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標簽 > 基極電流

基極電流

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  基極電流是載流子在基區(qū)擴散與復(fù)合形成的復(fù)合電流,在發(fā)射極是IE,為了保證基極電流流過Re,產(chǎn)生的電壓降與IE流過時一樣,所以要將Re乘以(1+β),基區(qū)是雙極型晶體管(BJT)結(jié)構(gòu)中的一個重要區(qū)域。

文章:31 瀏覽:3207 帖子:0

基極電流技術(shù)

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閂鎖效應(yīng):實際上是由于CMOS電路中基極和集電極相互連接的兩個BJT管子(下圖中,側(cè)面式NPN和垂直式PNP)的回路放大作用形成的

2023-12-01 標簽:CMOS電路VDD閂鎖效應(yīng) 1.6萬 0

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2024-04-09 標簽:三極管MOS管發(fā)射機 1.1萬 0

共射放大電路直流工作點和交流放大倍數(shù)的計算方法

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這一節(jié)繼續(xù)對共射放大電路進行總結(jié)分析,直流工作點和交流放大倍數(shù)計算!

2023-01-10 標簽:共射放大器晶體管交流電壓 1.0萬 0

差分放大電路對共模信號和差模信號的影響

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當集電極電流Icq有微小變化時,會在發(fā)射極電阻Re上產(chǎn)生壓降,而Re上的壓降又會影響b-e之間的電壓,從而會影響Icq,達到穩(wěn)定工作點。

2023-05-01 標簽:晶體管差分放大電路差模信號 6945 0

NPN三極管驅(qū)動繼電器電路原理圖

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當NPN三極管的基極接收到高電平信號時,三極管導(dǎo)通,允許電流從其集電極流向發(fā)射極。這個電流通過繼電器線圈,使繼電器吸合,其觸點狀態(tài)發(fā)生改變(常開觸點閉合...

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利用三極管的限流電路設(shè)計

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  在一些電流波動的場合總需要用到限流,然而限流電路有多種,有些地方對成本敏感又需要有一定控制精度,推薦用下面介紹的三極管做簡單限流。

2023-02-21 標簽:三極管電壓負反饋 5548 1

電力晶體管GTR的工作原理及開關(guān)特性詳解

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電力晶體管(Giant Transistor—GTR),是一種耐高電壓、大電流的雙極結(jié)型晶體管(Bipolar Junction Transistor—...

2024-03-07 標簽:驅(qū)動電路BJTGTR 4685 0

基于運放和三極管組成的恒流源電路圖

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此電路看似簡單,實際原理是當采樣電阻R4的電壓變化時,直接反饋到運放的反相輸入端,它與同相輸入端電壓的差值被運放放大,輸出控制三極管的基極電流,改變?nèi)龢O...

2023-12-26 標簽:三極管電流負載電流 3405 1

怎么提高三極管直流工作點的穩(wěn)定性?

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典型的共發(fā)射極放大器如下圖,利用三極管的基極電流對集電極電流的控制作用,實現(xiàn)對輸入信號的放大。Vcc是為放大器提供電壓的直流電源,通過基極偏置電阻Rb給...

2021-05-01 標簽:三極管基極電流 3365 0

請問晶體管為什么可以放大電流呢?

因為當三極管處在放大工作狀態(tài)時,基極電流每增大或減小1mA則集電極或是發(fā)射極電流的變化量會有幾十mA甚至上百毫安的變化量。通過集電極或是發(fā)射極串聯(lián)的電阻...

2023-02-14 標簽:三極管晶體管電流信號 3069 0

芯片設(shè)計都不可避免的考慮要素—閂鎖效應(yīng)latch up

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閂鎖效應(yīng),latch up,是個非常重要的問題。現(xiàn)在的芯片設(shè)計都不可避免的要考慮它。我今天就簡單地梳理一下LUP的一些問題。

2023-12-01 標簽:CMOS芯片設(shè)計BJT 2670 0

淺談三極管的放大作用

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我們都知道,晶體三極管具有電流放大作用,其實質(zhì)是三極管能以基極電流微小的變化量來控制集電極電流較大的變化量。

2023-02-22 標簽:三極管放大晶體三極管 2248 0

三極管靜態(tài)估算思路及例子

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以上為解題思路當我們遇到實際三極管不導(dǎo)通時,我們第一反應(yīng)是三極管燒了,可以用萬用表直接測,但我們理論怎么分析呢。

2023-02-23 標簽:三極管萬用表晶體管 2057 0

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在前文的PNP結(jié)構(gòu)中,我們描述了一種現(xiàn)象,如果IGBT中的兩個BJT都處于工作狀態(tài),那么就會發(fā)生失控,產(chǎn)生latch-up現(xiàn)象。

2023-11-29 標簽:晶閘管IGBTBJT 1886 0

為什么說IGBT是由BJT和MOSFET組成的器件?它們有何區(qū)別和聯(lián)系?

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極性三極管)和MOSFET(絕緣柵型場...

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伏安特性是指橫軸為電壓、縱軸為電流的一組測試記錄。 那么NPN型晶體管的伏安特性增模描述呢? 晶體管有三個引腳,因此需用通過兩個伏安特性來展示晶體管的特...

2023-02-20 標簽:電壓晶體管伏安特性 1559 0

基本放大電路中直流電流放大系數(shù)解析

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在基本放大電路中,基極端連接著開關(guān)S,只要打開S,則集電極發(fā)射極之間幾乎沒有電流流通,蜂鳴器不發(fā)聲。如果閉合s,則基極發(fā)射極之間電流導(dǎo)通,同時集電極發(fā)射...

2024-02-05 標簽:放大電路直流電流基極電流 1543 0

杜絕這兩個電路設(shè)計失誤!

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今天寫兩個電路設(shè)計失誤,第一個是由于電流增益不夠引起的,該電路是參考別的設(shè)計者引發(fā)的,看了之后可以了解一些知識。

2015-09-17 標簽:電路設(shè)計集電極電流基極電流 1363 0

電容加速電路的作用和原理分析

用于OFF晶體管的時間差。toff比用于ON的時間ton要長,而且根據(jù)驅(qū)動基極的條件變化很大,這在高速開關(guān)電路中必需注意。

2023-03-13 標簽:開關(guān)電路晶體管開關(guān)二極管 1333 0

IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—BJT&MOS模型(1)

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在前面關(guān)于PIN&MOS模型分析中,特別強調(diào)了這個模型所存在的一個短板,即所有電流都通過MOS溝道,實際上只有電子電流通過MOS溝道,而空穴電流...

2023-12-01 標簽:IGBT晶體管MOS 1242 0

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