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標簽 > 寬帶隙半導(dǎo)體

寬帶隙半導(dǎo)體

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寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)

寬帶隙半導(dǎo)體開關(guān):緩慢的開關(guān)沿可減少過沖和EMI

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在寬帶隙半導(dǎo)體開關(guān)的新時代,器件類型的選擇包括具有自己的特性并聲稱具有最佳性能的SiC?MOSFET和GaN HEMT單元。但是,這兩者都不是理想的開關(guān)...

2021-03-18 標簽:電容器MOSFET緩沖器 7767 0

半導(dǎo)體功率轉(zhuǎn)換拓撲架構(gòu)和挑戰(zhàn) 寬帶隙半導(dǎo)體的技術(shù)進展

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功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計者的終極目標是以最高效率將來自配電系統(tǒng)(公用事業(yè)AC或DC匯流排)電壓轉(zhuǎn)換為不同DC或AC電平。

2021-03-08 標簽:意法半導(dǎo)體寬帶隙器件寬帶隙半導(dǎo)體 4266 0

氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)等寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開關(guān)的優(yōu)勢

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設(shè)計出色功效的電子應(yīng)用時,需要考慮使用新型高性能氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)技術(shù)的器件。與電子開關(guān)使用的傳統(tǒng)硅解決方案相比,這些新型寬帶隙技術(shù)具有...

2023-10-12 標簽:SiC氮化鎵電子開關(guān) 2324 1

寬帶隙半導(dǎo)體GaN、ZnO和SiC的濕法化學(xué)腐蝕

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寬帶隙半導(dǎo)體具有許多特性,這些特性使其對高功率、高溫器件應(yīng)用具有吸引力。本文綜述了三種重要材料的濕法腐蝕,即ZnO、GaN和SiC。雖然ZnO在包括HN...

2022-07-06 標簽:半導(dǎo)體SiC蝕刻 2256 0

分析用于電力電子的寬帶隙半導(dǎo)體

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使用寬帶隙半導(dǎo)體的技術(shù)可以滿足當(dāng)今行業(yè)所需的所有需求。顧名思義,它們具有更大的帶隙,因此各種電子設(shè)備可以在高電壓、高溫和高頻率下工作。碳化硅 (SiC)...

2022-07-29 標簽:MOSFET半導(dǎo)體SiC 1781 0

寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用和發(fā)展

  寬帶隙半導(dǎo)體是一種具有寬帶隙的半導(dǎo)體材料,其特性是具有較寬的能帶隙,可以吸收和發(fā)射更多的光子,從而提高半導(dǎo)體器件的效率。它廣泛應(yīng)用于太陽能電池、激光...

2023-02-16 標簽:太陽能半導(dǎo)體電池 1394 0

直流電能計量的應(yīng)用和解決方案

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在基于寬帶隙半導(dǎo)體(例如GaN和SiC器件)的高效經(jīng)濟型功率轉(zhuǎn)換技術(shù)發(fā)展的推動下,許多應(yīng)用現(xiàn)在都看到了轉(zhuǎn)換為直流電能的好處。因此,精確的直流電能計量變得...

2024-08-21 標簽:電動汽車半導(dǎo)體電能計量 1345 0

寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)為實現(xiàn)更高效功率轉(zhuǎn)換打開大門

電動車是車輪上的數(shù)據(jù)中心,具有工業(yè)規(guī)模的電動機控制(圖1),它的可行性取決于牽引逆變器和充電電路的效率。效率每提高一個百分點都能促進散熱需求降低、重量減...

2022-09-29 標簽:半導(dǎo)體寬帶UnitedSiC 1160 0

分析寬帶隙半導(dǎo)體的計算模型

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了解半導(dǎo)體價帶和導(dǎo)帶的形成機制對于新材料生產(chǎn)的潛在技術(shù)影響至關(guān)重要。這項工作提出了一種寬帶隙計算模型,突出了理解能帶結(jié)構(gòu)的理論困難,然后將其與實驗數(shù)據(jù)進...

2022-07-29 標簽:半導(dǎo)體計算模型碳化硅 1149 0

寬帶隙半導(dǎo)體重塑交通運輸行業(yè)

寬帶隙半導(dǎo)體重塑交通運輸行業(yè)

作者:Rolf Horn 投稿人:DigiKey 北美編輯 整個交通運輸行業(yè)正在經(jīng)歷一場徹底的變革,內(nèi)燃機 (ICE) 汽車逐漸讓位于污染更少的電動汽車...

2024-02-13 標簽:二極管半導(dǎo)體SiC 1018 0

利用寬帶隙半導(dǎo)體和數(shù)字控制設(shè)計更有效的功率因數(shù)校正電路

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作者:Jeff Shepard 為了最大限度地提高交流市電供電設(shè)備(包括 AC/DC 電源、電池充電器、基于電池的儲能系統(tǒng)、電機驅(qū)動器和不間斷電源)的效...

2023-10-03 標簽:半導(dǎo)體功率因數(shù)電源轉(zhuǎn)換器 985 0

寬帶隙和超寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)介紹

用于光電子和電子的寬帶隙和超寬帶隙半導(dǎo)體

2022-12-22 標簽:光電子寬帶隙器件寬帶隙半導(dǎo)體 960 0

WBG 器件給柵極驅(qū)動器電源帶來的挑戰(zhàn)

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碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 器件的柵極驅(qū)動器電源必須滿足這些寬帶隙半導(dǎo)體的獨特偏置要求。本文將討論在 SiC 和 GaN 應(yīng)用中設(shè)計柵極驅(qū)...

2024-09-27 標簽:驅(qū)動器SiCGaN 726 0

寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開關(guān)的優(yōu)勢

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本文為大家介紹氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開關(guān)的優(yōu)勢,以及如何權(quán)衡利弊。主要權(quán)衡因素之一是開關(guān)損耗,開關(guān)損耗會被...

2023-09-21 標簽:半導(dǎo)體SiC電子開關(guān) 672 0

功率逆變器應(yīng)用采用寬帶隙半導(dǎo)體器件時柵極電阻選型注意事項

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2023-11-23 標簽:柵極電阻半導(dǎo)體器件功率逆變器 578 0

功率逆變器應(yīng)用采用寬帶隙半導(dǎo)體器件時,柵極電阻選型注意事項

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2023-11-27 標簽:半導(dǎo)體柵極電阻功率逆變器 435 0

導(dǎo)入寬帶隙半導(dǎo)體 滿足高瓦數(shù)電源供應(yīng)需求

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益登科技 300W 電源解決方案采用以 SiC/GaN 為材料的 MOSFET 和肖特基勢壘二極管,以降低開關(guān)損耗和恢復(fù)損耗,搭配 PFC 和 LLC ...

2023-06-02 標簽:半導(dǎo)體功率器件數(shù)字控制器 413 0

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變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計 溫度傳感器 壓力傳感器
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