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寬帶隙半導(dǎo)體

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寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)

WBG 器件給柵極驅(qū)動(dòng)器電源帶來(lái)的挑戰(zhàn)

碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 器件的柵極驅(qū)動(dòng)器電源必須滿足這些寬帶隙半導(dǎo)體的獨(dú)特偏置要求。本文將討論在 SiC 和 GaN 應(yīng)用中設(shè)計(jì)柵極驅(qū)...

2024-09-27 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器 SiC GaN 726 0

直流電能計(jì)量的應(yīng)用和解決方案

在基于寬帶隙半導(dǎo)體（例如GaN和SiC器件）的高效經(jīng)濟(jì)型功率轉(zhuǎn)換技術(shù)發(fā)展的推動(dòng)下，許多應(yīng)用現(xiàn)在都看到了轉(zhuǎn)換為直流電能的好處。因此，精確的直流電能計(jì)量變得...

2024-08-21 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車半導(dǎo)體電能計(jì)量 1345 0

寬帶隙半導(dǎo)體重塑交通運(yùn)輸行業(yè)

作者：Rolf Horn 投稿人：DigiKey 北美編輯整個(gè)交通運(yùn)輸行業(yè)正在經(jīng)歷一場(chǎng)徹底的變革，內(nèi)燃機(jī) (ICE) 汽車逐漸讓位于污染更少的電動(dòng)汽車...

2024-02-13 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體 SiC 1018 0

功率逆變器應(yīng)用采用寬帶隙半導(dǎo)體器件時(shí)，柵極電阻選型注意事項(xiàng)

本文為大家介紹氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開(kāi)關(guān)的優(yōu)勢(shì)，以及如何權(quán)衡利弊。主要權(quán)衡因素之一是開(kāi)關(guān)損耗，開(kāi)關(guān)損耗會(huì)被...

2023-11-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體柵極電阻功率逆變器 435 0

功率逆變器應(yīng)用采用寬帶隙半導(dǎo)體器件時(shí)柵極電阻選型注意事項(xiàng)

2023-11-23 標(biāo)簽：柵極電阻半導(dǎo)體器件功率逆變器 577 0

氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開(kāi)關(guān)的優(yōu)勢(shì)

設(shè)計(jì)出色功效的電子應(yīng)用時(shí)，需要考慮使用新型高性能氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）技術(shù)的器件。與電子開(kāi)關(guān)使用的傳統(tǒng)硅解決方案相比，這些新型寬帶隙技術(shù)具有...

2023-10-12 標(biāo)簽：SiC 氮化鎵電子開(kāi)關(guān) 2319 1

利用寬帶隙半導(dǎo)體和數(shù)字控制設(shè)計(jì)更有效的功率因數(shù)校正電路

作者：Jeff Shepard 為了最大限度地提高交流市電供電設(shè)備（包括 AC/DC 電源、電池充電器、基于電池的儲(chǔ)能系統(tǒng)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和不間斷電源）的效...

2023-10-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率因數(shù)電源轉(zhuǎn)換器 982 0

寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開(kāi)關(guān)的優(yōu)勢(shì)

2023-09-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 電子開(kāi)關(guān) 672 0

導(dǎo)入寬帶隙半導(dǎo)體滿足高瓦數(shù)電源供應(yīng)需求

益登科技 300W 電源解決方案采用以 SiC/GaN 為材料的 MOSFET 和肖特基勢(shì)壘二極管，以降低開(kāi)關(guān)損耗和恢復(fù)損耗，搭配 PFC 和 LLC ...

2023-06-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件數(shù)字控制器 412 0

寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用和發(fā)展

　　寬帶隙半導(dǎo)體是一種具有寬帶隙的半導(dǎo)體材料，其特性是具有較寬的能帶隙，可以吸收和發(fā)射更多的光子，從而提高半導(dǎo)體器件的效率。它廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能電池、激光...

2023-02-16 標(biāo)簽：太陽(yáng)能半導(dǎo)體電池 1392 0

寬帶隙和超寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)介紹

用于光電子和電子的寬帶隙和超寬帶隙半導(dǎo)體

2022-12-22 標(biāo)簽：光電子寬帶隙器件寬帶隙半導(dǎo)體 958 0

寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)為實(shí)現(xiàn)更高效功率轉(zhuǎn)換打開(kāi)大門

電動(dòng)車是車輪上的數(shù)據(jù)中心，具有工業(yè)規(guī)模的電動(dòng)機(jī)控制（圖1），它的可行性取決于牽引逆變器和充電電路的效率。效率每提高一個(gè)百分點(diǎn)都能促進(jìn)散熱需求降低、重量減...

2022-09-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體寬帶 UnitedSiC 1157 0

分析用于電力電子的寬帶隙半導(dǎo)體

使用寬帶隙半導(dǎo)體的技術(shù)可以滿足當(dāng)今行業(yè)所需的所有需求。顧名思義，它們具有更大的帶隙，因此各種電子設(shè)備可以在高電壓、高溫和高頻率下工作。碳化硅（SiC）...

2022-07-29 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體 SiC 1781 0

分析寬帶隙半導(dǎo)體的計(jì)算模型

了解半導(dǎo)體價(jià)帶和導(dǎo)帶的形成機(jī)制對(duì)于新材料生產(chǎn)的潛在技術(shù)影響至關(guān)重要。這項(xiàng)工作提出了一種寬帶隙計(jì)算模型，突出了理解能帶結(jié)構(gòu)的理論困難，然后將其與實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)...

