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寬帶隙半導(dǎo)體

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寬帶隙半導(dǎo)體資訊

Nexperia斥資2億美元加速漢堡工廠寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體研發(fā)與生產(chǎn)

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商N(yùn)experia今日宣布將投入高達(dá)2億美元(折合約1.84億歐元)的資金，以顯著擴(kuò)大其位于德國漢堡工廠的寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體研究...

2024-07-15 標(biāo)簽：電動汽車半導(dǎo)體寬帶隙半導(dǎo)體 307 0

寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體助力可持續(xù)電動汽車電源轉(zhuǎn)換，頂部冷卻(TSC)技術(shù)提升熱性能

現(xiàn)如今，全球移動出行領(lǐng)域正處于一個重大轉(zhuǎn)變之中，電動汽車(EV)銷量激增，各國政府和消費(fèi)者也在努力低碳出行減輕氣候變化的影響，預(yù)計到2030年，電動汽車...

2024-06-27 標(biāo)簽：電動汽車電源 SiC 514 0

新的寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)提高了功率轉(zhuǎn)換效率

2023-11-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率轉(zhuǎn)換寬帶隙半導(dǎo)體 463 0

如何賦能新一代寬帶隙半導(dǎo)體？這三類隔離柵極驅(qū)動器了解一下~

在電力電子領(lǐng)域，為了最大限度地降低開關(guān)損耗，通常希望開關(guān)時間短。然而快速開關(guān)同時隱藏了高壓瞬變的危險，這可能會影響甚至損壞處理器邏輯。因此，必須設(shè)計更高...

2023-11-17 標(biāo)簽：亞德諾寬帶隙半導(dǎo)體 615 0

為什么說這兩種寬帶隙半導(dǎo)體將成為數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)的新寵？

數(shù)據(jù)中心在日益數(shù)字化、互聯(lián)化和虛擬化的世界中發(fā)揮著關(guān)鍵和重要的作用。由于數(shù)據(jù)中心有巨大的能源需求，因此需要能夠減少電力損失、提高效率和加強(qiáng)熱控制的電源解...

2023-10-04 標(biāo)簽：得捷電子寬帶隙半導(dǎo)體 479 0

在航天和衛(wèi)星動力系統(tǒng)中使用寬帶隙半導(dǎo)體要克服三個關(guān)鍵的挑戰(zhàn)

寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體在電源轉(zhuǎn)換方面具備幾個優(yōu)勢，如功率密度和效率更高，同時可通過允許使用更小無源元器件的高頻開關(guān)，減少系統(tǒng)尺寸和重量。這些優(yōu)勢在航...

2023-09-20 標(biāo)簽：得捷電子寬帶隙半導(dǎo)體 492 0

寬帶隙半導(dǎo)體封裝用于高壓來突出陶瓷基板

? ? ? ?寬帶隙半導(dǎo)體可實(shí)現(xiàn)高壓（10kv及以上）開關(guān)。因此，需要新的封裝解決方案來為此類設(shè)備奠定的基礎(chǔ)。金屬化陶瓷基板是一種眾所周知且成熟的技術(shù)，...

2022-09-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝陶瓷基板寬帶隙半導(dǎo)體 617 0

寬帶隙半導(dǎo)體為通向太空鋪平道路

自硅問世以來，寬帶隙半導(dǎo)體，如氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC)，已被證明是電力電子領(lǐng)域最有前途的材料。與傳統(tǒng)的硅基技術(shù)相比，這些材料具有多個優(yōu)勢...

2022-08-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 GaN 寬帶隙半導(dǎo)體 1389 0

寬帶隙半導(dǎo)體提高新型功率器件的效率

效率是所有工業(yè)部門的驅(qū)動力，包括消費(fèi)部門。在電子系統(tǒng)中，效率會導(dǎo)致性能限制以及使用壽命縮短。然而，更高的效率推動行業(yè)朝著更高的功率密度發(fā)展，并有可能擁有...

2022-08-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件寬帶隙半導(dǎo)體 702 0

寬帶隙半導(dǎo)體：到電動汽車及以后

在電力電子領(lǐng)域，硅在過去的 40 年中已成為主流技術(shù)；今天，硅功率晶體管和二極管是如此普遍和普遍，以這種材料為基礎(chǔ)的設(shè)備在我們的生活中無處不在。這種采用...

2022-08-05 標(biāo)簽：電動汽車轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體 862 0

寬帶隙半導(dǎo)體：GaN 和 SiC 的下一波浪潮

AspenCore 的?2021 年 PowerUP 博覽會?用一整天的時間介紹寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體，特別是氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC...

2022-07-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC GaN 540 0

碳化硅寬帶隙半導(dǎo)體有什么好處

寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體極大地影響了使用它們的設(shè)備的可能性。材料的帶隙是指電子從半導(dǎo)體價帶的最高占據(jù)態(tài)移動到導(dǎo)帶的最低未占據(jù)態(tài)所需的能量。

2022-07-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 1923 0

碳化硅和氮化鎵等寬帶隙半導(dǎo)體推動汽車電氣化

碳化硅和氮化鎵等寬帶隙功率半導(dǎo)體可減小組件尺寸、提高效率并改善混合動力和全電動汽車的性能。現(xiàn)在越來越多的汽車制造商押注于 SiC 和 GaN，芯片...

2022-07-29 標(biāo)簽：電動汽車氮化鎵碳化硅 602 0

用于電動汽車的寬帶隙半導(dǎo)體

我們與 ROHM Semiconductor 的電源系統(tǒng)總監(jiān) Aly Mashaly 就這個不斷增長的市場進(jìn)行了交談。使用電力驅(qū)動的車輛而不是化石燃料...

2022-07-28 標(biāo)簽：電動車半導(dǎo)體功率器件 645 0

寬帶隙半導(dǎo)體終結(jié)了硅的主導(dǎo)地位

寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體，例如氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC)，已經(jīng)終結(jié)了硅在電力電子領(lǐng)域的主導(dǎo)地位。自硅問世以來，WBG 半導(dǎo)體被證明是電力...

2022-07-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 FET 碳化硅 1611 0

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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時一定要看清電氣參數(shù)
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