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標簽 > 基極電流
基極電流是載流子在基區(qū)擴散與復(fù)合形成的復(fù)合電流,在發(fā)射極是IE,為了保證基極電流流過Re,產(chǎn)生的電壓降與IE流過時一樣,所以要將Re乘以(1+β),基區(qū)是雙極型晶體管(BJT)結(jié)構(gòu)中的一個重要區(qū)域。
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閂鎖效應(yīng)(Latch-up)原理及其抑制方法解析
閂鎖效應(yīng):實際上是由于CMOS電路中基極和集電極相互連接的兩個BJT管子(下圖中,側(cè)面式NPN和垂直式PNP)的回路放大作用形成的
2023-12-01 標簽:CMOS電路VDD閂鎖效應(yīng) 1.6萬 0
IGBT/三極管/MOS管這三種元器件之間有什么區(qū)別?
三極管的結(jié)構(gòu)是給一塊純硅進行三層摻雜,其中較窄區(qū)域高濃度N型摻雜,含有大量自由電子,中間極窄區(qū)域普通濃度P型摻雜,含有少數(shù)空穴,上邊較寬區(qū)域普通濃度N型...
因為當三極管處在放大工作狀態(tài)時,基極電流每增大或減小1mA則集電極或是發(fā)射極電流的變化量會有幾十mA甚至上百毫安的變化量。通過集電極或是發(fā)射極串聯(lián)的電阻...
芯片設(shè)計都不可避免的考慮要素—閂鎖效應(yīng)latch up
閂鎖效應(yīng),latch up,是個非常重要的問題。現(xiàn)在的芯片設(shè)計都不可避免的要考慮它。我今天就簡單地梳理一下LUP的一些問題。
IGBT中的若干PN結(jié)—PNPN結(jié)構(gòu)介紹
在前文的PNP結(jié)構(gòu)中,我們描述了一種現(xiàn)象,如果IGBT中的兩個BJT都處于工作狀態(tài),那么就會發(fā)生失控,產(chǎn)生latch-up現(xiàn)象。
為什么說IGBT是由BJT和MOSFET組成的器件?它們有何區(qū)別和聯(lián)系?
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極性三極管)和MOSFET(絕緣柵型場...
在基本放大電路中,基極端連接著開關(guān)S,只要打開S,則集電極發(fā)射極之間幾乎沒有電流流通,蜂鳴器不發(fā)聲。如果閉合s,則基極發(fā)射極之間電流導(dǎo)通,同時集電極發(fā)射...
用于OFF晶體管的時間差。toff比用于ON的時間ton要長,而且根據(jù)驅(qū)動基極的條件變化很大,這在高速開關(guān)電路中必需注意。
2023-03-13 標簽:開關(guān)電路晶體管開關(guān)二極管 1333 0
IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—BJT&MOS模型(1)
在前面關(guān)于PIN&MOS模型分析中,特別強調(diào)了這個模型所存在的一個短板,即所有電流都通過MOS溝道,實際上只有電子電流通過MOS溝道,而空穴電流...
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