jì)都不可避免的要考慮它。我今天就簡(jiǎn)單地梳理一下LUP的一些問(wèn)題。

2023-12-01 標(biāo)簽：CMOS 芯片設(shè)計(jì)BJT 2629 0

閂鎖效應(yīng)（Latch-up）原理及其抑制方法解析

閂鎖效應(yīng)：實(shí)際上是由于CMOS電路中基極和集電極相互連接的兩個(gè)BJT管子(下圖中，側(cè)面式NPN和垂直式PNP)的回路放大作用形成的

2023-12-01 標(biāo)簽：CMOS電路 VDD 閂鎖效應(yīng) 1.6萬(wàn) 0

IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—BJT&MOS模型（1）

在前面關(guān)于PIN&MOS模型分析中，特別強(qiáng)調(diào)了這個(gè)模型所存在的一個(gè)短板，即所有電流都通過(guò)MOS溝道，實(shí)際上只有電子電流通過(guò)MOS溝道，而空穴電流...

2023-12-01 標(biāo)簽：IGBT 晶體管 MOS 1227 0

IGBT中的若干PN結(jié)—PNPN結(jié)構(gòu)介紹

在前文的PNP結(jié)構(gòu)中，我們描述了一種現(xiàn)象，如果IGBT中的兩個(gè)BJT都處于工作狀態(tài)，那么就會(huì)發(fā)生失控，產(chǎn)生latch-up現(xiàn)象。

2023-11-29 標(biāo)簽：晶閘管 IGBT BJT 1866 0

為什么說(shuō)IGBT是由BJT和MOSFET組成的器件？它們有何區(qū)別和聯(lián)系？

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極性三極管)和MOSFET(絕緣柵型場(chǎng)...

2023-11-24 標(biāo)簽：MOSFET IGBT BJT 1789 0

求解三極管電路的輸出電位值

面試題的選擇當(dāng)然是偶個(gè)人覺(jué)得比較好的，所以肯定有一定的主觀(guān)性。咱以前為公司招聘時(shí)也出過(guò)題目，都是最簡(jiǎn)單的（例如，給一個(gè)“場(chǎng)效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)電磁繼電器”電路，讓...

2023-11-20 標(biāo)簽：三極管繼電器 NPN 958 0

介紹一種變壓器風(fēng)扇自啟動(dòng)電路

通過(guò)利用電接點(diǎn)溫度繼電器，控制冷卻風(fēng)扇在變壓器等設(shè)備發(fā)熱溫度達(dá)到上限值時(shí)，自動(dòng)啟動(dòng)；當(dāng)溫度下降到設(shè)定值時(shí)風(fēng)扇自動(dòng)停止。

2023-11-09 標(biāo)簽：三極管繼電器啟動(dòng)電路 837 0

N型三極管的工作狀態(tài)

我們來(lái)解釋下N三極管在實(shí)際中工作狀態(tài)。

2023-11-06 標(biāo)簽：三極管電路設(shè)計(jì)工作狀態(tài) 1109 0

差分放大電路對(duì)共模信號(hào)和差模信號(hào)的影響

當(dāng)集電極電流Icq有微小變化時(shí)，會(huì)在發(fā)射極電阻Re上產(chǎn)生壓降，而Re上的壓降又會(huì)影響b-e之間的電壓，從而會(huì)影響Icq，達(dá)到穩(wěn)定工作點(diǎn)。

2023-05-01 標(biāo)簽：晶體管差分放大電路差模信號(hào) 6906 0

三極管電流鏡電路設(shè)計(jì)

我們大致了解了三極管的分類(lèi)和工作模式，介紹概念不說(shuō)應(yīng)用基本沒(méi)有什么深刻的印象。

2023-04-25 標(biāo)簽：三極管電路設(shè)計(jì)電流鏡 979 0

射極跟隨電路的參數(shù)設(shè)計(jì)

射極跟隨電路的原理圖在上一節(jié)我們已經(jīng)通過(guò)理論分析大致畫(huà)了出來(lái)。接下來(lái)求從“設(shè)計(jì)的角度”出發(fā)，思考射極跟隨電路的原理。不但需要計(jì)算各器件的參數(shù)，還要進(jìn)行參...

2023-04-21 標(biāo)簽：三極管原理圖偏置電路 1165 0

電容加速電路的作用和原理分析

用于OFF晶體管的時(shí)間差。toff比用于ON的時(shí)間ton要長(zhǎng)，而且根據(jù)驅(qū)動(dòng)基極的條件變化很大，這在高速開(kāi)關(guān)電路中必需注意。

2023-03-13 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電路晶體管開(kāi)關(guān)二極管 1332 0

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