2022-07-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體計(jì)算模型碳化硅 1148 0

寬帶隙半導(dǎo)體GaN、ZnO和SiC的濕法化學(xué)腐蝕

寬帶隙半導(dǎo)體具有許多特性，這些特性使其對(duì)高功率、高溫器件應(yīng)用具有吸引力。本文綜述了三種重要材料的濕法腐蝕，即ZnO、GaN和SiC。雖然ZnO在包括HN...

2022-07-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 蝕刻 2250 0

半導(dǎo)體功率轉(zhuǎn)換拓?fù)浼軜?gòu)和挑戰(zhàn) 寬帶隙半導(dǎo)體的技術(shù)進(jìn)展

功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)者的終極目標(biāo)是以最高效率將來(lái)自配電系統(tǒng)（公用事業(yè)AC或DC匯流排）電壓轉(zhuǎn)換為不同DC或AC電平。

2021-03-08 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體寬帶隙器件寬帶隙半導(dǎo)體 4264 0

寬帶隙半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)：緩慢的開(kāi)關(guān)沿可減少過(guò)沖和EMI

在寬帶隙半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的新時(shí)代，器件類型的選擇包括具有自己的特性并聲稱具有最佳性能的SiC?MOSFET和GaN HEMT單元。但是，這兩者都不是理想的開(kāi)關(guān)...

2021-03-18 標(biāo)簽：電容器 MOSFET 緩沖器 7767 0

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電子發(fā)燒友網(wǎng)于2006年10月成立，是一個(gè)以電子技術(shù)知識(shí)為核心，以工程師為主導(dǎo)的平臺(tái)。致立于為中國(guó)電子工程師的電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)等做出最大貢獻(xiàn)，促進(jìn)中國(guó)電子科技的穩(wěn)步發(fā)展。
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京瓷株式會(huì)社成立于1959年4月1日。川村誠(chéng)為現(xiàn)任代表取締役社長(zhǎng)。資本金為1，157億332萬(wàn)日元。截至2006年3月31日為止的年度銷售額達(dá)到1，181，489百萬(wàn)日元，集團(tuán)公司包括關(guān)聯(lián)公司在內(nèi)共計(jì)183家，員工61，468名。
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eMMC （Embedded Multi Media Card）是MMC協(xié)會(huì)訂立、主要針對(duì)手機(jī)或平板電腦等產(chǎn)品的內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。
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6G網(wǎng)絡(luò)將是一個(gè)地面無(wú)線與衛(wèi)星通信集成的全連接世界。6G，即第六代移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)，也被稱為第六代移動(dòng)通信技術(shù)。主要促進(jìn)的就是物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展。截至2019年11月，6G仍在開(kāi)發(fā)階段。6G的傳輸能力可能比5G提升100倍，網(wǎng)絡(luò)延遲也可能從毫秒降到微秒級(jí)。
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WiFi6主要使用了OFDMA、MU-MIMO等技術(shù)，MU-MIMO（多用戶多入多出）技術(shù)允許路由器同時(shí)與多個(gè)設(shè)備通信，而不是依次進(jìn)行通信。MU-MIMO允許路由器一次與四個(gè)設(shè)備通信，WiFi6將允許與多達(dá)8個(gè)設(shè)備通信。WiFi6還利用其他技術(shù)，如OFDMA（正交頻分多址）和發(fā)射波束成形，兩者的作用分別提高效率和網(wǎng)絡(luò)容量。WiFi6最高速率可達(dá)9.6Gbps。
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DC/DC轉(zhuǎn)換器為轉(zhuǎn)變輸入電壓后有效輸出固定電壓的電壓轉(zhuǎn)換器。DC/DC轉(zhuǎn)換器分為三類：升壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器、降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器以及升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器。
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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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電路過(guò)電流過(guò)電壓保護(hù)是為防止主回路短路或直流牽引電動(dòng)機(jī)發(fā)生環(huán)火造成主回路電流過(guò)大而損壞同步牽引發(fā)電機(jī)、主整流柜等電氣設(shè)備，機(jī)車在牽引、電阻制動(dòng)或自負(fù)載工況下，對(duì)主電路的過(guò)電流和過(guò)電壓均進(jìn)行保護(hù)。
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過(guò)零檢測(cè)指的是在交流系統(tǒng)中，當(dāng)波形從正半周向負(fù)半周轉(zhuǎn)換時(shí)，經(jīng)過(guò)零位時(shí)，系統(tǒng)作出的檢測(cè)。可作開(kāi)關(guān)電路或者頻率檢測(cè)。漏電開(kāi)關(guān)的漏電檢測(cè)是檢測(cè)零序電流。
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特斯拉線圈又叫泰斯拉線圈，因?yàn)檫@是從“Tesla”這個(gè)英文名直接音譯過(guò)來(lái)的。這是一種分布參數(shù)高頻串聯(lián)諧振變壓器，可以獲得上百萬(wàn)伏的高頻電壓。
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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見(jiàn)Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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功率放大器（英文名稱：power amplifier），簡(jiǎn)稱“功放”，是指在給定失真率條件下，能產(chǎn)生最大功率輸出以驅(qū)動(dòng)某一負(fù)載（例如揚(yáng)聲器）的放大器。
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